美光搬起的“石頭”，砸爛自己的腳，會對“跌跌不休”的存儲芯片市場帶來什么新的變化？市場能否以此得到止跌企穩(wěn)的契機？讓我們一起來捋捋。

我國的網(wǎng)絡(luò)安全審查始于《中華人民共和國國家安全法》和《中華人民共和國網(wǎng)絡(luò)安全法》，基于2020年頒布實施的《網(wǎng)絡(luò)安全審查辦法（2020）》明確以確保關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈安全，維護國家安全為目標(biāo)，對關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施運營者影響或可能影響國家安全的采購網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品和服務(wù)的行為進行網(wǎng)絡(luò)安全審查。

美光（Micron）公司成立于1978年，總部位于美國愛達荷州博伊西，其主要產(chǎn)品包括DRAM（全球份額23%）、NAND閃存（全球份額10.7%）、CMOS影像傳感器、內(nèi)存模組和其它半導(dǎo)體元件。

長期以來，美光公司為阻擊我國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展不遺余力，可謂是劣跡斑斑。

早在2018年，美光與聯(lián)電、福建晉華等企業(yè)之間的DRAM技術(shù)專利糾紛事件，在美光的積極推動下，被美國政府上升到“威脅國家安全”的高度，并最終將晉華列入了實體清單。而正是這一年，美光在中國市場的營收達到創(chuàng)紀(jì)錄的173.57億美元，占到其總營收的58%。

2018年至2022年，美光先后向美國政府部門提交超過170個游說內(nèi)容，其中與中國相關(guān)的占比達67%，并且美光還為此支付954萬美元用于游說政府官員，核心目標(biāo)似乎瞄準(zhǔn)中國正在崛起的存儲芯片制造業(yè)。

2022年10月，美國出臺了針對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的出口管制新規(guī)，其中明確限制向中國銷售可以被用于128層及以上3D NAND、18nm及以下DRAM制造的相關(guān)設(shè)備。此舉不僅限制了長江存儲、長鑫存儲等中國本土存儲芯片制造商的技術(shù)升級和產(chǎn)能擴張，也影響到了三星、SK海力士在華業(yè)務(wù)開展。這一切的背后，在華幾乎沒有晶圓設(shè)計和制造投資的美光，無疑成了最大的受益者。

5月21日，我國網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室宣布，依法對美光作出不予通過網(wǎng)絡(luò)安全審查的結(jié)論。按照《網(wǎng)絡(luò)安全法》等法律法規(guī)，我國國內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運營者應(yīng)停止采購美光公司產(chǎn)品。

因此，即便2022年度美光在中國大陸的營收已還剩下33億美元，但是可預(yù)見到其在中國大陸的市場份額還將進一步下降，而中國本土的長江存儲、長鑫存儲則有機會贏得發(fā)展。

市場公開信息顯示，長鑫存儲在2021年就已經(jīng)實現(xiàn)19nm DDR4/LPDDR4/LPDDR4X等標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 產(chǎn)品量產(chǎn)，晶圓產(chǎn)能也達到了12萬片/月的規(guī)模。而長江存儲則是全球最早實現(xiàn)量產(chǎn)200層以上3D NAND 的廠商，在存儲3D堆疊技術(shù)上已經(jīng)做到與國際巨頭并駕齊驅(qū)。

目前長江存儲的晶圓產(chǎn)能也達到10萬片/月水平，其中40％是128層以上3D NAND閃存，未來將會進一步擴大到30萬片/月。

Nand閃存最主要的應(yīng)用市場包括移動終端嵌入式應(yīng)用（39%）、PC消費市場（25%）和服務(wù)器市場（22%），其中PC和服務(wù)器市場是以固態(tài)硬盤的產(chǎn)品型態(tài)存在，合計的份額高達47%，市場重要性不言而喻。

固態(tài)硬盤（SSD）具有讀寫速度快、防震抗摔、無噪音、功耗低、攜帶輕便等優(yōu)點，正在取代機械硬盤成為主流。TrendForc的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2022年已有92%出貨的筆記本電腦標(biāo)配了SSD，2023年比例還將提升到96%。

市場研究機構(gòu)Yole Group的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2022年，全球SSD的出貨量3.52億塊，市場總價值達到290億美元。

得益于存儲芯片價格一路回落以及國產(chǎn)芯片大規(guī)模量產(chǎn)，一塊512GB容量的中高端SSD產(chǎn)品，三年前的價格通常就要1000元以上，如今本土品牌存儲芯片大量上市后，市場出現(xiàn)了什么變化？

我們以京東的數(shù)據(jù)為例，目前市場上SSD的品牌數(shù)量就多達320種，而以“長江存儲固態(tài)硬盤”為關(guān)鍵詞的搜索結(jié)果也超過50個。我們再以目前最具性價比的2TB M.2接口NVMe低端SSD為例，采用長江存儲3D TLC芯片的產(chǎn)品價格已經(jīng)回落到450元左右，價格已經(jīng)相當(dāng)誘人。

根據(jù)存儲密度的差異，Nand閃存顆粒主要分為SLC、MLC、TLC、QLC、PLC（預(yù)計2-3年后量產(chǎn)）五種類型，SLC由于容量小價格高，目前在消費級存儲產(chǎn)品上已經(jīng)很難看到，MLC顆粒基本就是消費級產(chǎn)品的頂級規(guī)格了，真正的市場主流還是TLC和QLC。

QLC和TLC在數(shù)據(jù)讀取速度上沒有明顯區(qū)別，但是在寫入數(shù)據(jù)時，由于QLC需要多步編程才能完成寫入動作，因此其寫入的速度并不比傳統(tǒng)機械硬盤好，即便用上4 Plane/die設(shè)計寫入速度依然遠(yuǎn)低于3D TLC。目前大部分QLC閃存的寫入速度在30MB/s以內(nèi)，一些采用新技術(shù)的產(chǎn)品速度雖然可以達到40-60MB/s甚至更高，但是并未普及。

而且QLC對比TLC，是以P/E擦寫次數(shù)低一個量級換來存儲容量30%的提升。從存儲器的擦寫次數(shù)出發(fā)，按照1000TBW來算，QLC需要到4TB以上容量才具備較好的普及條件。目前各廠商TLC芯片大規(guī)模出貨且積極降價促銷，TLC芯片的價格已經(jīng)逼近QLC，因此現(xiàn)階段購買SSD選擇3D TLC才是“王道”。

而且，由于TLC和QLC芯片的P/E擦寫次數(shù)都不多，為了不讓局部區(qū)塊因反復(fù)擦寫導(dǎo)致提前報廢，現(xiàn)在的Nand存儲都有帶有均衡擦寫技術(shù)，以保持各區(qū)塊的寫入次數(shù)處于一個均衡的水準(zhǔn)。因此當(dāng)我們的電腦SSD的可用剩余空間小于20%時，建議及時進行內(nèi)容清理或容量升級，不然不僅存儲器容易出現(xiàn)區(qū)塊損壞，而且系統(tǒng)的運行速度也會受到影響，造成運行卡頓等情況。

回到市場端，存儲芯片價格指數(shù)跟蹤曲線顯示，存儲芯片價格從2021年7月的歷史高點下行，截止到目前指數(shù)累積跌幅高達-61.3%，各大存儲芯片巨頭季報均曝出庫存高企、利潤縮水的困難局面，并紛紛從供給端進行限產(chǎn)限價。

存儲芯片價格加權(quán)指數(shù)2022年4月以來持續(xù)下行，5月份以來出現(xiàn)微弱的底部企穩(wěn)跡象，其有效性還需要進一步的確認(rèn)。

中國市場本身是全球最大的存儲芯片應(yīng)用市場，或許即將被中國用戶拋棄的美光，可以改變當(dāng)前疲弱的供需預(yù)期，促進存儲芯片市場實現(xiàn)底部企穩(wěn)，讓我們一起拭目以待。