IT之家（問(wèn)舟）

IT之家 8 月 23 日消息，在當(dāng)?shù)貢r(shí)間 22 日在馬來(lái)西亞檳城舉行的集體采訪中，英特爾邏輯開發(fā)副總裁 William Grimm 表示 Intel 4 制程（IT之家注：原 7nm）的良率高于預(yù)期，他對(duì)此充滿信心。

Intel 4 是英特爾工藝中首次應(yīng)用極紫外光（EUV）的工藝。根據(jù) IC Knowledge 提供的逆向工程數(shù)據(jù)，Intel 4 工藝的性能優(yōu)于臺(tái)積電 5nm，接近 3nm 工藝，但 William 堅(jiān)持“很難將 Intel 4 與其他代工廠的現(xiàn)有節(jié)點(diǎn)進(jìn)行比較，所以只是參考外部基準(zhǔn)測(cè)試執(zhí)行了自己的 PPA”。

“通過(guò) EUV，我們可以控制工藝復(fù)雜性”，“我們成功收獲得了比預(yù)期更高的產(chǎn)量”，他說(shuō)道。

William Grimm 介紹稱，Intel 4 節(jié)點(diǎn)是一個(gè)特別注重能源效率的工藝。“如果說(shuō) Intel 7 工藝是專注于性能最大化的工藝，那么 Intel 4 則專注于提高能效”，“它更適合筆記本電腦等應(yīng)用”。

它還表示，“（EUV 產(chǎn)能）已經(jīng)有足夠的保障來(lái)滿足市場(chǎng)需求”，并且“未來(lái)幾年的計(jì)劃，比如 Intel 3 已經(jīng)確定了”。

IT之家附英特爾路線圖（部分已延期）：

與基于 FinFET 晶體管優(yōu)化的英特爾 10 納米 SuperFin 相比，英特爾 7 可實(shí)現(xiàn)每瓦 10% 到 15% 的性能提升。英特爾 7 將在 2021 年面向客戶端的 Alder Lake 和數(shù)據(jù)中心的 Sapphire Rapids 等產(chǎn)品中出現(xiàn)，預(yù)計(jì)將于 2022 年第一季度投產(chǎn)。

英特爾 4 完全采用 EUV 光刻技術(shù)，使用超短波長(zhǎng)光打印超小巧的功能。隨著性能功耗比提高約 20%，加上區(qū)域改進(jìn)，英特爾 4 將在 2022 年下半年開始生產(chǎn)，用于 2023 年發(fā)貨的產(chǎn)品，包括客戶 Meteor Lake 和數(shù)據(jù)中心 Granite Rapids。

英特爾 3 進(jìn)一步利用 FinFET 優(yōu)化和增強(qiáng)的 EUV，相比英特爾 4，性能比增加了 18%/瓦，還提供了額外的區(qū)域改進(jìn)。英特爾 3 將于 2023 年下半年開始生產(chǎn)產(chǎn)品。

英特爾 20A 采用兩種突破性技術(shù) （RibbonFET 和 PowerVia）引領(lǐng)了 angstrom 時(shí)代。自 2011 年率先開創(chuàng) FinFET 以來(lái)，英特爾實(shí)施門全面晶體管，將成為該公司首個(gè)全新晶體管架構(gòu)。該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了更快的晶體管切換速度，同時(shí)在較小的占用空間中實(shí)現(xiàn)了與多翼相同的驅(qū)動(dòng)器電流。PowerVia 是英特爾在行業(yè)內(nèi)率先實(shí)施后端供電，通過(guò)消除晶片前端電源布線需求，優(yōu)化了信號(hào)傳輸。預(yù)計(jì) 2024 年英特爾 20A 將有所提升。該公司還對(duì)有機(jī)會(huì)使用其英特爾 20A 工藝技術(shù)與 Qualcomm 進(jìn)行合作感到興奮。

2025 年及以后： 除了英特爾 20A 之外，英特爾 18A 也在 2025 年初開始開發(fā)，包括為帶狀 FET 提供的優(yōu)化，這將實(shí)現(xiàn)晶體管性能的又一重大飛躍。英特爾還致力于定義、構(gòu)建和部署下一代 High NA EUV，并希望獲得業(yè)界首個(gè)生產(chǎn)工具。英特爾與 ASML 緊密合作，以確保實(shí)現(xiàn)超越最新一代 EUV 的行業(yè)突破。

借助英特爾的新 IDM 2.0 戰(zhàn)略，封裝在意識(shí)到摩爾定律的優(yōu)勢(shì)方面變得越來(lái)越重要。英特爾宣布，AWS 將是第一個(gè)使用 IFS 封裝解決方案的客戶，同時(shí)也提供了有關(guān)公司業(yè)界領(lǐng)先的高級(jí)封裝路線圖的以下見解：

EMIB 繼續(xù)成為行業(yè)領(lǐng)先者，成為首款 2.5D 嵌入式橋接解決方案，產(chǎn)品自 2017 年發(fā)貨。Sapphire Rapids 將是第一款使用 EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）批量運(yùn)送的英特爾 ? 至強(qiáng) ? 數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品。它將成為行業(yè)內(nèi)第一個(gè)雙斜視圖大小的設(shè)備，其性能幾乎與單片設(shè)計(jì)相同。除了 Sapphire Rapids，下一代 EMIB 將從 55 微米碰撞間距遷移至 45 微米。

Foveros 利用晶片級(jí)封裝功能，提供了首創(chuàng)性的 3D 堆棧解決方案。Meteor Lake 將是客戶端產(chǎn)品中第二代實(shí)施 Foveros，具有 36 微米碰撞間、塊橫跨多個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)以及 5 至 125W 的散熱設(shè)計(jì)功率范圍。

Foveros Omni 為芯片到芯片互連和模塊化設(shè)計(jì)提供了性能 3D 堆棧技術(shù)，提供了無(wú)限的靈活性，引領(lǐng)了新一代 Foveros 技術(shù)。Foveros Omni 允許芯片分離，在混合晶片節(jié)點(diǎn)上將多個(gè)頂芯片塊和多個(gè)基塊混合在一起，預(yù)計(jì)于 2023 年實(shí)現(xiàn)批量制造。

Foveros Direct 轉(zhuǎn)向?qū)~質(zhì)綁定為銅質(zhì)綁定，以進(jìn)行低耐用性互連，并模糊晶片末端和封裝開始地點(diǎn)之間的邊界。Foveros Direct 實(shí)現(xiàn)了 10 微米以下的碰撞間距，提高了 3D 堆棧的互連密度，為功能芯片分區(qū)開創(chuàng)了過(guò)去無(wú)法實(shí)現(xiàn)的新概念。Foveros Direct 是 Foveros Omni 的補(bǔ)充，預(yù)計(jì)也在 2023 年就緒。

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