編輯-Z

ASEMI高壓MOS管ASE20N65SE參數(shù)：

型號：ASE20N65SE

漏極-源極電壓（VDS）：650V

柵源電壓（VGS）：30V

漏極電流（ID）：20A

功耗（PD）：239W

儲存溫度（Tstg）：-55 to 150℃

靜態(tài)漏源導通電阻（RDS(ON)）：0.42Ω

二極管正向電壓（VSD）：1.4V

輸入電容（Ciss）：3520pF

二極管反向恢復時間（trr）：530nS

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ASE20N65SE封裝體積：

封裝：TO-247

總長度：40.4mm

本體長度：20.1mm

寬度：15.8mm

高度：5.0mm

腳間距：5.45mm

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ASE20N65SE特征：

低固有電容。

出色的開關(guān)特性。

擴展安全操作區(qū)域。

無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=650V，ID=20A

RDS（開）:0.42? （最大值）@VG=10V

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