濕法腐蝕工藝由于其低成本，高產(chǎn)出，高可靠性以及其優(yōu)良的選擇比是其優(yōu)點(diǎn)而仍被廣泛接受和使用。 基本上是各向同性，因此他們腐蝕后的尺寸要比定義的尺寸小.須在版上加一定量的 BIAS因此主要適用于大尺寸條寬的器件生產(chǎn).同時(shí)現(xiàn)有的濕法腐蝕設(shè)備正朝著以下方向發(fā)展∶ 1）自動(dòng)化，2）在微處理器控制下提高在腐蝕狀態(tài)下的重復(fù)性，以幫助工藝工程師提供更良好的控制，阻止人為因素的影響。3） 點(diǎn)控制過濾控制，以減小腐蝕過程中缺陷的產(chǎn)生，4） 自動(dòng)噴淋設(shè)備的開發(fā)。所有這些，都使?jié)穹ǜg有一個(gè)更美好的前景。與此同時(shí)，濕法腐蝕尤其不利的一面。其主要缺點(diǎn)有∶

A∶ 腐蝕液及 DI WATER 的成本比干法腐蝕用氣體成本高; B∶在處理化學(xué)藥液時(shí)給人帶來安全問題; C∶光刻膠的黏附性問題

D∶有氣體產(chǎn)生以及不徹底的腐蝕及均勻性差等問題 E∶ 排風(fēng)問題濕法腐蝕機(jī)理

濕法腐蝕的產(chǎn)生一般可分為 3步∶

1∶反應(yīng)物（指化學(xué)藥劑）擴(kuò)散到反應(yīng)表面 2∶ 實(shí)際反應(yīng)（化學(xué)反應(yīng)）

3∶反應(yīng)生成物通過擴(kuò)散脫離反應(yīng)表面

在實(shí)際應(yīng)用中，濕法腐蝕通常用來在 SI 襯底或簿膜上生成一定的圖形，光刻版是典型的被用于覆蓋所期望的表面區(qū)域防止被腐蝕液腐蝕掉，而光刻版在腐蝕后常被去掉，因此在線擇濕法腐蝕工藝時(shí)，必須線擇腐蝕液，合適的形成版的材料（光刻膠）必須具有良好的抗腐蝕能力，良好的完整覆蓋特性， 光亥膠常被用來作為版層材料，但有時(shí)邊緣的黏附性差， 常采用 HMDS以增強(qiáng)其黏附性。

濕法腐蝕反應(yīng)時(shí)可能存在多種反應(yīng)機(jī)理，許多反應(yīng)是一種或多種反應(yīng)共同作用的結(jié)果。最簡單的一種是在溶液中溶解。

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影響濕法腐蝕的因素

濕法腐蝕質(zhì)量的好壞，取決于多種因素，主要的影響因素有∶ 1∶掩膜材料（主要指光刻膠）∶

顯影不清和曝光強(qiáng)度不夠，會(huì)使顯影時(shí)留有殘膠，通常會(huì)使腐蝕不凈。 2∶須腐蝕膜的類型（指如 SIO2，POLY，SILICON 等）

3∶腐蝕速率∶ 腐蝕速率的變化會(huì)使腐蝕效果發(fā)生改變，經(jīng)常會(huì)導(dǎo)致腐蝕不凈或嚴(yán)重過腐蝕，從而造成異常，影響腐蝕速率的因素可見下面的影響因素。

4∶浸潤與否∶ 由于在濕法腐蝕時(shí)由于腐蝕液與膜間存在表面張力，從而使腐蝕液難于到達(dá)或進(jìn)

入被腐蝕表面和孔，難于實(shí)現(xiàn)腐蝕的目的。大多數(shù)情況下，為減小表面張力的影響，會(huì)在腐蝕槽中加入一定量的浸潤。影響 E/R的因素∶

1∶ 腐蝕槽的溫度

2∶膜的類型（如 SIO2，POLY， SILICON 等） 3∶ 晶向 <111> <100>

4∶膜的形成（是熱生長形成或摻雜形成） 5∶膜的密度（THERMAL OR LTO） 6∶ 腐蝕時(shí)的作業(yè)方式（噴淋，浸沒或是旋轉(zhuǎn)） 7∶藥液成分的變化 8∶ 腐蝕時(shí)有無攪動(dòng)或?qū)α鞯?/span>

所有上述因素均是查找異常原因的因素，同時(shí)膜的摻雜類型及含量也影響 E/R，因?yàn)橥饧拥膿诫s劑改變了膜的密度，例如摻 P的氧化層比熱氧化層 E/R 快得多，而摻 B 的氧化層要慢得多.下圖顯示了摻 P的 CVD SIO2與熱氧化 OXIDE 在 BOE 中的不同的腐蝕速率對(duì)比。

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