一：《氮化鎵半導(dǎo)體器件及其封裝方法》

二：《600 VGaN功率器件驅(qū)動方案設(shè)計》

三：《GaN電子器件關(guān)鍵技術(shù)的進展》

四：《GaN功率電子器件及其應(yīng)用》

五：《高效率 GaN功率放大器的設(shè)計》

六：《氮化鎵半導(dǎo)體材料的應(yīng)用》

七：《氮化鎵晶體管單粒子的實驗研究》

八：《氮化鎵器件在變換器上的應(yīng)用》

九：《國內(nèi)5G用GaN功率器件的發(fā)展》

十：《GaN的高頻整流器設(shè)計》

十一：《GaN功率器件芯片設(shè)計與封裝集成》

十二：《氮化鎵晶體管的材料與工藝解決方案》

十三：《AlGaN_GaN異質(zhì)結(jié)二極管研究進展》

十四：《GaN FET的結(jié)構(gòu)、驅(qū)動及應(yīng)用綜述》

十五：《氮化鎵MOSFET封裝應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)》

十六：《氮化鎵器件及氮化鎵器件的封裝方法》

十七：《氮化鎵基LED芯片立式封裝的方法》

十八：《共源共柵級聯(lián)的氮化鎵器件封裝結(jié)構(gòu)》

十九：《先進射頻封裝技術(shù)發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)》

二十：《氮化鎵HEMT的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法》