雷遞網(wǎng) 雷建平 1月18日

禾賽科技（HESAI）日前遞交招股書，準(zhǔn)備在美國納斯達(dá)克上市。

知情人士透露，禾賽的最新估值可能已超過40億美元，融資額度超2億美元。

禾賽科技是中概股底稿審查正式落地后，首家向美國資本市場(chǎng)發(fā)起上市的大型中概股企業(yè)，也是滴滴恢復(fù)上架以來，首家向美股發(fā)起上市的硬科技企業(yè)。

可以說，禾賽科技此次赴美上市有風(fēng)向標(biāo)的意義。

將激光雷達(dá)的發(fā)展推上摩爾定律的軌道

據(jù)介紹，禾賽基于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的TX/RX系統(tǒng)（激光收發(fā)系統(tǒng)）采用專用集成電路/自研芯片化技術(shù)，與傳統(tǒng)激光雷達(dá)分立組件的架構(gòu)相比具有明顯優(yōu)勢(shì)。禾賽自研的芯片化技術(shù)最大限度地在提高激光雷達(dá)性能的同時(shí)，降低了功耗。

傳統(tǒng)激光雷達(dá)需要組裝數(shù)百個(gè)分立組件，出現(xiàn)質(zhì)量問題和不一致問題的可能性更高；而基于禾賽芯片化技術(shù)研發(fā)的激光雷達(dá)，將多種功能集成到幾顆芯片上，不僅降低了系統(tǒng)的復(fù)雜性，并且通過簡化內(nèi)部結(jié)構(gòu)，大幅降低了成本。

禾賽已完成了芯片化技術(shù)v1.5版本的升級(jí)，并將繼續(xù)升級(jí)和優(yōu)化，利用半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中現(xiàn)有的先進(jìn)制造工藝，為客戶提供更高性價(jià)比的產(chǎn)品。

歷史上，激光雷達(dá)一直沒有大規(guī)模上車的原因有三個(gè)：質(zhì)量差、成本高、生產(chǎn)方式落后。而禾賽提出了芯片化方向，將激光雷達(dá)的發(fā)展推上摩爾定律的軌道，好處顯而易見。

首先，集成度提升使激光雷達(dá)內(nèi)部元器件數(shù)量大幅降低，據(jù)禾賽此前透露，打個(gè)比方來說的話，可以從約1000個(gè)降至約100個(gè)，產(chǎn)品復(fù)雜度大幅降低，可靠性和質(zhì)量也就大幅提升。

第二，元器件數(shù)量大幅減少意味著供應(yīng)鏈的簡化和韌性，禾賽透露，關(guān)鍵供應(yīng)商數(shù)量可以從約100個(gè)降低至僅10個(gè)左右，減少因缺少零部件斷供的可能性。

第三，成本可以大幅降低，單線成本甚至可以降低約10倍。

第四，性能也會(huì)大幅提升，基于摩爾定律紅利，隨著自研芯片帶來的集成度不斷提升，其分辨率可以提升約10倍。

據(jù)禾賽招股書，截至2022年12月底，搭載禾賽第一代芯片的XT系列產(chǎn)品已經(jīng)交付超1萬臺(tái)，搭載禾賽第二代芯片的AT128已經(jīng)累計(jì)交付超過6萬臺(tái)，搭載禾賽第三代芯片的純固態(tài)產(chǎn)品FT120也已經(jīng)獲得多家OEM定點(diǎn)，今年年底前就開始量產(chǎn)交付。每一代芯片的集成度都更高，單線成本都在降低，在可預(yù)見的未來持續(xù)增能降本。

而且，自研芯片是一項(xiàng)長期投入，禾賽從2017年開始組建團(tuán)隊(duì)專研激光雷達(dá)專用芯片，到現(xiàn)在5年時(shí)間也只是初獲成果，第二代芯片化產(chǎn)品開始量產(chǎn)。同時(shí)禾賽早已開始研發(fā)下一代芯片化產(chǎn)品。

905nm是更具優(yōu)勢(shì)的波長選擇

禾賽的激光雷達(dá)技術(shù)基于VCSEL陣列，可實(shí)現(xiàn)905nm和940nm波長，而這項(xiàng)技術(shù)在智能手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品中3D傳感方面的應(yīng)用也得到證明。

禾賽認(rèn)為，1550nm波長的激光器和接收器組件普遍存在高功耗、光纖激光器成本較高以及基于InGaAs接收器靈敏度低等問題。為了實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的測(cè)遠(yuǎn)能力，1550nm波長的激光雷達(dá)產(chǎn)生的巨大功耗所帶來的點(diǎn)密度有限的問題，則需要更多非車規(guī)級(jí)組件以更高的成本來實(shí)現(xiàn)。

因此，禾賽戰(zhàn)略性地采用905nm/940nm波長的VCSEL陣列。在測(cè)遠(yuǎn)能力的提升上，禾賽通過升級(jí)激光接收器和芯片化技術(shù)的應(yīng)用，正探索進(jìn)一步優(yōu)化905nm/940nm波長激光雷達(dá)的可能性。

從長期來看，905nm是更具優(yōu)勢(shì)的波長選擇。

從性能的角度來說，1550nm的優(yōu)勢(shì)是單點(diǎn)測(cè)遠(yuǎn)，主要因?yàn)樗陌l(fā)射功率更高。但激光雷達(dá)不光要看得遠(yuǎn)，還得看得清。1550nm的優(yōu)點(diǎn)是有利于單點(diǎn)測(cè)遠(yuǎn)，但分辨率不如905nm。

激光雷達(dá)是一個(gè)被動(dòng)散熱的元器件，不能無限制地提升功率，1550由于材料導(dǎo)致其功率遠(yuǎn)大于905，因此若想進(jìn)一步提高點(diǎn)頻，就會(huì)導(dǎo)致其功率過高而根本無法上車。

目前市場(chǎng)上典型的1550nm激光雷達(dá)點(diǎn)頻大概在100萬左右，相比禾賽的AT128 153萬每秒的點(diǎn)頻，還是低非常多。

從成本和產(chǎn)業(yè)鏈成熟度的角度來說，905nm的激光器為砷化鎵材料，探測(cè)器為硅材料，已經(jīng)充分地在消費(fèi)類電子和汽車電子領(lǐng)域驗(yàn)證了，已經(jīng)有器件廠商獲得了AECQ認(rèn)證，產(chǎn)業(yè)鏈比較成熟。砷化鎵廣泛應(yīng)用于手機(jī)射頻、Face ID以及iPhone上的3D攝像頭，而硅基材料兼容現(xiàn)有的硅產(chǎn)業(yè)鏈，技術(shù)成熟，方便批量生產(chǎn)，開發(fā)難度低，成本也低。

而1550nm的激光器為磷化銦材料，探測(cè)器為銦鎵砷材料，多用在通信領(lǐng)域，是否可以獲得車規(guī)認(rèn)證還有待時(shí)間驗(yàn)證，而且材料比較昂貴，目前產(chǎn)業(yè)規(guī)模也達(dá)不到硅基材料的水平，開發(fā)成本、生產(chǎn)成本較高。

總而言之，1550nm和905nm只是兩種不同的波長選擇，各有優(yōu)劣，最終激光雷達(dá)的性能、成本和可靠性還是要看激光雷達(dá)產(chǎn)品的整體設(shè)計(jì)。也有廠商采用了1550nm路線并成功量產(chǎn)，比如圖達(dá)通獵鷹。但是目前只有905nm的一維轉(zhuǎn)鏡架構(gòu)被證實(shí)可以被芯片化。

禾賽此前也曾透露，隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步、以及新工藝提升激光接收器靈敏度，未來905nm激光雷達(dá)的測(cè)遠(yuǎn)有望提升至250米以上，長期是比較被看好的路線。

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