基本原理

?論是CMOS平板探測器還是非晶硅平板探測器，在基本原理上都類似，見下圖：

平板探測器最重要的部件是光電二極管陣列，CMOS探測器的光電二極管陣列是以晶體硅為原料，采用CMOS?藝制作；非晶硅探測器是以非晶硅為原料，采用薄膜?藝（TFT）制作。下圖就是CMOS 探測器和非晶硅探測器的像素結(jié)構圖：

?者的最?區(qū)別是：CMOS探測器在每個像素旁邊都有?個放大器（?叫作主動像素），信號是放?后再傳輸；?非晶硅探測器的像素旁邊沒有放?器，信號是傳輸?shù)教綔y器外?后再放?。

兩種探測器的像素信號在傳輸過程中都會受到各種電?噪聲的影響，噪聲?平都差不多。CMOS探測器的信號放?后再傳輸，因此信號電平相對于噪聲來說?很多，也就是信噪比高；而非晶硅探測器信號傳輸后再放?，導致信號和噪聲一起放大，在劑量比較低時，信號會被噪聲淹沒。這就是非晶硅平板探測器低劑量DQE差的重要原因。從下圖可以看出?者的差異：非晶硅平板探測器的圖像噪聲非常?。

DQE

DQE是平板探測器眾多參數(shù)中最重要的?個，也是最難理解的?個。這個參數(shù)涉及了空間分辨率，圖像信噪比和射線信噪比，而噪聲?涉及了電?噪聲，還有量?噪聲。

簡單的說，在給定劑量下，給定分辨率下，DQE越?，說明了探測器對X射線的檢測效率越高。這?所說的劑量是探測器接受到的劑量，分辨率常用0線對。DQE高，那么圖像的噪聲就少，信號更強，圖像層次就更多，細節(jié)更豐富。由于DQE和劑量大小的關系非常?，因此評價平板探測器性能時?般不單純比較DQE數(shù)值，而是比較“劑量-DQE”曲線。

下圖是不同探測器，0線對下不同劑量的DQE比較。

幀率與分辨率

平板探測器的像素矩陣大小叫分辨率，例如1536*1536，意思是?塊平板探測器有1536行，1536列，有1536*1536 = 2359296個像素。平板探測器還可以2*2像素合并模式，意思是4個像素合成?個像素，圖像分辨率降低?倍。

幀率是指每秒鐘可以輸出多少幀圖像，看電影每秒?少要25幀才會不閃。

例如1536*1536, 30fps( Frame per second)。如果是CMOS探測器，上述參數(shù)（幀率與分辨率）可以同時達到，也就是每秒30幀 1536 x 1536的圖像，意味著全分辨率全幀率。如果是非晶硅探測器，因為兩個參數(shù)不可能同時達到，它的詳細的參數(shù)是 ?：1536*1536（15fps），768*768（30fps）。也就是說非晶硅平板探測器的最?幀率30fps只能在像素合并的時候?qū)崿F(xiàn)。

究其原因，還是因為CMOS平板探測器具有主動像素，傳輸?shù)男盘枏?，可以快速讀取；而非晶硅平板探測器傳輸?shù)男盘柸酰枰L的時間讀取。

圖像拖尾

由于平板探測器的數(shù)據(jù)讀出是類似積分放?器原理，每?幀圖像都需要對外部的電容充電和放電。非晶硅平板探測器的信號弱，對電容的充放電都?較慢，導致上?幀圖像還沒有清空，下?幀圖像?已經(jīng)到來。

CMOS平板探測器的速度快，圖像拖尾比非晶硅平板探測器好10倍左右。非晶硅平板探測器的拖尾非常嚴重，在透視時是可以看出來的。用非晶硅平板探測器Ｃ形臂先拍了足模體的側(cè)位圖像，20多秒后拿?模體，空氣曝光，足部圖像還會成像。