造成電解電容鼓包都有哪些原因？

一、關(guān)于電容鼓包的問題

現(xiàn)象：

上圖是一塊電源板，如上圖紅色框框內(nèi)的是輸入的主濾波電容，我們發(fā)現(xiàn)它明顯吃胖了。我們把這種電容吃胖了的現(xiàn)象叫做電容鼓包。

電容鼓包有哪些危害：

電容鼓包勢必造成其電容量的下降，電容量下降會造成輸出電流的不平穩(wěn)，就有可能會燒壞后面的電子元器件，當(dāng)然也可能會損壞前面的整流二極管。

鼓包的原因：

電容鼓包最根本的原因是電源溫度過高導(dǎo)致電解電容內(nèi)部電解液氣化，導(dǎo)致體內(nèi)壓力增大，從而產(chǎn)生鼓包。而溫度高，與電源轉(zhuǎn)換效率有很大關(guān)系，當(dāng)轉(zhuǎn)換效率高時，電源損耗電源小，產(chǎn)生的熱量也就低，不容易出現(xiàn)高溫，其次，與散熱有關(guān)，如不少高端電源使用了自啟停風(fēng)扇，可以根據(jù)電源溫度，調(diào)整風(fēng)扇轉(zhuǎn)速，這就能夠讓電源維持在一個較低的溫度下，自然電容也不容易出問題。

電解電容鼓包常見原因匯總：

1、極性接反了

電解電容接反后通電，其漏電會急劇增大，導(dǎo)致其內(nèi)部發(fā)熱鼓包甚至于發(fā)生爆炸。

2、耐壓不夠

電解電容長期使用，尤期是長期工作在溫度較高的環(huán)境場合時，其電解液會減少，導(dǎo)致其耐壓下降。因此選擇電容要留一定的余量，建議選擇1.5~2倍余量。

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3、電解電容本身存在質(zhì)量問題

如若你細(xì)心的話就會發(fā)現(xiàn)，無論容量大小，大部分電解電容的頂部，會留有形狀不一的小縫隙，他們具體起什么作用呢？歡迎留言區(qū)評論。圖片

二、MCU為什么不直接驅(qū)動MOS管？

為什么有些mos管要用三極管驅(qū)動，單片機(jī)IO不能直接驅(qū)動嗎？

對于很多小功率的MOS管，單片機(jī)是可以直接驅(qū)動的，因為其開啟電壓Vth要求不是很高，但是對于大多數(shù)的MOS管，其開啟電壓在2.5-4.5V之間，甚至更高，單片機(jī)直接驅(qū)動可能會出現(xiàn)問題，所以就需要通過三極管來轉(zhuǎn)換一下。下圖就是單片機(jī)通過三極管來驅(qū)動MOS管的例子。

MCU為什么可以直接驅(qū)動三極管？

三極管是流控型器件，具有三個工作狀態(tài)，分別為截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。用作電子開關(guān)時需要工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。以NPN三極管為例，三極管飽和導(dǎo)通時，基極和發(fā)射極之間的壓差大約為0.7V，所以只要基極端的電壓高于0.7V，三極管就能導(dǎo)通，而單片機(jī)在輸出高電平時至少可達(dá)3.3V，所以單片機(jī)可以直接驅(qū)動三極管。