【前言】

多年來我國一直是以一個裝配生產(chǎn)的制造姿態(tài)展現(xiàn)，即便具備強大的裝配制造能力，但核心芯片供貨渠道卻依舊受制于國外企業(yè)，從美國對國內(nèi)很多在國際極具競爭力企業(yè)實施的各項禁令限制發(fā)人深思。如今我國已不在孱弱，在經(jīng)過多年的技術(shù)洗禮下也誕生出不少擁有自主創(chuàng)造的硬件產(chǎn)品。本次就要為大家介紹一款純國產(chǎn)化的固態(tài)產(chǎn)品，它就是來自嘉合勁威旗下的光威弈PRO SATA SSD，相比早年僅主控固件的自主化不同，它采用的是國產(chǎn)長江存儲顆粒芯片，總算不在受人詬病，全面實現(xiàn)固態(tài)自主國產(chǎn)化時代。

【產(chǎn)品介紹】

作為一款純國產(chǎn)化的存儲設(shè)備，光威弈Pro系列固態(tài)硬盤采用了極具中國風的包裝設(shè)計，以大紅色作為主基調(diào)襯托出中心霸氣十足的龍頭圖示，無不給人中國崛起巨龍覺醒熱血氛圍。

將產(chǎn)品抽離包裝，可以看到在固態(tài)外殼上同樣映襯著相同紋飾的產(chǎn)品徽標，而固態(tài)硬盤則是固定在具備良好韌性的黑色塑料外殼中保護著。

在硬盤外殼背面左上角密封貼紙下方設(shè)有一枚十字防拆螺絲，用戶需要對其進行破拆方可開啟固態(tài)硬盤的外殼。拆卸方面其實挺簡單的，僅需擰開隱藏螺絲其它孔位均采用卡扣設(shè)計，只需延邊敲開即可。

拆開頂蓋后可以看到內(nèi)部采用黑色的PCB基板，在面板上可以看到兩枚國產(chǎn)長江存儲的內(nèi)存顆粒，同樣的顆粒在對應(yīng)的背面位置也有兩枚，筆者這塊固態(tài)總?cè)萘繛?56GB，由此可推算出單片顆粒容量為64GB。

簡單的通過一張圖片了解一下芯片顆粒，這款我國自主技術(shù)的長江存儲閃存顆粒是64層堆疊3D TLC閃存顆粒 ，采用自研領(lǐng)先的Xtacking架構(gòu)，相比傳統(tǒng)架構(gòu)存儲密度提升5倍，數(shù)據(jù)傳輸率翻番達到800Mbps， 編程/擦寫循環(huán)可達3000次。雖然64層3D TLC閃存在技術(shù)上其實并不領(lǐng)先，但是具官方消息，新一代基于Xtacking 2.0的128層QLC閃存已經(jīng)研發(fā)出來了，可以說在存儲行業(yè)的創(chuàng)新領(lǐng)域比外國企業(yè)領(lǐng)先一步。

翻轉(zhuǎn)到背面，可以看到這款光威弈Pro固態(tài)采用的是國產(chǎn)聯(lián)蕓MAS0902A-B2C主控，它上限支持SATA3.2，在傳輸能力上有很不錯的表現(xiàn)。并且通過放大基板的焊點，可以看到板材用料考究并且每個焊點都非常均勻，逐漸產(chǎn)品非常用心。

【性能測試】

簡單的將固態(tài)進行安裝與固定，以備后續(xù)進行上電測試。測試平臺采用的是四代i7平臺，雖然算不上多拉風的配置，但也能夠滿足固態(tài)所需的測試環(huán)境要求。

首先用HD Tune對這款固態(tài)硬盤進行基準讀取測試，從展示曲線來看還是非常穩(wěn)定的，平均讀取速度保持在335.5MB/s上，除了在快結(jié)束末端有小區(qū)域的讀取拔高之外，整體讀取數(shù)值還是非常穩(wěn)定的，并沒出現(xiàn)掉速的情況。

接下來用AS SSD Benchmark進一步對固態(tài)進行讀寫測試，通過對1GB塊狀進行多次讀寫測試，從最終數(shù)值可以看出不同項目中的讀寫速度表現(xiàn)都非常穩(wěn)定，讀寫速度以及響應(yīng)速率作為首款純國產(chǎn)固態(tài)表現(xiàn)非常出色。

最后在通過ATTO Disk Benchmark進行顆粒的讀寫速率測試，從測試的數(shù)據(jù)結(jié)果來看，光威固態(tài)能夠很好的保證設(shè)備保持在530MB/s的最大讀取速度，寫入速度最大保持在433MB/s的浮動區(qū)間中。整體讀寫速度都表現(xiàn)的非常穩(wěn)定，作為一款不帶高速緩存的產(chǎn)品來說速度上完全達到預(yù)期效果。

【體驗總結(jié)】

光威弈PRO作為一款真正意義上的純國產(chǎn)固態(tài)硬盤，通過平臺的測試跑分數(shù)據(jù)來看，其整體性能完全不輸于主流在售的各品牌固態(tài)產(chǎn)品。并且隨著國產(chǎn)的長江存儲顆粒實現(xiàn)全面量產(chǎn)，使得過去美日韓對芯片的壟斷局面得到改變，先不論在國際市場會有多大的影響，單從國內(nèi)而言就能夠讓國內(nèi)用戶獲得極大的實惠。在如今的長江存儲64層3D NAND實現(xiàn)大批量產(chǎn)同時，其內(nèi)的128層QLC閃存也已研發(fā)成功，在不久的將來中國的半導體行業(yè)也能與幾大巨頭平分市場。