Triconex 3636R 增強(qiáng)型智能通信模件（EICM）非隔離型具有可比額定電壓的CPU模塊

一般來說，TRICONEX 3636R由于其較低的導(dǎo)通電壓而具有固有的較低傳導(dǎo)損耗(對于IGCT，約為1.8至2.2 V)。對于具有可比額定電壓的IGBT，為2.8至3.5 V)。在最新IGBT的情況下，開關(guān)損耗是相當(dāng)?shù)幕蛘咦罱K略微降低(更高的導(dǎo)通損耗和更低的關(guān)斷損耗)。因此，總體比較取決于應(yīng)用的具體開關(guān)頻率。

TRICONEX 3636R在我們結(jié)束之前，讓我們看看半導(dǎo)體外殼的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖3顯示了通常密封在陶瓷外殼內(nèi)的典型IGCT晶片(左)和移除塑料外殼時的傳統(tǒng)IGBT的結(jié)構(gòu)(右)。

出于對生命的考慮，TRICONEX 3636R衰老當(dāng)然是一個話題。對現(xiàn)場使用的半導(dǎo)體進(jìn)行的研究、測試結(jié)果和分析表明，IGCT電源部件實際上不會老化。該裝置具有圓盤結(jié)構(gòu)(所謂的晶片),并且通過夾緊裝置施加壓力來產(chǎn)生電接觸。這消除了引線接合的需要。此外，IGCT內(nèi)部的材料在加熱和冷卻時有一定的“滑動”空間。在瑞士TRICONEX 3636R隧道施工期間，對礦井提升機(jī)應(yīng)用中的VFD進(jìn)行了特別分析。建造完成后，驅(qū)動裝置退役，IGCTs被送回制造商處進(jìn)行詳細(xì)分析。調(diào)查顯示幾乎沒有衰老的跡象。