一.引言

受限于成本與需求，我們經(jīng)?？梢砸姷竭@些“不對稱”的例子：原裝內(nèi)存是8G，但后期增加了一條16G內(nèi)存；原裝內(nèi)存是低頻率高時序內(nèi)存，但后期更換了一條高頻率低時序內(nèi)存；原裝內(nèi)存與加裝內(nèi)存品牌不一致，等等。

雖然，時至今日，電腦與內(nèi)存的技術(shù)日新月異，兩條不一樣的內(nèi)存理論上不會造成災難性的后果。但是，我們時常可以見到一些關(guān)于它們的兼容性、穩(wěn)定性與性能的質(zhì)疑。

本篇文章就將針對這個問題，重點測試各種不同組合的內(nèi)存所帶來的影響。

文中測試平臺配置：

CPU：銳龍 R9-5900HX @45W

GPU：Vega 8 @2.1Ghz

測試軟件：3DMark Timespy

Q：為什么選用筆記本進行測試？

A：因為筆記本對內(nèi)存兼容性的要求更高、內(nèi)部電磁環(huán)境復雜，所以有助于進行更嚴苛的測試。測試結(jié)果同樣適用于臺式機與準系統(tǒng)。

Q：為什么使用3DMark Timespy測試，而不是AIDA64？

A：因為在屢次的測試中，我發(fā)現(xiàn)AIDA64內(nèi)存測試無法很好地表現(xiàn)內(nèi)存性能的實際變化，明明實際性能有所變化，卻無法體現(xiàn)在測試結(jié)果上，有時還會引起誤導。

而Timespy主要測試顯卡的跑分。由于核顯性能高度依賴內(nèi)存性能，所以可以基于核顯分數(shù)的變化，來反推內(nèi)存帶寬的提升。由于CPU分數(shù)受波動較大、易受干擾，我們采用這種方式來間接推測內(nèi)存性能。

在內(nèi)存性能一致的情況下，核顯的分數(shù)波動在±2分以內(nèi)，而CPU的分數(shù)波動在±50分左右。因此，核顯測試誤差小、精度高，可以代表內(nèi)存性能的變化。

Q：如何排除內(nèi)存型號帶來的差異？

A：除追加測試外，文中只會使用兩套內(nèi)存進行測試，一套為單條16G的金士頓HyperX內(nèi)存條，另一套為單條8G的三星D-die原廠內(nèi)存條。這兩套內(nèi)存均為市場上的熱門型號。我們通過修改內(nèi)存條的SPD，來模擬出不同頻率、不同時序的內(nèi)存，從而排除不同內(nèi)存間所存在的干擾。

三.實測結(jié)果

0.基準：對稱雙通道測試

作為測試的基準，我們將分別使用雙8G、雙16G的對稱雙通道組合進行跑分。

在后續(xù)的測試中，我們將以測試成績與這些基準相比對，從而判斷內(nèi)存性能的變化。

雙8G內(nèi)存 CL22時序

雙16G內(nèi)存 CL22時序

雙8G內(nèi)存 CL17時序

1.不同品牌的8G+16G內(nèi)存混裝

8G+16G的“不對稱雙通道”組合，應該是日常中最常見的情況了。當筆記本板載8G內(nèi)存，或原裝配備單條8G內(nèi)存條時，很多值友都會選擇這樣的組合。

那么，這樣組合的性能如何呢？請看測試：

8G+16G內(nèi)存測試成績，CL22時序

分別與雙8G、雙16G對稱雙通道的成績進行比對：

可以看到，相比雙8G對稱雙通道的分數(shù)，8G+16G的核顯跑分低1分，CPU跑分高50+分，均處在誤差范圍內(nèi)。

而相比雙16G內(nèi)存，性能差距就大了，CPU足足差了180+分，核顯差距也有將近40分，可以認為，8G+16G的性能與雙8G相仿，完全不如雙16G內(nèi)存的組合。

經(jīng)過TM5 ABSOLUT內(nèi)存測試，8G+16G的組合能夠通過，但測試時間比較長。說明這樣不對稱的雙通道影響了性能，但仍然在穩(wěn)定兼容的范圍內(nèi)。當然，最好不要超頻！

10.不同頻率的內(nèi)存混裝

本次測試將使用兩條8G的內(nèi)存，向其中一條的SPD內(nèi)寫入2666Mhz頻率，而另一條則寫入3200Mhz頻率。本文測試平臺原生支持至高3200Mhz DDR4內(nèi)存。

請看測試結(jié)果：

與雙通道3200Mhz內(nèi)存相比較：

下方為雙3200Mhz組合

可以看到，相比雙3200Mhz內(nèi)存組合，2666+3200Mhz的組合性能顯著下降。

HWInfo顯示，兩條內(nèi)存均工作在2666（13.33x）Mhz

實際上，高頻率的內(nèi)存發(fā)生了降頻，使用HWInfo軟件可以看到，兩條內(nèi)存都實際工作在2666Mhz上，性能等同于雙通道2666Mhz內(nèi)存。

11.不同時序的內(nèi)存混裝

本次測試將使用兩條8G的內(nèi)存，向其中一條的SPD內(nèi)寫入3200Mhz CL22時序，而另一條則寫入3200Mhz CL17時序。

請看測試結(jié)果：

CL22與CL17的混裝測試成績

與雙8G CL22雙通和CL17雙通的測試成績比較：

可以看到，相比雙CL22內(nèi)存，CL17+CL22內(nèi)存混裝有及其微小的性能提升，但相比雙CL17內(nèi)存，則還是有巨大的性能差距。

不建議組建這樣的雙通道組合，不同時序的內(nèi)存混裝不但提高不了多少性能，還會帶來兼容性與穩(wěn)定性的雙重挑戰(zhàn)。

此外，一部分原生低時序內(nèi)存條與普通內(nèi)存混裝時，為確保兼容性，可能會觸發(fā)自動降頻。

100.追加：不同品牌的內(nèi)存混裝

假定內(nèi)存的容量、時序、頻率等均完全一致，僅僅是內(nèi)存的品牌不同，會造成什么影響呢？這里我加入了一條金士頓品牌、海力士顆粒的內(nèi)存，同三星原廠內(nèi)存進行測試。

請看測試結(jié)果：

與雙通道三星原廠內(nèi)存的測試成績比較：

可以看到，混裝不同品牌內(nèi)存，CPU分數(shù)基本維持在同一水平，而顯卡分數(shù)則略微上升了一些，基本可以認為在測試誤差范圍內(nèi)。

與此同時，這種組合同樣通過了TM5 ABSOLUT測試，可以認為并不會有兼容性與可靠性問題。

由此可見，不同品牌，但容量、時序、頻率等參數(shù)完全相同的內(nèi)存條，可以放心地組建雙通道，一般不會造成性能損失。

四.總結(jié)

看完全部測試之后，相信大家心中已經(jīng)有了結(jié)果。

不同品牌，但容量、頻率、時序均完全相同的內(nèi)存，可以放心組建雙通道。

而不同容量的內(nèi)存組建雙通道，則會有一些性能損失，不過仍然在兼容的范圍內(nèi)。除非囊中羞澀或板載內(nèi)存，否則還是推薦選擇容量及顆粒布局一致的內(nèi)存組建雙通道。

不同頻率的內(nèi)存組建雙通道，則所有內(nèi)存都會工作與最低頻內(nèi)存相同的頻率下。

任何時候，都不推薦使用不同時序的內(nèi)存組建雙通道。這往往會對穩(wěn)定性和兼容性帶來挑戰(zhàn)。

本文中的內(nèi)存均為@WittmanARC 自費購買測試，如需轉(zhuǎn)載需征得同意。希望這篇文章的內(nèi)容對你有所幫助！如果你還有任何相關(guān)的問題，隨時歡迎在評論區(qū)交流，我會盡力給予解答。