近期的內(nèi)存市場確實(shí)出現(xiàn)了一系列令人興奮的變化，尤其是DDR5內(nèi)存的普及和價格下降。海力士的A-Die顆粒在這方面起到了重要的推動作用，使得更多高頻率的DDR5內(nèi)存進(jìn)入了平價市場段。在選擇購買DDR5內(nèi)存時，除了價格因素，還有其他一些關(guān)鍵因素需要考慮。首先，要確保選擇的內(nèi)存套裝具備良好的品質(zhì)和穩(wěn)定性，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。其次，要注意內(nèi)存的頻率和時序。高頻率的DDR5內(nèi)存可以提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的性能表現(xiàn)。這次給大家推薦的光威天策二代DDR5 6400 內(nèi)存是一個不錯的選擇。它具備DDR5超頻運(yùn)行，同時還帶有燈條效果，可謂是性價比十足。

光威天策二代DDR5 6400的上線確實(shí)為玩家?guī)砹肆钊苏駣^的6400MHz超高頻率性能體驗(yàn)。白色淡雅的裝機(jī)搭配使得整個電腦更加時尚大氣，在游戲場景中能夠帶來卓越的性能表現(xiàn)，讓用戶占據(jù)先機(jī)，穩(wěn)步制霸賽場。

光威天策二代DDR5 6400支持最新的12和13代CPU，DDR5內(nèi)存相比DDR4內(nèi)存擁有2倍的Banks和Bank Groups數(shù)量，達(dá)到了32 Banks，并且Burst Length提升至16個，這不僅增加了內(nèi)存顆粒容量的大小，還能更快地滿足大量數(shù)據(jù)傳輸需求，提供更強(qiáng)大的處理性能。此外，還加入了糾錯機(jī)制，將ECC功能直接集成到芯片中，與DDR4需要通過CPU進(jìn)行修正相比，這樣可以更加穩(wěn)定地運(yùn)行。DDR5內(nèi)存可以自動檢測并修正數(shù)據(jù)存儲和運(yùn)行期間產(chǎn)生的錯誤，這有助于確保在高頻率運(yùn)行時的穩(wěn)定性，并減輕了CPU的負(fù)擔(dān)。這種糾錯機(jī)制確保了產(chǎn)品的出色表現(xiàn)和更高的穩(wěn)定性。

這款內(nèi)存板載了全新的PMIC電源管理芯片，通過強(qiáng)化電源供電，實(shí)現(xiàn)了更加穩(wěn)定的電源負(fù)載。這有效提高了內(nèi)存的運(yùn)行穩(wěn)定性，為用戶提供了更加穩(wěn)定的使用體驗(yàn)。值得注意的是，DDR5內(nèi)存的PMIC支持不鎖電壓功能。這意味著用戶可以根據(jù)自己的需求進(jìn)行超頻，而不需要受限于固定的電壓設(shè)置。這為玩家提供了更加優(yōu)質(zhì)的穩(wěn)定超頻體驗(yàn)，可以根據(jù)個人要求提升內(nèi)存性能。這種靈活性能夠滿足不同用戶的需求，并使得超頻過程更加簡單方便。

光威天策二代DDR5 6400不僅僅提供了出色的性能，還支持AMD EXPO和Intel的XMP3.0技術(shù)，通過一鍵超頻功能，可以輕松地將內(nèi)存頻率提升到更高的水平，以達(dá)到更強(qiáng)的性能表現(xiàn)。這個方便的功能能夠讓用戶更加舒適地享受游戲和應(yīng)用程序的運(yùn)行體驗(yàn)。無論是在游戲中還是在處理復(fù)雜任務(wù)時，天策系列雙條套裝都能提供強(qiáng)大的性能支持，讓電腦能夠游刃有余。

這款DDR5超低時序的電競內(nèi)存經(jīng)過了嚴(yán)格的挑選和多重流程特挑，以提供高性能的體驗(yàn)。官方始終秉承著“玩家至上，高超性能”的理念，致力于追求卓越。該內(nèi)存選用了海力士A-Die顆粒，這種顆粒在高達(dá)6400MHz的頻率下，能夠?qū)崿F(xiàn)低至CL32的時序，為玩家解鎖更強(qiáng)悍的產(chǎn)品性能。通過使用這種顆粒，內(nèi)存能夠以更快的速度訪問數(shù)據(jù)，并提供更穩(wěn)定的性能，讓玩家在游戲中能夠得到更順暢的體驗(yàn)。

這款內(nèi)存的超頻空間確實(shí)非常強(qiáng)大，潛力十足。DDR5基頻為4800MHz，開啟XMP為6400MHz，用戶可以自己設(shè)定，該內(nèi)存選用了經(jīng)過嚴(yán)格挑選的超頻強(qiáng)性能顆粒，可以在主板、處理器和其他硬件適配的情況下，以低時序的方式超頻至更高的頻率。這種超頻潛力能夠?yàn)橥婕規(guī)頍o限的可玩性。通過將內(nèi)存頻率更高地超頻，進(jìn)一步提升系統(tǒng)的性能，使其能夠更好地處理復(fù)雜任務(wù)和運(yùn)行要求較高的應(yīng)用程序。無論是在游戲中還是進(jìn)行其他計算密集型操作時，這種超頻能夠?yàn)橛脩魩砀槙车捏w驗(yàn)和更出色的性能表現(xiàn)。

光威天策二代DDR5 6400的燈光效果真的很炫彩和吸引人。乳白色的燈帶結(jié)合彩虹色的ARGB燈光，創(chuàng)造出了一種平滑而柔和的燈效。這樣的設(shè)計給人一種獨(dú)特而令人贊嘆的感覺。這樣的內(nèi)存套條無疑為電腦增添了一份時尚和個性，在使用中享受到這款內(nèi)存的高性能和迷人的燈光效果！

性能表現(xiàn)

光威天策二代DDR5 6400 安裝在技嘉（GIGABYTE）小雕WIFI B760M AORUS ELITE AX主板上還是非常協(xié)調(diào)的，在這塊需要注意的是，安裝內(nèi)存是要盡量選擇A2和B2兩個通道，說白了就是離CPU比較遠(yuǎn)的通道，這樣可以有效避免高頻信號干擾，使內(nèi)存運(yùn)行更為穩(wěn)定，超頻能力潛力更大。

首先介紹下測試的硬件

處理器 Intel Core i5-13600K

內(nèi)存 32 GB 16GX2 光威天策二代DDR5 6400

顯卡 NVIDIA GeForce GTX 1050 Ti(4 GB/影馳)

主板 技嘉（GIGABYTE）小雕WIFI B760M AORUS ELITE AX

顯示器 冠捷AOC3202Q32N2(31.6 英寸)

主硬盤 毀滅者 HD700 512GB NVMe SSD(512 GB/固態(tài)硬盤)

通過魯大師測評，在主板BIOS開啟XMP的情況下，這款內(nèi)存的分?jǐn)?shù)達(dá)到了：356384。

為了更嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y試，使用了AIDA64硬件檢測工具進(jìn)行測試，在BIOS中啟用XMP后內(nèi)存自動超頻到DDR5 6400MHz，內(nèi)存的讀取速度為：93802MB/s，寫入速度為：88961MB/s，復(fù)制速度為：87539MB/s，內(nèi)存延遲為：66.3ns。

總結(jié)

光威天策二代DDR5 6400是一款出色的高性能內(nèi)存產(chǎn)品。通過使用DDR5技術(shù)，它提供了更高的帶寬和更快的數(shù)據(jù)傳輸速度。內(nèi)存板載的PMIC電源管理芯片強(qiáng)化了電源供電，提高了運(yùn)行的穩(wěn)定性，為用戶提供了更加穩(wěn)定的使用體驗(yàn)。同時，不鎖電壓的PMIC支持使得超頻變得更加靈活和方便。在我們的測試中，該內(nèi)存在各項(xiàng)性能指標(biāo)上表現(xiàn)出色，無論是日常應(yīng)用、多任務(wù)處理還是游戲體驗(yàn)都能夠滿足用戶的需求,是一款值得推薦的高端內(nèi)存產(chǎn)品。