聊到雷克沙，我想國內(nèi)不少玩家對其高端存儲卡、固態(tài)硬盤以及便攜儲存都不陌生，特別是SSD，便宜大碗保修好加上性能亮眼的特點讓人印象深刻，管家也不例外；最近管家入手了雷克沙的ARES戰(zhàn)神 1TB固態(tài)硬盤，在這里給大伙做個簡單開箱試玩分享一下~

開箱部分

和之前NM800PRO的黑金配色不同，雷克沙ARES 1TB（下文簡稱“ARES 1TB”）使用了黑+紅的標準GAMING配色，第一眼就相當醒目，而包裝信息也一如既往的簡潔明了，從包裝可以看到，ARES 1TB標稱讀取速度最高可達7400MB/s，是PCIE4.0固態(tài)的旗艦水平了。

包裝正面

標稱讀取高達7400MB/s

ARES戰(zhàn)神系列

包裝背面

主要特點

5年質(zhì)保

中國制造

全套附件一覽

在附件方面，ARES 1TB除了基本箱說和固態(tài)硬盤本體外，還包含了一顆備用安裝螺絲，由于固態(tài)硬盤產(chǎn)品屬于配件類，玩家可以做到上手即用；當然了，對于高性能M.2固態(tài)硬盤產(chǎn)品來說，管家還是建議玩家自備散熱片以提升工作時的可靠性。

產(chǎn)品細節(jié)

ARES 1TB的機身尺寸為標準的2280，PCB采用單面上料設(shè)計，平臺兼容性會相對雙面上料更好一些，而PCB正面覆蓋的并非一般貼紙，是雷克沙定制的石墨烯復合材料散熱貼，在無法加裝散熱器的情況也能保證基本的散熱表現(xiàn)，提升設(shè)備可靠性。

產(chǎn)品正面

支持PCIE X4的M KEY接口

固態(tài)硬盤背面銘牌貼紙

中國制造

PCB部分，ARES 1TB的PCB正面主要為一顆MAXIO聯(lián)蕓MAP1602主控和2顆江波龍longsys自封的3D NAND顆粒；該方案有不少廠家使用，固件層面相比早期MAXIO產(chǎn)品有了明顯改進，表現(xiàn)更加穩(wěn)定可靠。

卸除石墨烯復合材料散熱貼

固態(tài)硬盤PCB本體

MAXIO聯(lián)蕓MAP1602使用12納米工藝制造，是一顆ARM R5內(nèi)核SSD主控，支持PCIE4.0+NVME2.0+自家第三代Aglie ECC，主控本身為無外置緩存方案并采用HMB3.0技術(shù)，可搭配TLC/QLC組建方案，主控理論順序讀寫最高可達7400MB/s和6500MB/s；相比同期其他PCIE4.0高速方案，MAP1602在溫度上會低一點。

在ARES 1TB的實際方案上，主控支持協(xié)議版本為NVME1.4，標稱順序讀寫和主控理論速度一致。

MAXIO聯(lián)蕓MAP1602主控

MAP1602技術(shù)參數(shù)

FAEEZA字樣芯片（PMIC）

ARES 1TB采用江波龍longsys自封YMTC長江儲存第四代TLC顆粒，顆粒型號為RY18TAA1442512G，顆粒傳輸速率為2400MT/s；ARES 1TB標稱寫入壽命上限為1000TBW，并擁有5年質(zhì)保，可靠性上非常不錯。

Longsys江波龍自封顆粒

上機~上機~

測試使用主板自帶散熱片

基準性能測試

本次測試平臺和上次一樣，使用管家新近自購的R5 7600+B650 EDGE WIFI組合，關(guān)閉PBO+CPU全核5.4Ghz 1.15v，內(nèi)存超至6000MHz CL30/FCLK2000MHz，WIN10系統(tǒng)版本為22H2（19045.2846）；ARES 1TB安裝至直連CPU通道的M.2槽+使用主板自帶散熱片，測試環(huán)境為廣東5月上旬，此時室溫讀數(shù)24~25度。

室溫25度

CPUZ截圖

在flash id軟件中我們可以看到，ARES 1TB使用來自YMTC長江儲存的第四代3D TLC顆粒，和之前介紹描述相同。

Flash id截圖

在CrystalDiskInfo中，管家手上的這片ARES 1TB固件版本為9597，支持NVME 1.4協(xié)議和S.M.A.R.T.、TRIM和volatile write cache等，此時ARES 1TB傳輸模式為PCIE 4.0 x4，工作狀態(tài)正常。

CrystalDiskInfo截圖

在CrystalDiskMark 1G項目中，ARES 1TB的實際順序讀寫超過標稱水平，實際成績?yōu)?461.70MB/s和6633.00MB/s，4K讀取為75.84M/s；64GB項目中，整體性能略微降低，順序讀取為7027.39MB/s，順序?qū)懭霝?430.01MB/s，4K讀取為46.03MB/s；從理論性能角度來看，ARES 1TB達到PCIE 4.0時代的旗艦水平。

CrystalDiskMark 1G

CrystalDiskMark 64G

和之前一樣，由于算法問題，AS SSD Benchmark跑分會比CrystalDiskMark低一些，ARES 1TB在AS SSD Benchmark 1GB下取得了9012總分，其中順序讀取6362.61MB/s，順序?qū)懭?768.61MB/s，4K讀取86.55MB/s；而10GB成績部分則和CrystalDiskMark64G相反，順序讀取沒變化，而順序?qū)懭雱t提升至于6006.55MB/s，而4K讀取則為68.50MB/s。

AS SSD Benchmark 1GB

AS SSD Benchmark 10GB

來到TxBENCH0.98b項目，順序讀取7171.455MB/s，而寫入一度達到6729.620MB/s，寫入部分明顯超越標稱水平，而4K部分性能則為72.813MB/s，成績相當亮眼。

TxBENCH0.98b

ATTO磁盤基準測試項目，軟件版本為4.0，無論256MB還是32GB文件大小測試中，在512KB~64MB部分，從512KB開始讀寫分別維持在6.1GB/s和6.90GB/s狀態(tài)，速度相比AS SSD要高又略低于CrystalDiskMark，可見各家軟件算法對結(jié)果影響還是比較大的。

ATTO 256MB

ATTO 32GB

SLC Cache大小+全盤寫入測試

測試方法跟早前沒有變化，流程為使用主板BIOS對測試盤執(zhí)行安全擦除，之后通過TxBENCH RAW模式自定義高級測試中的執(zhí)行全盤寫入，通過該方法得出空盤狀態(tài)下SLC cache大小及速度變化。

自定義全盤寫入

速度變化/寫入時間折線圖

實際降速對應位置

全速SLC cache大小

第二次速度下降位置

第二次速度下降位置約為628.15G

ARES 1TB實際SLC cache容量相當充裕，在開始寫入29秒前一直維持在6500~6000MB/s寫入速度，到達29秒后速度開始下降，此時寫入量為162910437376bytes，換算后得出結(jié)果是：ARES 1TB全速SLC cache約為151~154G。

在全速SLC cache耗盡后寫入速度會維持在1700~1600MB/s附近，直到寫入總量達到628G后，固態(tài)硬盤寫入速度會再次下降至750~650MB/s直到寫入結(jié)束。

溫度測試

按照慣例，管家使用CrystalDiskInfo進行溫度監(jiān)控，對TxBENCH執(zhí)行全盤寫入10分鐘和CrystalDiskMark64G跑分寫入項目進行刷新截圖，同時記錄在測試完成后待機10分鐘的溫度；重申此時為廣東5月上旬室溫24~25度，散熱為主板自帶。

ARES 1TB溫度保護為90度

CrystalDiskMark64G寫入測試時為66度

TxBENCH執(zhí)行全盤寫入10分鐘為65度

負載后靜置10分鐘后為42度

在溫度測試中，經(jīng)過10分鐘左右全盤寫入測試ARES 1TB溫度保持在65度，CrystalDiskMark 64GB寫入跑分中，溫度為66度；負載后靜置待機10分鐘后溫度讀數(shù)為42度；管家認為，ARES 1TB溫度表現(xiàn)在一眾同期競品中算是比較低的，尤其是對于同期的群聯(lián)和英韌方案來說，但這種相對低溫仍然是建立在安裝主板原配散熱片的基礎(chǔ)上的，為了設(shè)備工作可靠性還是裝上散熱吧~

結(jié)語：底氣十足的國產(chǎn)方案

在這次開箱試玩中，雷克沙ARES戰(zhàn)神1TB固態(tài)硬盤的表現(xiàn)是可圈可點的，在AMD平臺下，得出實際7461.70MB/s和6633.00MB/s的順序讀寫性能，略微超越了標稱速度，性能達到PCIE4.0峰值水平；在25度室溫環(huán)境下，配合主板原配散熱片，全盤寫入和跑分都維持在65度，發(fā)熱相比英韌方案和群聯(lián)方案略低；1TB版本擁有標稱1000TBW寫入上限和5年質(zhì)保，在可靠性上值得認可；作為一款純粹國產(chǎn)方案的固態(tài)硬盤能做到旗艦性能水平實屬不易，希望國內(nèi)廠商再接再厲。

管家認為，雷克沙ARES戰(zhàn)神1TB是一款性能優(yōu)秀、量大管飽的PCIE4.0固態(tài)硬盤，適合硬件發(fā)燒友和電競游戲玩家選擇。