IT之家（故淵）

IT之家 6 月 24 日消息，根據(jù)國(guó)外科技媒體 MacRumors 報(bào)道，蘋(píng)果今年推出的 iPhone 15 Pro 和 iPhone 15 Pro Max 均搭載 A17 Bionic 處理器和明年推出的 A17 版本存在差異：前者采用臺(tái)積電 N3B 工藝，而后者采用增強(qiáng)版 N3E 工藝。

相比較基于 5nm 工藝的 A14、A15 和 A16 芯片，蘋(píng)果本次推出的 A17 Bionic 首次采用 3nm 制造工藝。

報(bào)道稱(chēng) iPhone 15 Pro 系列所用 A17 Bionic 采用 N3B 工藝，而明年推出的機(jī)型將全面切換到 N3E 工藝。

IT之家此前報(bào)道，臺(tái)積電談到了 3nm 基礎(chǔ)版 (N3B) 節(jié)點(diǎn)以及 3nm 增強(qiáng)型 (N3E) 的部分?jǐn)?shù)據(jù)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，N3E 是 N3B 稍微“廉價(jià)”一些的版本，放在最終芯片上可以說(shuō)相比性能更注重的是功耗控制方面。對(duì)于新的 N3E 節(jié)點(diǎn)，高密度 SRAM 位單元尺寸并沒(méi)有縮小，依然是 0.021 μm2，這與 N5 節(jié)點(diǎn)的位單元大小完全相同。

在 IEDM 期間，臺(tái)積電透露 N3B 的 CGP 為 45nm，是迄今為止透露的最密集的。這領(lǐng)先于 Intel 4 的 50nm CGP、三星 4LPP 的 54nm CGP 和臺(tái)積電 N5 的 51nm CGP。

由于 N3B 未能達(dá)到臺(tái)積電的性能、功率和產(chǎn)量目標(biāo)，因此開(kāi)發(fā)了 N3E。其目的是修復(fù) N3B 的缺點(diǎn)。

第一個(gè)重大變化是金屬間距略有放松。臺(tái)積電沒(méi)有在 M0、M1 和 M2 金屬層上使用多重圖案化 EUV，而是退縮并切換到單一圖案化。

在 IEDM 期間，臺(tái)積電透露 N3E 的位單元尺寸為 0.021 μm2，與 N5 完全相同。這對(duì) SRAM 來(lái)說(shuō)是毀滅性的打擊。由于良率，臺(tái)積電放棄了 SRAM 單元尺寸而不是 N3B。

N3B 實(shí)裝了 SRAM 縮放，其單元大小僅有 0.0199μm2，相比上一個(gè)版本縮小了 5%。N3E 的內(nèi)存密度（ISO-assist circuit overhead）大約為 31.8 Mib / mm2。