氮化鎵功率晶體管 器件、電路與應(yīng)用(原書第3版)
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1)美國EPC公司CEO、國際整流器公司原CEO著作,全彩色印刷,理解GaN晶體管結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用的實用指南。
2)系統(tǒng)全面介紹氮化鎵(GaN)技術(shù)及其應(yīng)用的經(jīng)典著作,獲得了國際上眾多知名專家的推薦。
3)第3版更新了35%的內(nèi)容,包括散熱管理、多電平變換器、高諧振無線電源和激光雷達等新章節(jié)。
4)在使用GaN晶體管構(gòu)建功率變換系統(tǒng)時,提供了有關(guān)特定電路的實用設(shè)計。
5)適合從事GaN功率半導體技術(shù)研究的科研工作者、工程師、高年級本科生和研究生使用,對于從事其他功率半導體技術(shù)的研究也具有借鑒意義。
內(nèi)容簡介
《氮化鎵功率晶體管——器件、電路與應(yīng)用(原書第3版)》共17章,第1章概述了氮化鎵(GaN)技術(shù);第2章為GaN晶體管的器件物理;第3章介紹了GaN晶體管驅(qū)動特性;第4章介紹了GaN晶體管電路的版圖設(shè)計;第5章討論了GaN晶體管的建模和測量;第6章介紹了GaN晶體管的散熱管理;第7章介紹了硬開關(guān)技術(shù);第8章介紹了軟開關(guān)技術(shù)和變換器;第9章介紹了GaN晶體管射頻性能;第10章介紹了DC-DC功率變換;第11章討論了多電平變換器設(shè)計;第12章介紹了D類音頻放大器;第13章介紹了GaN晶體管在激光雷達方面的應(yīng)用;第14章介紹了包絡(luò)跟蹤技術(shù);第15章討論了高諧振無線電源;第16章討論了GaN晶體管的空間應(yīng)用;第17章分析了GaN晶體管替代硅功率晶體管的原因。
《氮化鎵功率晶體管——器件、電路與應(yīng)用(原書第3版)》適合作為從事GaN功率半導體技術(shù)研究的科研工作者、工程師、高年級本科生和研究生的參考書,也可以作為高等院校微電子科學與工程、集成電路科學與工程、電力電子技術(shù)專業(yè)的教材。
作者簡介
Alex Lidow博士,美國宜普電源轉(zhuǎn)換(EPC)公司CEO、國際整流器公司原CEO,獲得斯坦福大學博士學位。
Michael de Rooij博士,美國EPC公司應(yīng)用工程副總裁,獲得約翰內(nèi)斯堡大學博士學位。
Johan Strydom博士,美國德州儀器公司Kilby實驗室的高級開發(fā)經(jīng)理,獲得約翰內(nèi)斯堡大學博士學位。
David Reusch博士,美國VPT公司首席科學家,獲得弗吉尼亞理工大學博士學位。
John Glaser,美國EPC公司應(yīng)用工程總監(jiān)。