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STTH30ST06-Y意法車規(guī)MOS管\原裝現(xiàn)貨\ASEMI代理

型號：STTH30ST06-Y

品牌：ASEMI

封裝：TO-247-2L

最大漏源電流：30A

漏源擊穿電壓：600V

RDS（ON）Max：0.24Ω

引腳數(shù)量：2

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

特性：車規(guī)級MOS管

恢復(fù)時間：25ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：中低壓MOS管

工作結(jié)溫：-40℃~175℃

STTH30ST06-Y車規(guī)級場效應(yīng)管

STTH30ST06-Y的電性參數(shù)：最大漏源電流30A；漏源擊穿電壓600V

強元芯電子原廠渠道代理各種車規(guī)級MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。