磁性納米粒子修飾二硫化鉬納米片F(xiàn)e3O4@MoS2/PEI修飾的二硫化鉬納米復(fù)合物的研究制備
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磁性層狀二硫化鉬納米片的制備方法,包括步驟一:將二硫化鉬加入至剝離溶劑中,配成初始濃度為0.5~2mg/ml的二硫化鉬分散液,然后在25~35℃下對所述二硫化鉬分散液進(jìn)行超聲分散0.5~8h;其中,所述剝離溶劑的表面張力范圍為25℃下測得的40~65mJ/m<sup>2</sup>;步驟二:將經(jīng)過超聲分散后的二硫化鉬分散液進(jìn)行離心,取離心后的上層懸浮液過濾,獲得的濾餅在60~100℃在真空干燥箱中,加熱干燥.本發(fā)明采用化學(xué)溶劑法結(jié)合超聲振蕩條件進(jìn)行原子層間剝離,實(shí)現(xiàn)具有較強(qiáng)的鐵磁性能的二維層狀二硫化鉬納米片剝離與制備.該方法工藝簡單易操作,成本低,產(chǎn)率較高.
磁鐵礦是一種半金屬,居里溫度高達(dá)858K,使其成為磁隧道結(jié) (MTJ) 的有希望的候選者。然而,在 Fe3O4/MgO/Fe3O4MTJ 結(jié)構(gòu)中利用其半金屬性質(zhì)的初步努力遠(yuǎn)未取得希望。在Fe3O4層和阻擋層之間的界面處尋找合適的阻擋層材料,保持Fe3O4的半金屬性質(zhì),是該領(lǐng)域的主要挑戰(zhàn)之一。為此目的,二維 (2D) 材料可能是很好的候選材料。二硫化鉬 (MoS2) 是一種過渡金屬二硫化物 (TMD) 半導(dǎo)體,具有獨(dú)特的電子、光學(xué)特性。在這里,我們根據(jù)第一性原理計(jì)算表明,F(xiàn)e3O4 在 MoS2 和 Fe3O4 之間的界面處保持幾乎完全自旋極化的電子帶。我們還首次嘗試制造 Fe3O4/MoS2/Fe3O4MTJ。在 200 K 以下觀察到清晰的隧道磁阻 (TMR) 信號。因此,我們的實(shí)驗(yàn)和理論研究表明,MoS2 可以成為 Fe3O4 基 MTJ 的良好勢壘材料。
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RXYWX.2022.6.22