近日，睿創(chuàng)微納全資子公司英飛睿研制成功K波段衛(wèi)通相控陣平板天線子陣試驗(yàn)樣機(jī)，實(shí)現(xiàn)了雙波束衛(wèi)星相控陣子陣的工程化突破。

雙波束控制的實(shí)現(xiàn)，使得終端設(shè)備可以更好地滿足與星座系統(tǒng)中多顆衛(wèi)星保持鏈接的需求，增強(qiáng)設(shè)備聯(lián)通效率，擴(kuò)展網(wǎng)絡(luò)覆蓋，降低通信延遲。

△?樣機(jī)暗室測(cè)試

△?樣機(jī)實(shí)物圖

該子陣樣機(jī)已完成暗室校準(zhǔn)測(cè)試工作，子陣設(shè)計(jì)為圓極化，通過(guò)對(duì)子陣垂直極化和水平極化的方向圖校準(zhǔn)測(cè)試，合成圓極化方向圖。通過(guò)測(cè)試和校準(zhǔn)軸比，達(dá)到了設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。1.?工作頻率17.7GHz～21.2GHz2.?極化方式右旋圓極化（可調(diào)）3.?掃描范圍±60°4.?陣列規(guī)模8 x 85.?有源通道數(shù)64 RX6.?波束數(shù)27.?工作體制連續(xù)波8.?接收通道增益≥20dB9.?接收G/T值≥-6.5dB/K（法向）10.?第一旁瓣（法向）方位角≤-13dB（不加權(quán)）；俯仰角≤-13dB（不加權(quán)）11.?波束寬度方位≤13°±0.5°；俯仰≤13°±0.5°12.?軸比≤2（0°）；≤3（30°）；≤6（60°）13.?電壓駐波比≤214.?重量≤85g15.?陣面最大尺寸60mm×60mm×6mm

△?天線子陣技術(shù)指標(biāo)

△?圓極化方位掃描方向圖

△?19.1GHz 垂直/水平/圓極化H面掃描方向圖

△?垂直/水平/圓極化 （法向）

此次突破的核心是采用睿創(chuàng)微納子公司芯揚(yáng)聚陣研制的K波段8通道雙波束模擬相控陣接收芯片。該芯片在多通道、多波束、小尺寸、低功耗等方面實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破，性能已達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平，為后續(xù)產(chǎn)品的研制開(kāi)發(fā)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。FA8261 K波段8通道

模擬相控陣接收芯片技術(shù)指標(biāo)

接收通道路數(shù)：8路/線極化
輸出波束路數(shù)：2波束
信號(hào)頻率范圍：17.5~21.2GHz
溫度傳感器精度：±2.5°C
單路輸入P-1dB：-28dBm
單路增益：12~25.5dB可調(diào)
增益溫度穩(wěn)定性：±2dB@-45~125°C
帶內(nèi)雜散：≤-70dBc
噪聲系數(shù)：≤4dB
移相范圍：360°
移相精度：5.625°
移相RMS誤差：≤2°
衰減范圍：0~15.5dB@0.5dB步進(jìn)
RMS衰減精度：0.3dB
通道間相位一致性：≤5°
通道隔離度：≥30dB
控制接口：SPI
控制響應(yīng)時(shí)間：1.5ns
工作電壓：2V
芯片功耗：0.41W/雙波束工作狀態(tài)

芯片尺寸：6.4mm×5.2mm

英飛睿是睿創(chuàng)微納全資子公司，業(yè)務(wù)主要布局微波T/R組件和相控陣天線子陣，具備完整的研發(fā)和生產(chǎn)能力?？上蚩蛻籼峁┫盗形⒉ā⒑撩撞═/R組件和相控陣天線子陣產(chǎn)品，主要覆蓋X、Ku、K、Ka波段，可廣泛應(yīng)用于相控陣?yán)走_(dá)、衛(wèi)通地面終端、衛(wèi)星載荷及5G/6G NTN通信等領(lǐng)域。公司擁有T/R組件自動(dòng)化制造與檢驗(yàn)平臺(tái)、近遠(yuǎn)場(chǎng)微波暗室等配套設(shè)施，目前批量產(chǎn)能可達(dá)20萬(wàn)通道/年，核心技術(shù)自主可控，產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。英飛睿將繼續(xù)加大衛(wèi)星通信領(lǐng)域的投入，積極參與產(chǎn)業(yè)建設(shè)，推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新，以開(kāi)放合作的態(tài)度，與更多伙伴一起攜手，共同推動(dòng)行業(yè)蓬勃發(fā)展。