6月30日，三星電子在官網(wǎng)宣布，該公司已經(jīng)開始在其位于韓國的華城工廠已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)3nm制程半導(dǎo)體芯片，是全球首家量產(chǎn)3nm芯片的公司。

根據(jù)三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了前幾代使用的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。

與5nm相比，新開發(fā)的3nm工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能。

另外三星表示，第二代3nm GAA制造工藝也正在研發(fā)中，第二代工藝將使芯片功耗降低達50%，性能提高30%，面積減少35%。