PEG修飾紅色I(xiàn)nP/ZnS量子點的研究：

InP量子點被認(rèn)為是最有希望替代Cd基量子點的材料。然而對于InP量子點的制備和性質(zhì)的研究遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于Cd基量子點的研究,特別是其光學(xué)性方面的研究。本文采用一鍋法制備了晶格質(zhì)量良好,光學(xué)性能優(yōu)異的InP/ZnS量子點,通過TEM圖像確認(rèn)制備出了的InP核的尺寸約為3 nm,晶格間距與閃鋅礦結(jié)構(gòu)的InP(111)晶面間距一致;通過變功率的光譜測試以及拉曼測試,認(rèn)定InP/ZnS中存在兩個發(fā)光來源,高能端的來源于自由激子的躍遷,低能端的來源于界面應(yīng)力產(chǎn)生的缺陷。

瑞禧小編推薦-peg/g-c3n4量子點復(fù)合熒光納米微球(g-cnqds-peg)的制備

(1)將1gg-c3n4粉末加入有80ml5mhno3的蒸餾燒瓶中回流26h，將溶液蒸干后得到的白色粉末水洗至中性，然后置于70℃的真空干燥箱中干燥20min，得到硝酸氧化的g-c3n4(g-c3n4-hno3)。

(2)取100mgg-c3n4-hno3和200mgpeg1500n加入50ml去離子水中，超聲30min，將混合液置于100ml的高壓反應(yīng)釜中，在200℃下水熱反應(yīng)10h，冷卻至室溫，用0.22μm濾膜過濾后取溶液、經(jīng)透析、冷凍干燥后得到g-cnqds-peg。

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RXYWX.2022.10.28