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IPB072N15N3G-ASEMI代理英飛凌高壓MOS管IPB072N15N3G

型號：IPB072N15N3G

品牌：英飛凌

封裝：TO-263

最大漏源電流：31A

漏源擊穿電壓：600V

RDS（ON）Max：99mΩ

引腳數(shù)量：3

芯片個數(shù)：

溝道類型：N溝道MOS管、高壓MOS管

漏電流：ua

特性：N溝道MOS管、場效應(yīng)管

工作溫度：-55℃~150℃

備受歡迎的IPB072N15N3G MOS管

??ASEMI代理英飛凌品牌IPB072N15N3G是采用工藝芯片，該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力，能夠持續(xù)保證了IPB072N15N3G的最大漏源電流31A，漏源擊穿電壓600V.

?細節(jié)體現(xiàn)差距

IPB072N15N3G,ASEMI品牌，工藝芯片，工藝制造，該產(chǎn)品穩(wěn)定性高，抗沖擊能力強。

IPB072N15N3G具體參數(shù)為：最大漏源電流：31A，漏源擊穿電壓：600V，反向恢復時間： ns，封裝：TO-263