高通量材料計算——【功函數(shù)計算】內(nèi)附MatCloud+詳細操作教程




01上傳結(jié)構(gòu)模型
點擊CsPbI3 (1 0 0) 下載對應(yīng)表面結(jié)構(gòu),或?qū)胱远x的表面結(jié)構(gòu),將結(jié)構(gòu)從本地上傳至平臺數(shù)據(jù)庫。

02搭建功函數(shù)計算工作流
點擊【輸入控制】,將【通用導(dǎo)入組件】拖拽至右邊的工作流設(shè)計頁面;
點擊【模板】—【VASP】,將組件【結(jié)構(gòu)優(yōu)化】、【靜態(tài)計算】拖拽至工作流設(shè)計頁面,如下圖所示:

03設(shè)置計算參數(shù)并提交
【通用導(dǎo)入組件】參數(shù)設(shè)置
單擊【通用導(dǎo)入組件】組件設(shè)置按鈕[...],單擊[參數(shù)設(shè)置],選擇[從數(shù)據(jù)庫導(dǎo)入],將CsPbI3結(jié)構(gòu)導(dǎo)入【通用導(dǎo)入組件】后,單擊[保存]按鈕。
【結(jié)構(gòu)優(yōu)化】參數(shù)設(shè)置
單擊【結(jié)構(gòu)優(yōu)化】組件設(shè)置按鈕[...],單擊[參數(shù)設(shè)置]。
① Geometry Optimization參數(shù)設(shè)置:
{Convergence Tolerance}:采用力收斂標(biāo)準(zhǔn)(Force),手動更改值為0.01。
② General Setting 參數(shù)設(shè)置:
{Energy Cutoff}:手動輸入數(shù)字,參數(shù)設(shè)置為450。
【靜態(tài)計算】參數(shù)設(shè)置
【靜態(tài)計算】同【結(jié)構(gòu)優(yōu)化】參數(shù)更改一致,將{Energy Cutoff}設(shè)置為450 eV。計算功函數(shù)需要加入特殊參數(shù),詳細內(nèi)容如下。
①{Customized}參數(shù)設(shè)置:
分別在左右兩個輸入框添加參數(shù)LVHAR和.TRUE.(注意有英文狀態(tài)下的點,此參數(shù)用于輸出計算功函數(shù)所需的LOCPOT文件),確認無誤后單擊[保存]按鈕,提交計算。
04計算結(jié)果下載及后處理
MatCloud+平臺的【靜態(tài)計算】結(jié)果,可視化的呈現(xiàn)計算體系能量、Bader電荷、功函數(shù)和收斂詳情情況,本例中靜態(tài)計算功函數(shù)直接輸出對應(yīng)數(shù)值,步驟如下:
1) 計算結(jié)束后,點擊【靜態(tài)計算】計算結(jié)果,頁面直接輸出功函數(shù)數(shù)值4.609 eV,與文獻的數(shù)值(下圖高亮數(shù)值)基本一致。

功函數(shù)的計算教程到此就結(jié)束了,想要獲得詳細的操作內(nèi)容請私信我們。