LTC?4229 通過控制兩個外部 N 溝道 MOSFET 為一個電源軌提供了理想二極管和熱插拔 (Hot Swap?) 功能。起理想二極管作用的 MOSFET 取代了一個高功率肖特基二極管及相關(guān)聯(lián)的散熱器，從而節(jié)省了功率和電路板面積。熱插拔MOSFET 控制通過限制浪涌電流而允許在帶電背板上安全地進行電路板的插拔操作。另外，還利用快速動作折返電流限制和電子電路斷路器對電源輸出提供了針對短路故障的保護。

LTC4229 可調(diào)節(jié)外部 MOSFET 兩端的正向壓降，以確保在二極管“或”應(yīng)用中實現(xiàn)平滑的電流轉(zhuǎn)移。理想二極管快速接通以減小電源切換期間的負(fù)載電壓降。倘若輸入電源發(fā)生故障或者短路，則快速關(guān)斷能夠較大限度地減小反向瞬態(tài)電流。

LTC4229 提供了可調(diào)啟動延遲、欠壓和過壓保護，并可報告電源的故障及良好運行狀態(tài)。該器件可配置為在遇到故障之后執(zhí)行鎖斷或自動重試操作。

應(yīng)用

• 冗余電源

• 電源保持

• 高可用性系統(tǒng)和服務(wù)器

• 電信和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施

• 電源優(yōu)先級排序器

• 用于冗余電源的理想二極管和浪涌電流控制

• 功率肖特基二極管的低損耗替代方案

• 可保護輸出電壓免受輸入欠壓的影響

• 允許在帶電背板上安全地進行熱插拔操作

• 2.9V 至 18V 工作范圍

• 可控制背對背 N 溝道 MOSFET

• 可在 ≤1μs 的時間里實現(xiàn)對峰值故障電流的限制

• 具折返的可調(diào)電流限值

• 可調(diào)的啟動和電流限制故障延遲

• 0.5μs 的理想二極管接通和關(guān)斷時間

• 欠壓和過壓保護

• 狀態(tài)、故障和電源良好輸出

• 在發(fā)生故障之后執(zhí)行鎖斷或自動重試操作 (可通過引腳來選擇)

• 24 引腳 4mm x 5mm QFN 封裝和 SSOP 封裝

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