刻蝕是指通過溶液、離子等方式剝離移除如硅、金屬材料、介質(zhì)材料等晶圓表面材料，從而達到集成電路芯片結(jié)構(gòu)設計要求的一種工藝流程。從工藝技術來看，刻蝕可分為濕法刻蝕（WetEtching）和干法刻蝕（DryEtching）兩類。

刻蝕工藝分類

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ICP與CCP是應用最為廣泛的刻蝕設備。目前等離子刻蝕是晶圓制造中使用的主要刻蝕方法，容性等離子刻蝕（CCP）和電感性等離子刻蝕（ICP）是兩種常用的等離子刻蝕方法。

電容性和電感性等離體刻蝕設備

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據(jù)測算：2020年我國蝕刻設備市場規(guī)模為250.29億元，2021年我國蝕刻設備市場規(guī)模增長至375.28億元，預計2022年蝕刻設備市場規(guī)模有望達到500億元。

2015-2022年中國蝕刻設備市場規(guī)模走勢

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對比國際刻蝕龍頭，國內(nèi)刻蝕企業(yè)在規(guī)模、研發(fā)、技術等差距顯著。國內(nèi)刻蝕設備生產(chǎn)廠商在全球刻蝕設備市場的市占率較低，與世界頭部企業(yè)在多方面存在較大差距。從研發(fā)投入角度看，雖然北方華創(chuàng)和中微公司研發(fā)投入占營業(yè)收入比重超過國外企業(yè)，但是研發(fā)投入總規(guī)模仍然遠遠小于國際龍頭企業(yè)。在國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金和行業(yè)政策的大力扶持下，二者的研發(fā)投入有望迎來大幅提升。在技術水平上，國內(nèi)頭部企業(yè)尚未攻克一些頂尖刻蝕技術，與國際巨頭也存在較大差距。

各廠商刻蝕設備與刻蝕工藝對比

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更多本行業(yè)詳細的研究分析見共研網(wǎng)《2022-2028年中國刻蝕設備行業(yè)全景調(diào)查與投資前景分析報告》，同時共研產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)研究、政策研究、產(chǎn)業(yè)鏈咨詢、產(chǎn)業(yè)圖譜、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、可行性分析、商業(yè)計劃書、IPO咨詢等產(chǎn)品和解決方案。

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