書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》

文章：納米粗糙度控制方法

編號：JFKJ-21-156

作者：炬豐科技

???HAL是一個多學(xué)科的開放通道，用于存放和傳播sci的具體研究文獻(xiàn)，無論它們是否發(fā)布lished這些文件可能來自在法國的教學(xué)和研究機(jī)構(gòu)國外，或公立或私立研究中心。哈爾的多學(xué)科開放檔案是?用于存放和分發(fā)文件?研究水平文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁的科學(xué)家，無論是否發(fā)表，都來自教育和培訓(xùn)機(jī)構(gòu)法國或外國實(shí)驗(yàn)室的研究公共或私人。

摘要

在蝕刻等離子體中等離子體壁相互作用是如何導(dǎo)致聚合物和硅表面的隨機(jī)粗糙/納米織構(gòu)，或在這些表面上形成有組織的納米結(jié)構(gòu)的。?我們進(jìn)行了精心設(shè)計(jì)的等離子體-壁相互作用實(shí)驗(yàn)，以了解這兩種現(xiàn)象的原因，并提出了蒙特卡羅模擬結(jié)果，證實(shí)了實(shí)驗(yàn)。?我們討論了在潤濕和光學(xué)特性控制、蛋白質(zhì)吸附、微流控和芯片實(shí)驗(yàn)室制造和改性以及低成本硅模具制造等方面的新興應(yīng)用。?最后，我們展望了等離子體反應(yīng)器未來的設(shè)計(jì)，以利用觀察到的現(xiàn)象為新的微和納米制造工藝。

介紹?

???光刻和等離子蝕刻是由上而下的微和納米圖案的主要方法。?通常，在等離子體蝕刻過程中，離子通過中性物“增強(qiáng)”物質(zhì)的去除，并誘導(dǎo)蝕刻各向異性(即蝕刻只朝著撞擊離子的方向進(jìn)行，而撞擊離子垂直于襯底加速)。?然而,微電子材料蝕刻遭受了多年的所謂“草”形成等離子體蝕刻表面:表面上的任何殘留物的存在(或在材料被蝕刻)和腐蝕各向異性導(dǎo)致柱狀納米結(jié)構(gòu)的形成,結(jié)構(gòu)間草的掃描電子顯微鏡圖像是微電子制造課程中蝕刻問題的標(biāo)準(zhǔn)教材。??

另一方面，可以被看作是簡單的納米粗糙度，或者是一個表面的納米紋理，可以用于多種應(yīng)用。?例如,如果這樣一個粗糙的表面涂上一種疏水性的增加將導(dǎo)致觀察到顯著增加水和油的接觸角,并最終液體輥的表面,因此允許自潔作用?的表面。?納米結(jié)構(gòu)的另一個好處是當(dāng)需要抗反射率時(shí):?蝕刻誘導(dǎo)的納米粗糙度已知可以降低Si(“黑硅”是一個眾所周知的例子)和聚合物的反射率，所謂的“納米”等離子體粗糙度已經(jīng)被提出。事實(shí)上，對于聚合物等離子體納米紋理可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)光學(xué)透明度，?抗反射率和超疏水性。?因此，我們想強(qiáng)調(diào)的是，與納米電子學(xué)的不良影響相反，當(dāng)需要一種或多種“智能”功能時(shí)，受控的納米織構(gòu)形成可能對大區(qū)域的納米制造和器件的納米制造都有價(jià)值。???略

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本文還講述了等離子體納米織構(gòu)和等離子體組織有什么不同??等離子體納米織構(gòu)和反應(yīng)器壁的作用，等離子體定向組織和反應(yīng)器壁的作用等問題。