以前華碩，華擎，微星，映泰都用過第一次用技嘉和am5平臺折騰了一個禮拜，說說超級經(jīng)驗以及遇到的問題。 首先配置情況，7600+技嘉b650m da3+宏碁6000c32（A-DIE）

超頻先超內(nèi)存，不然之后排查問題起來更加困難和耗費時間（血淚史啊） 內(nèi)存篇

ddr5時代極限超頻看主板支持只能到6666還得搭配高端板子，技嘉最低端的也支持6400，加上zen4體質(zhì)問題，我這塊ds3超6400，然后去查了所有b650內(nèi)存支持的頻率，華碩的重炮手有一條6400c30 38 38 76 1.4v就是我的目標了 首先打開expo 選擇6000c32頻率，接著打開 高帶寬和低延遲，這里要說一下，低延遲經(jīng)過我的測試發(fā)現(xiàn)并沒有什么用但是還是一起開啟吧，高帶寬模式縮了幾個參數(shù)，超內(nèi)存太費時間驗證烤機了，自己調(diào)第一時序就夠了沒必要再自己縮小參除非你很有時間，正好現(xiàn)在主板廠家都有高帶寬模式省事了。

這是開高帶寬和不開的區(qū)別，（這技嘉bios識別不到內(nèi)存時序參數(shù)偶爾能看得到不知道為什么，只能用軟件讀?。┑亲⒁庖稽ctREFI ，被從12460設置成了46800，這樣會導致耐溫從85℃下降，具體不知道增加了4倍，耐溫上限還有多少，ddr5發(fā)熱還挺嚴重的跑到60℃以上很常見，所以建議只增加一倍，這個參數(shù)對延遲影響很大，如果是悶罐建議就改回3.9ns的參數(shù)

6400頻率，3.9ns瞄準是12480，設置一倍為24960

接著倍頻設置64。flck設置2133（內(nèi)存的三分之一，實測并不是越高越好。脫鉤雖然會能加一點寫入。但是讀取和延遲有會下降情況，單die的7600是這樣）， 下面設置ulck＝memck， 不同步的話也會影響讀取和延遲。 接著關閉powe down enable （此項叫低功耗模式，關閉后可以降低2ns延遲） 關閉memoy conext restore（加速開機模式，因為關閉了powe down enable后有可能開機重啟藍屏，所以要把這個也關了就不會藍屏） 關閉gear down modw（這是是2.5t模式關閉后才是跑的真正的1t或者叫cr1）

但是吐槽下，技嘉bios里找不到BGS和cppc了，不知道是不是zen4沒有了，關閉這兩個能提升游戲性能。 接著是zen4影響內(nèi)存超頻的幾個電壓 內(nèi)存電壓:DDR_vdd和DDR_vddq，這就是ddr4時代的內(nèi)存電壓。因為aide照抄時序6400c30時序，統(tǒng)一設置1.4v vddp電壓:自動下無法6400開機。1.05v就可以6400開機，但是跑測試報錯，設置1.15v。這個電壓影響超高頻內(nèi)存需要烤機驗證，電壓源于vddio，他的電壓不能高于vddio。

vdd_soc電壓:技嘉叫cpu sa電壓，華碩叫mc，設置1.3，影響fuck超頻和穩(wěn)定性需要烤機驗證，新bios被限制在1.3了。但是看實際電壓被加到了1.34v 更有防掉壓選擇，如果soc不夠 可以把防電壓拉倒極致，正常選正常模式normal。

vddg電壓，又分為，CCD和IOD從輔助電壓msic導出，不能高于vdd_msic。開啟expo后自動設置 成0.95

cpu_vddio_mem電壓:中文叫內(nèi)存終端電壓，設置1.2就行但要經(jīng)過烤機驗證，自動也可以，對效能影響不大。 vdd_msic電壓 這是個輔助電壓，給核心和soc以外的其他 PCIe、DP Phy、PLL、ClkGen 和 Pmux 電源供電，am5新出來的12+2+1中的1就是這項供電。給設置默認給的1.1 就行。加高了反而降低讀寫和延遲，至少在16x2的模式下是這樣。 基本上，除了ddr vdd和vddq、vddp，soc，其他可以自動。 最后使用tm5里的extreme1&anta777驗證，16gx2跑3輪結(jié)束，要1小時40分鐘，第三輪壓力最大，基本出現(xiàn)的問題都是就是報錯4，和第三輪掉線程。 對錯碼似乎是ddr4的，對ddr5沒有用，目前我測試soc、 vddio 、vddp cpu核心電壓過低都會報錯4，核心電壓不夠似乎第三輪還會掉線程。（也有可能是虛擬內(nèi)存不夠的原因，還得待我多驗證幾次）

最終效能圖 cpu篇

超cpu很簡單，因為是7600即使開pbo2也只能加200頻率，最多單核5.35，所以用定頻定壓超頻，只需要設置倍頻，電壓，防掉壓就夠了。 我這里的設置是5.4g 1.25v 防掉壓最低級別normal，即使是最低級別，電壓識別也加了0.02v左右。 為什么后超cpu，因為之前先超cpu 用p95烤機的情況下，5.4g，1.16v就能通過p95測試。 接著等我超內(nèi)存想點aida64內(nèi)存跑分，直接重啟了，經(jīng)過辛苦排查，內(nèi)存恢復默認再測試，發(fā)現(xiàn)是cpu電壓不夠，加到1.2v還會藍屏，1.22v才能連點10次測試，放一組數(shù)據(jù)。 以5.4g為例 1.16v 過測半小時p95 第二項和第四項。 1.18v 過測mt7.0版本100% 1.19v 點aida64內(nèi)存與緩存測試不重啟，能跑過內(nèi)存分，跑緩存時有概率藍屏 1.22v 能連點10次aida64內(nèi)存測試 1.25v通過tm5的extreme1&anta777（低于這個電壓直接報錯4） 當時百思不得其解，作為曾經(jīng)的壓力怪為什么p95壓力這么低，跟tm5和內(nèi)存測試差開了這么多？ 直到我發(fā)現(xiàn)點fpu秒重啟，因為新版aida64的fpu默認打開了avx指令，需要手動關閉，直接溫度破百保護重啟了，然后我推測aida64跟tm5也引用了avx指令。 所以導致測試的時候電壓要求大幅度超過沒有開啟avx指令的p95和根本沒有avx指令的mt7.0，p95跑的時間短，所以也算是跟mt7.0屬于同一電壓范疇。 技嘉主板bios沒有關閉avx指令的選擇，微星有，可以用微星主板關閉avx后驗證一下，所需電壓是否差距這么大，那樣的話降低0.09電壓會降溫不少，并且也能超的更高， 那關閉avx指令的優(yōu)勢大太多了。 還有一種可能就是zen4的緩存體質(zhì)差核心很多，同頻率緩存所需電壓大幅度超過核心，但是p95的第二項也是大幅度測試l1 l2 l3緩存的。但是跑aida64的時候。1.19就能跑內(nèi)存，跑緩存的時候還是會藍屏，得加到1.22才基本沒什么問題，這個以后再驗證了，有懂的朋友可以評論留言討論下。