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消息稱 SK 海力士第 5 代 1β 工藝內(nèi)存進(jìn)入驗(yàn)證階段,能效大幅提升

2023-03-04 10:43 作者:Cc落敗  | 我要投稿

IT之家(孤城)


IT之家 3 月 3 日消息,據(jù) TechPowerUp 消息,SK 海力士現(xiàn)已進(jìn)入其第 5 代 1β 工藝 DRAM 的合作伙伴驗(yàn)證過程。


圖為 SK 海力士第 4 代 1α 工藝內(nèi)存條


據(jù)報(bào)道,在 SK 海力士的 1β 工藝大致相當(dāng)于 12 納米工藝。消息稱,最新的 1β DRAM 的效率提高了 40% 以上,采用 EUV 光刻工藝制造。


2021 年,內(nèi)存廠商出貨 1α 工藝內(nèi)存。對(duì)比上一代基于 1z 節(jié)點(diǎn)的 LPDDR4x 產(chǎn)品,1α 工藝為移動(dòng)應(yīng)用帶來 40% 的內(nèi)存密度提升和 20% 的能效提升,適用于需要長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間的手機(jī)應(yīng)用,特別是拍攝照片和視頻等需要占用大量?jī)?nèi)存的應(yīng)用場(chǎng)景。


消息稱 SK 海力士第 5 代 1β 工藝內(nèi)存進(jìn)入驗(yàn)證階段,能效大幅提升的評(píng)論 (共 條)

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