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50N06S-ASEMI低壓N溝道MOS管50N06S

型號(hào)：50N06S

品牌：ASEMI

封裝：TO-252

最大漏源電流：50A

漏源擊穿電壓：60V

RDS（ON）Max：0.15Ω

引腳數(shù)量：3

芯片個(gè)數(shù)：

溝道類型：N溝道MOS管、低壓MOS管

漏電流：ua

特性：N溝道MOS管、場(chǎng)效應(yīng)管

工作溫度：-55℃~175℃

備受歡迎的50N06S MOS管

??ASEMI品牌50N06S是采用工藝芯片，該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力，能夠持續(xù)保證了50N06S的最大漏源電流50A，漏源擊穿電壓60V.

?細(xì)節(jié)體現(xiàn)差距

50N06S,ASEMI品牌，工藝芯片，工藝制造，該產(chǎn)品穩(wěn)定性高，抗沖擊能力強(qiáng)。

50N06S具體參數(shù)為：最大漏源電流：50A，漏源擊穿電壓：60V，反向恢復(fù)時(shí)間： ns，封裝：TO-252