T8193 ICS TRIPLEX
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使用半導(dǎo)體行業(yè)中使用的技術(shù),許多結(jié)串聯(lián)連接以增加設(shè)備的輸出,但檢測(cè)器封裝是小型化和緊湊的。設(shè)備的尺寸和質(zhì)量對(duì)于確定其響應(yīng)時(shí)間和設(shè)備的其他特性很重要。該檢測(cè)器的響應(yīng)時(shí)間相對(duì)較慢,但具有直流穩(wěn)定性、無(wú)需偏置和響應(yīng)所有波長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。它是將光能轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的最簡(jiǎn)單方法。
2. 熱敏電阻測(cè)輻射熱計(jì):
當(dāng)入射紅外輻射與探測(cè)器相互作用時(shí),測(cè)輻射熱計(jì)會(huì)改變電阻。這種熱敏半導(dǎo)體由燒結(jié)金屬氧化物材料制成。它具有很高的電阻溫度系數(shù)。
3. 熱釋電探測(cè)器:
熱電材料是晶體,例如鉭酸鋰,它表現(xiàn)出自發(fā)極化,或與溫度相關(guān)的集中電荷。當(dāng)紅外輻射撞擊探測(cè)器表面時(shí),溫度的變化會(huì)導(dǎo)致電流流動(dòng)。該電流與輻射強(qiáng)度成正比。該檢測(cè)器表現(xiàn)出良好的靈敏度和對(duì)寬波長(zhǎng)范圍的良好響應(yīng),并且不需要冷卻檢測(cè)器。它是氣體監(jiān)測(cè)儀最常用的檢測(cè)器。
光子探測(cè)器:
光子根據(jù)其波長(zhǎng)和強(qiáng)度擁有能量。光子檢測(cè)器檢測(cè)入射光子與半導(dǎo)體材料之間的量子相互作用。以足夠能量撞擊電子的光子可以將電子從非導(dǎo)電狀態(tài)提升到導(dǎo)電狀態(tài)。導(dǎo)帶中電子的存在會(huì)增加芯片的導(dǎo)電性,偏置電壓會(huì)將這種變化記錄為信號(hào)。電子的激發(fā)需要光子具有一定的能量。較短的波長(zhǎng)具有較高的頻率,因此具有更多的能量。該檢測(cè)器在有限的光譜區(qū)域中起作用,這取決于所使用的檢測(cè)器材料。通常,檢測(cè)器必須用熱電冷卻器甚至液氮冷卻才能正常工作。?
DS200DENQF1ADB
DS200DENQF1AEA
DS200DENQF1BCB
DS200DENQF1BDB
DS200DENQF1BDC
DS200DENQF1BDD
DS200DENQF1BDE
DS200DENQF1BDG
DS200DMCAG1A
DS200DMCAG2A
DS200DMCBF1CFA
DS200DMCBF1CIA
DS200DMCBF1CJC
DS200DMCBG1A
DS200DPCAG1A
DS200DPCBG1A
DS200DSFBG1A
DS200DSFBG2A
DS200DSPAF1ABE
DS200DSPAF1ABF
DS200DSPAF1ABG
DS200DSPAF1ABH
DS200DSPBF1ABD
DS200DSPBF1ABE
DS200DSPCF1AAF
DS200DSPCH1A
DS200DSPCH1ADA
DS200DSPDF1ABA
DS200DTBAG1A
DS200DTBBG1A
DS200DTBCG1A
DS200DTBDG1A
DS200EXDEG1A
DS200EXPSG1A
DS200FCGDH1ABA
DS200FCGDH1B
DS200FCRLG1A
DS200FCRRG1A
DS200FCSAG1A
DS200FCSAG2A
DS200FECBG1A
DS200FGPAG1A
DS200FHVAG1A
DS200FHVAG2A
DS200FPSAG1A
DS200FSAAG1A
DS200FSAAG2A
DS200GASCF1AEG
DS200GASCF1AEJ
DS200GASCF1AEL
DS200GASCF1AEO
DS200GASCF1AEP
DS200GASCF1AFB
DS200GASCF1AFE
DS200GASCF1BEL