編輯-Z

艾賽斯車規(guī)級(jí)MOS管IXTY02N50D-TRL參數(shù)：

型號(hào)：IXTY02N50D-TRL

漏極-源極電壓（VDS）：500V

連續(xù)漏電流（ID）：200mA

功耗（PD）：25W

工作結(jié)溫度（TJ）：-55 to +150℃

零柵極電壓漏極電流（IDSS）：10uA

漏極源導(dǎo)通電阻RDS(ON)：20Ω

輸入電容（CISS）：120pF

二極管正向電壓（VSD）：0.7V

反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：1us

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IXTY02N50D-TRL封裝尺寸：

封裝：TO-252

總長(zhǎng)度：10.42mm

本體長(zhǎng)度：6.22mm

引腳長(zhǎng)度：2.92mm

寬度：6.73mm

高度：2.38mm

腳間距：4.57mm

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IXTY02N50D-TRL特征：

常開(kāi)模式

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)包裝

低RDS（on）HDMOSTM過(guò)程

堅(jiān)固的多晶硅柵單元結(jié)構(gòu)

快速切換速度

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IXTY02N50D-TRL應(yīng)用：

電平轉(zhuǎn)換

觸發(fā)器

固態(tài)繼電器

電流調(diào)節(jié)器