接下來(lái)接著看12N50數(shù)據(jù)手冊(cè)。

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上面這個(gè)參數(shù)是MOSFET的熱阻，RBJC 表示MOS管結(jié)溫到表面的熱阻，這里我們知道RBJC=0.75。熱阻的計(jì)算公式：，其中，Tj表示MOSFET的結(jié)溫，最大能承受150℃

Tc表示MOSFET的表面溫度。

通過(guò)上面公式可以計(jì)算一下，表面溫度在25℃的情況下，管子能承受的功率：，P=166W。

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數(shù)據(jù)手冊(cè)上給到的數(shù)據(jù)來(lái)看，當(dāng)Tc=25℃時(shí)，MOSFET的功率可以達(dá)到165W，是符合剛才的計(jì)算的，這里的誤差是正常的，廠家在數(shù)據(jù)手冊(cè)上寫(xiě)的數(shù)據(jù)也是通過(guò)這個(gè)計(jì)算出來(lái)的。

我們要知道，熱阻越大，結(jié)溫和表面頂部溫度的溫差就越大，也就是說(shuō)，熱阻越大里面的溫度散熱沒(méi)有那么快。這里指的是沒(méi)有加散熱片的熱阻，如果實(shí)際板子上加了散熱片，熱阻也會(huì)變小。

一般數(shù)據(jù)手冊(cè)給到的電氣參數(shù)都是在環(huán)境溫度25℃條件下測(cè)試的。

BV：漏源之間的雪崩電壓。測(cè)試條件：Vgs=0V，I=250uA。給DS端不斷加電壓，此時(shí)I漏電流會(huì)增大，當(dāng)ID達(dá)到250uA時(shí)，此時(shí)的DS電壓即為雪崩擊穿電壓。這里的雪崩擊穿電壓最小值是500V.

V：閾值電壓。測(cè)試條件：V=VI=250uA。不斷提高V電壓同時(shí)也提高V電壓，此時(shí)看I電流的變化，如果I達(dá)到250uA時(shí)，此時(shí)的V電壓就是MOSFET的閾值開(kāi)啟電壓了。最小值是3V，最大值是5V。離散性太大，可以不用太關(guān)心這個(gè)數(shù)據(jù)。

I：漏極漏電流。測(cè)試條件：V?=500V，V=0V。泄露電流隨溫度增加而增大，漏電流也會(huì)造成功耗，P=I*V，一般忽略不記。

I：柵極漏電流。測(cè)試條件：V=±30V，V=0V。

R：導(dǎo)通電阻。測(cè)試條件：V=10V，I=5.75A。通常I都是最大電流的一半，測(cè)到的DS之間的導(dǎo)通電阻。

g：正向跨導(dǎo)。測(cè)試條件：V=30V，I=5.75A。數(shù)字越大，頻率響應(yīng)越高。

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Qg：總柵極充電電荷量。這個(gè)大小直接決定了開(kāi)關(guān)速度。如果讓管子開(kāi)通，柵極電壓肯定上升，電壓的上升需要Qg這么大的電荷量。電荷量越大，表示開(kāi)通的時(shí)間就越長(zhǎng)。這個(gè)數(shù)據(jù)越大，表示MOSFET內(nèi)部并聯(lián)的就多。那么，對(duì)于高壓的管子來(lái)說(shuō)，Qg肯定就??；低壓的管子，Qg肯定就大。同時(shí)，Qg越大，Rdson肯定就越?。籕g越小，Rdson越大。

Ciss：輸入電容，Cgs+Cgd。影響MOSFET的開(kāi)關(guān)時(shí)間，數(shù)據(jù)越大，開(kāi)關(guān)越慢，開(kāi)關(guān)損耗就越大，但是EMI特性就越好，反之亦然。

Crss：反向傳輸電容（也叫米勒電容），Cgd。影響的是，當(dāng)漏極有異常高的電壓時(shí)，通過(guò)Cgd傳輸?shù)組OSFET的柵極能量的大小。比如在做雷擊測(cè)試時(shí)，會(huì)有一定的影響。對(duì)關(guān)斷稍微有影響。

Coss：輸出電容，Cgd+Cds。對(duì)關(guān)斷稍微有影響。

t：開(kāi)通延時(shí)時(shí)間。是漏極到源極開(kāi)通延時(shí)的時(shí)間。

tr：上升時(shí)間。是漏源電流的上升時(shí)間。

實(shí)際上，上面這些參數(shù)都是與時(shí)間相互關(guān)聯(lián)的參數(shù)，那么開(kāi)關(guān)速度越快，對(duì)應(yīng)的有點(diǎn)是開(kāi)關(guān)損耗小，效率高，溫升低。對(duì)應(yīng)的缺點(diǎn)是EMI特性不好，MOSFET的關(guān)斷尖峰過(guò)高，這是由于MOSFET關(guān)斷瞬間的體二極管有反向恢復(fù)時(shí)間。

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Is：漏源最大電流。在選型時(shí)，需要注意實(shí)際工作溫度對(duì)它的影響。

V：源極到漏極的正向?qū)▔航怠＿@個(gè)電壓越高，表示體二極管的續(xù)流損耗就越大。

trr：體二極管反向恢復(fù)時(shí)間。

Qrr：體二極管反向恢復(fù)充電電量。與充電時(shí)間成正比的，越小越好。