所謂看書幾遍，不如真題一遍。真題是高分的奧秘所在，只有研究透真題多做這題，才能把知識(shí)點(diǎn)轉(zhuǎn)化為自己的能力，才不負(fù)長(zhǎng)期困難的備考。盛世清北十年來專注清北碩博輔導(dǎo)，為幫助考生少走彎路，整理如下北大匯豐微電子學(xué)與固體電子學(xué)考研相關(guān)資料，以供參考。

真題試題

2018北大半導(dǎo)體物理考題回憶

一、名詞解釋

受主、雪崩擊穿、異質(zhì)結(jié)、費(fèi)米釘扎(還有兩個(gè)記不清了，歷年真題中可以找到)

二、半導(dǎo)體A、B的電導(dǎo)率-溫度曲線如下

1.說明A、B半導(dǎo)體的類型，并說明原因

2.A、B分別產(chǎn)生如下曲線的機(jī)制是什么

三、題干給出了兩種材料(n型Eg較窄，p型Eg較寬)的能帶圖，畫出這兩種材料形成異質(zhì)結(jié)后在如下情形的能帶圖

1.無外加偏壓

2.施加反向偏壓Va

四、p-mos管(n型襯底)中，Wm<WS，SIO2層厚度及介電常數(shù)已知，< p>

SiO2層中存在以密度為常數(shù)ρ的電荷分布

1.寫出平帶電壓表達(dá)式

2.畫出平帶時(shí)的能帶圖

五、PN結(jié)P型區(qū)及N型區(qū)均均勻摻雜，濃度為Na，Nd

1.算出施加正向偏壓Va時(shí)p區(qū)邊界少子濃度

2.畫出正偏時(shí)I-V曲線

3. Na，Nd很小時(shí)，I-V曲線與理想曲線有什么區(qū)別

六、同時(shí)在Si中摻入Na，Nd，Na>Nd

1.寫出電荷守恒表達(dá)式

2.寫出低溫區(qū)Ef與T的關(guān)系

3.示意在能帶圖中畫出Ef隨T的變化曲線

考研是公平的，哪怕吃了很多苦，只要你堅(jiān)持下去，全力以赴，一定會(huì)有收獲，即使最后失敗了，你也獲得了別人不具備的經(jīng)歷。

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