據(jù)半導(dǎo)體工程專家 Tom Wassick 所言，AMD 銳龍 7000 處理器似乎得到了一些升級(jí)，以便為為即將推出的 3D V-Cache 型號(hào)做準(zhǔn)備。

Wassick 在 Zen 4 CCD 中發(fā)現(xiàn)了更多的 TSV 列，這表明這次新款銳龍 7000 處理器的 3D 緩存型號(hào)在硬件上可以提供比 Ryzen 7 5800X3D 更多的帶寬。

科普：硅片通孔（Through Silicon Vias，TSV）是三維疊層硅器件技術(shù)的最新方向。通過(guò)硅通孔（TSV）銅互連的立體（3D）垂直整合目前被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)之一，可實(shí)現(xiàn)比引線鍵合和倒裝芯片堆疊方案更大的空間效率和更高的互連密度。

據(jù)稱，在 Ryzen 7000 芯片上有兩個(gè)更大、更密集的 TSV 陣列，并且有一些間距減小 —— 以及額外的 TSV 列。這意味著銳龍 7000 3D V-Cache 的基板將與 CPU 有更多的接觸區(qū)域，導(dǎo)致更大的 L3 緩存帶寬和可能的額外功率。

3D V-Cache 是 AMD 推出的一種堆疊 L3 緩存的技術(shù)，通過(guò)在 Ryzen 的 CCD 上增加 64MB 的 SRAM 緩存，從而將其芯片上的 L3 緩存翻倍，進(jìn)而顯著提高了那些對(duì)于?L3 緩存敏感的工作負(fù)載的實(shí)際表現(xiàn)，尤其是游戲。

AMD 目前發(fā)布的唯一一款面向消費(fèi)者的?3D V-Cache 芯片是 R7 5800X3D，該芯片共有 96MB 的 L3 緩存。

對(duì)于上述銳龍 7000 中額外的 TSV 觸點(diǎn)，這代表?AMD 正為其第二代堆棧緩存準(zhǔn)備更高的帶寬性能，甚至超過(guò)銳龍 R7 5800X3D 的 2Tbps?帶寬。

還有網(wǎng)友認(rèn)為，這（額外的觸點(diǎn)）可能也是這一代 AMD 處理器供電高企的原因之一，畢竟額外的功率也可以為 V-Cache 提供更有力的性能保障，但這最終還是取決于 AMD 設(shè)計(jì)選擇，后續(xù) 3D 型號(hào)可能會(huì)更高效，相比當(dāng)前型號(hào)更省電。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，這些額外的 TSV 并不能代表 AMD 下一代 3D V-Cache 性能將如何，或者它一定比 5800X3D 或銳龍 7000?普通型號(hào)好多少，只是有可能意味著銳龍 7000X3D 將帶來(lái)比 7 5800X3D 更高的帶寬。