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ON/安森美FCH041N65F車規(guī)級(jí)MOS管參數(shù)：

型號(hào)：FCH041N65F

連續(xù)漏極電流（ID）：76A

功耗（Ptot）：595W

貯存溫度和工作結(jié)溫（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃

漏源擊穿電壓V(BR)DSS：650V

柵極閾值電壓V(GS)th：5V

零柵極電壓漏極電流（IDSS）：10uA

柵源漏電流（IGSS）：±100nA

漏源導(dǎo)通電阻RDS(on)：36mΩ

輸入電容（Ciss）：9790pF

輸出電容（Coss）：355pF

二極管正向電壓（VSD）：1.2V

反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：213ns

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SUPERFETII MOSFET是安森美半導(dǎo)體利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級(jí)結(jié)(SJ)MOSFET系列產(chǎn)品。這項(xiàng)技術(shù)專用于最小化導(dǎo)通損耗并提供卓越的開(kāi)關(guān)性能、dv/dt額定值和更高雪崩能量。因此，F(xiàn)CH041N65F非常適合開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，如功率因數(shù)校正(PFC)、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX電源及工業(yè)電源應(yīng)用。

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FCH041N65F特征：

700V@Tj= 150℃

典型值RDS(on)=36mΩ

超低柵極電荷(典型值Qg=226nC)

低有效輸出電容(典型值Coss(eff.)=1278pF)

100%經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

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FCH041N65F應(yīng)用：

LCD/LED/ PDP TV

通信/服務(wù)器電源

太陽(yáng)能逆變器

AC-DC電源

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強(qiáng)元芯電子原廠渠道代理各種車規(guī)級(jí)MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。