CVD的冷熱壁指的是什么？
CVD中，什么是冷熱壁？冷熱壁機臺是怎么劃分的？冷熱壁機臺各有什么優(yōu)勢？各用在什么產(chǎn)品中？相信大家應(yīng)該也有很多疑問，那么今天就圍繞CVD的冷熱壁來詳細(xì)解讀一下。
什么是冷熱壁CVD？冷壁CVD機臺（Cold-wall CVD），在這類機臺中，加熱源主要集中在襯底上，而反應(yīng)室的壁部分保持相對較低的溫度。襯底通常是通過射頻或電阻加熱的。在高度控制的條件下，含有所需材料的氣體被引入到反應(yīng)室。由于襯底的高溫，這些氣體會在襯底上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成所需的薄膜。
熱壁CVD機臺(Hot-wall CVD），在熱壁CVD機臺中，整個反應(yīng)室，包括壁部分，都會被加熱到所需的工作溫度。熱壁CVD的工作原理是將氣體引入到預(yù)熱的反應(yīng)室中。這些氣體在接觸到高溫的反應(yīng)室壁和襯底時分解或發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成所需的薄膜并沉積在襯底上。冷熱壁機臺的劃分
熱壁機臺：LPCVD，冷壁機臺：PECVD ，ALD,HDPCVD
冷壁或熱壁：SACVD（亞常壓化學(xué)氣相沉積），APCVD（常壓化學(xué)氣相沉積），MOCVD，VPE（氣相外延）冷熱壁CVD?的各自優(yōu)勢
冷壁CVD:
冷壁CVD主要的優(yōu)勢是快速加熱和冷卻的能力。這是因為只有底座被加熱，而腔體壁保持冷卻。這可以大大減少不必要的反應(yīng)和化學(xué)物質(zhì)的積聚，從而改善設(shè)備的清潔性和效率。
冷壁CVD也可以減少氣體在腔體壁上的沉積，進(jìn)一步改善了硅片的均勻性和產(chǎn)品的產(chǎn)量。
這種類型的設(shè)備更適用于某些特殊工藝，如某些低溫工藝，或者當(dāng)熱預(yù)處理可能會破壞薄膜或底片時。
熱壁CVD:
熱壁CVD的主要優(yōu)勢是更均勻的溫度分布和更高的反應(yīng)效率。因為在熱壁CVD中，整個腔體都被加熱，因此可以在整個硅片上實現(xiàn)更均勻的薄膜沉積。
熱壁CVD也適合在高溫下進(jìn)行的反應(yīng)，因為整個腔體都是加熱的，可以實現(xiàn)更高的反應(yīng)溫度。
此外，由于溫度分布的均勻性，熱壁CVD通常可以提供更好的薄膜品質(zhì)和更高的沉積率。
冷熱壁CVD的腔室怎么清理不論是冷壁還是熱壁反應(yīng)室，都可能會有一部分材料沉積在腔體內(nèi)壁或其他內(nèi)部結(jié)構(gòu)上，這可能會影響設(shè)備性能，包括制程一致性、腔體內(nèi)溫度分布等。因此，定期清洗反應(yīng)室是必要的。
在熱壁CVD中，由于整個反應(yīng)腔體以及襯底都在高溫下，使得反應(yīng)氣體在接觸腔體壁面都可能發(fā)生分解或反應(yīng)，導(dǎo)致材料在腔體內(nèi)壁上的沉積。隨著生產(chǎn)過程的進(jìn)行，這種沉積物會逐漸累積，可能會引起設(shè)備性能下降，因此要定期清理。通常來說，清洗熱壁腔室的方式有機械清洗（如用刷子或特殊的清洗劑），化學(xué)清洗（如使用一些酸性或堿性溶液）和等離子體清洗。具體選擇哪種方式需要根據(jù)腔室內(nèi)壁沉積的材料種類和腔室的材質(zhì)來決定。
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