編輯-Z

ASEMI低壓MOS管50N06S參數(shù)：

型號：50N06S

漏極-源極電壓（VDS）：60V

柵源電壓（VGS）：25V

漏極電流（ID）：50A

功耗（PD）：85W

儲存溫度（Tstg）：-55 to 175℃

靜態(tài)漏源導通電阻（RDS(ON)）：15mΩ

二極管正向電壓（VSD）：1.2V

輸入電容（Ciss）：2050pF

二極管反向恢復時間（trr）：28nS

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50N06S封裝尺寸：

封裝：TO-252

總長度：10.35mm

本體長度：6.25mm

寬度：6.75mm

高度：2.4mm

腳間距：2.34mm

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50N06S特征：

低固有電容。

出色的開關特性。

擴展安全操作區(qū)域。

無與倫比的門電荷：Qg=nC（典型值）。

BVDSS=60V，ID=50A

RDS（開）:0.015? （最大值）@VG=10V

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