隨著世界各國在芯片為代表的高科技產(chǎn)業(yè)上激烈交鋒，芯片的國產(chǎn)化就成為了擺在我們面前的重要課題。雖然已經(jīng)有不少國內(nèi)廠商加入戰(zhàn)局并取得了一些成果，但是在存儲芯片產(chǎn)品上始終還是以中低端產(chǎn)品為主。隨著長江存儲近期搞定PCI-E 4.0 7000速度的解決方案成功上市，代表國產(chǎn)存儲產(chǎn)品已經(jīng)可以進入高端領(lǐng)域進行競爭。今天就帶來阿斯加特 AN4 1TB測試報告。

產(chǎn)品外觀介紹：

打開包裝就可以看到包裝盒內(nèi)部，上面提供了一張印有設(shè)計概念圖的塑料卡。

阿斯加特提供了一把金屬螺絲刀，比一般的塑料把小螺絲刀顯得高級不少。

AN4默認安裝一套散熱片。

散熱器整體高度比標準的更高，還是不能兼容PS5。

拆開SSD之后，可以看到正反面均配有導(dǎo)熱墊。

PCB正反面可以看到AN4的整體布局，包含1顆主控、2顆緩存和4顆存儲顆粒。

SSD的接口為M-Key M.2，支持PCI-E 4.0。

SSD的主控為英韌科技提供的，型號為IG5236，是一款8通道主控芯片。從現(xiàn)有的資料來看是一家國內(nèi)的無晶元制造廠商。標稱參數(shù)上對標群聯(lián)E18等7000+速度的旗艦主控。

緩存為南亞科技的NT5AD256M16D4-HR，單顆容量512MB合計1GB。速度為DDR4 2666 C19。

存儲顆粒為長江存儲制造的Xtacking 2.0架構(gòu)3D-TLC顆粒，型號為YMN09TC1B1HC6C。

產(chǎn)品測試平臺：
簡單介紹一下測試平臺。

用到的主板是ROG的ROG CROSSHAIR VIII DARK HERO。

內(nèi)存是金士頓的DDR4 8G*4。實際運行頻率是3200C14。

顯卡采用的是AMD 6900XT。

系統(tǒng)盤用的是INTEL的535。

散熱器是超頻三的凌鏡GI-CX360 ARGB。

硅脂用的是喬思伯的CTG-2。

電源是ROG的STRIX 850w。

測試平臺是Streacom的BC1。

產(chǎn)品性能測試：

由于現(xiàn)在SSD充斥表面SSD，傳統(tǒng)的跑分軟件基本都淪陷。有介于此，這邊啟用了一套新的測試標準用于橫向?qū)Ρ取?br>· 橫向?qū)Ρ戎薪y(tǒng)計的SSD經(jīng)過全盤擦寫和重新分區(qū)，消除新盤的雞血狀態(tài)。
· 連續(xù)讀寫性能選取HD TUNE的大文件讀寫測試，文件大小為50GB。
· 4K隨機性能采用IOMETER混合讀寫，分別進行QD1的淺隊列和QD32的深隊列測試。因為日常使用中不會存在純粹的讀寫行為，會在讀寫測試中反向混入25%的負載（例如讀取測試中75%讀取，25%寫入）。
· 現(xiàn)在部分SSD會通過玩命調(diào)教固件來提升4K的隨機數(shù)值，所以這邊引入4K離散值統(tǒng)計來讓那些表面SSD露出原型。公式中是對 SSD自身IOPS平均值計算離散程度，不會出現(xiàn)性能低的SSD，離散會較低的BUG。
· 離散測試是通過IOMETER來跑，測試前會先運行120秒預(yù)熱，然后運行12分鐘收集600個數(shù)據(jù)樣本。所以我的離散測試會比較針對存儲顆粒的自身性能。
· IO延遲的部分則會采用AS SSD 10G文件測試，連續(xù)三次讀寫延遲的數(shù)據(jù)取平均值。
· SSD測試共測試了5個模式，空盤PCH通道、空盤PCH通道+風(fēng)扇、90%填充PCH通道、90%填充PCH通道+風(fēng)扇、空盤CPU通道。橫向?qū)Ρ鹊慕y(tǒng)計統(tǒng)一采用空盤PCH通道。

以下為橫向?qū)Ρ冉y(tǒng)計的圖表，從評分上來統(tǒng)計阿斯加特 AN4的性能是相當強，可以將將壓住WD SN850。AN4在調(diào)校方式上英韌的主控設(shè)計思路上很有意思，下文會具體分析。

值得分析一下為什么阿斯加特的AN4可以略微超過WD SN850。今天用到的對比組是群聯(lián)E16方案（希捷520 2TB 5000速度）、群聯(lián)E18方案（E18只測過這個 7000速度）、SANDISK方案（WD SN850 7000速度）。
· AN4對比SN850可以看到淺隊列讀寫的性能AN4是明顯強很多，但是深隊列讀寫則會弱不少。在對比群聯(lián)的兩套方案同樣可以看到類似的情況。
· SN850在HDTUNE大文件寫入上吃了大虧，雖然我已經(jīng)降低了連續(xù)讀寫的權(quán)重，但還是造成了很大的影響。
· 結(jié)合我之前測試聯(lián)蕓方案的?？低昐SD，可以發(fā)現(xiàn)國產(chǎn)主控芯片與現(xiàn)有的SSD方案有一個明顯的不同之處，就是都選擇拔高淺隊列控制深隊列的方式開案。這樣確實帶來一些額外的優(yōu)勢，在現(xiàn)有的跑分測試中有些討巧。不過我們即使單獨只看深隊列讀寫，AN4采用的英韌IG5236依然可以對標群聯(lián)目前旗艦的E18主控。所以即使用最嚴苛的目光去看，國產(chǎn)主控也已經(jīng)做到了對標臺系旗艦的水平，放心保熟。

從空盤PCH通道的測試來看，阿斯加特 AN4在空盤下的總體離散表現(xiàn)是較為不錯的，在淺隊列4K下讀取會有小幅度的下降，其他都算不錯。

5種模式的讀寫對比：
· 在淺隊列下大家總體差別不大。
· 在深隊列90%填充的情況下，有風(fēng)扇模式性能掉了大約13%但離散度依然保持的比較好。在無風(fēng)扇模式下性能掉了約14.5%，離散度就無法保證，說明SSD此時需要更好的散熱。

· 在淺隊列下空盤的表現(xiàn)互相都比較接近，離散表現(xiàn)也不錯。90%填充的情況下性能會掉約3%，離散處于勉力維持的狀態(tài)。
· 在深隊列下空盤的表現(xiàn)依然很好。90%填充的情況下性能會掉約7.5%，離散表現(xiàn)就比較差主要是SLC緩存的影響。

總的來說阿斯加特 AN4 1TB總體表現(xiàn)不錯，除非是很極端的情況，不然是不需要考慮額外的散熱。

常規(guī)產(chǎn)品性能測試大致會分為三段。

開箱性能測試，這個環(huán)節(jié)可以測試出SSD在最好狀態(tài)下大致可以達到什么性能。

壓力測試，這個環(huán)節(jié)通過長時間滿載寫入，用于測試SSD在極端壓力下性能會到什么程度。

日常狀態(tài)測試，在壓力測試之后，會通過一小時待機和重新分區(qū)讓SSD重新恢復(fù)，來體現(xiàn)日常使用中的性能表現(xiàn)。

先從文件基準來看。兩張圖第一張是新盤測試完一些常規(guī)BENCHMARK之后進行的，第二張圖是全盤擦寫之后再跑一輪常規(guī)BENCHMARK之后進行的。

HD TUNE大文件讀寫速度為5922MB/S & 5186MB/S，讀取較為平穩(wěn)，寫入略有波動。

然后是最有看頭的SSD壓力測試。在新盤狀態(tài)下HD TUNE的讀寫曲線大致在2144.2MB\S & 2084.8MB\S。

對SSD的擦除采用HD TUNE對SSD進行持續(xù)擦寫，這個環(huán)節(jié)的負載是所有測試中最高的。AN4 1TB的寫入性能大致分為兩個階段。第一階段0G~50G，寫入速度為2400MB\S左右，跑的是SLC緩存。第二階段50G~1024G，寫入速度為910MB\S左右，這個時候應(yīng)該就已經(jīng)在緩?fù)饬?，寫入速度?00~2400MB\S左右。

在第二遍寫入后，依然會跑在階段2的速度上。

在完成壓力測試后相當于容量用盡狀態(tài)的測試，讀寫性能大致在2069.2MB\S & 438.5MB\S，讀取性能較為穩(wěn)定，寫入性能波動比較大。

在重新分區(qū)刷新后，讀寫性能為2132.1MB\S & 2075.8MB\S，基本與初始狀態(tài)一致。

常規(guī)跑分測試：

看一下不同測試軟件的跑分情況，AS SSD是8770/8677，AS SSD的跑分表現(xiàn)較好。

CrystalDiskMark、TxBENCH、ATTO這三款軟件現(xiàn)在已經(jīng)變成治愈系的測試軟件，所以大家參考一下即可。

簡單總結(jié)：

產(chǎn)品優(yōu)點：

· 產(chǎn)品性能已經(jīng)達到旗艦級的性能水平。· 原裝自帶的散熱片可以滿足大部分的使用需求。

產(chǎn)品缺點：

· 深隊列性能相對稍弱。

總體來說，采用長江顆粒的阿斯加特 AN4 1TB已經(jīng)達到旗艦級的性能水平，整體上來看性能的釋放表現(xiàn)沒有明顯的短板。如果可以進一步提升深隊列性能，成為目前最強的方案也并非不可能。從SSD的芯片構(gòu)成來看，在這一顆SSD上我們至少可以看到一顆國產(chǎn)的主控顆粒（一般是一顆ARM CPU）和較為成熟的3D堆疊存儲顆粒。在這個情況下說明我們國產(chǎn)芯片已經(jīng)在全套芯片供應(yīng)的版圖上日益成熟，值得欣慰。

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