2020年Q3 以來的MCU 漲價缺貨狀態(tài)已持續(xù)一年，交貨周期也一再延長。那么MCU產(chǎn)能情況有何波動？未來供需是何走向？

今年AI電堂陸續(xù)發(fā)布過關(guān)于MCU的相關(guān)文章。如果大家想了解STM32如何在這一年成為理財(cái)芯片的，可以閱讀往期文章，《缺貨漲價行情下，國產(chǎn)替代真的那么香嗎？》，《MCU的2020與2021》。

本篇為系列文章第二篇，MCU 產(chǎn)能增長相對有限，未來供需結(jié)構(gòu)將趨于平衡。

《MCU缺貨漲價后的國產(chǎn)化浪潮》系列文章：

??第一篇：MCU 需求端多樣化，汽車和物聯(lián)網(wǎng)引領(lǐng)未來成長

??第二篇：MCU 產(chǎn)能增長相對有限，未來供需結(jié)構(gòu)將趨于平衡

??第三篇：全球 MCU 市場高度集中，多因素共振加速國產(chǎn)替代

??第四篇：MCU 會是中國芯片本土化的下一個亮點(diǎn)嗎？

短期供需錯配，引發(fā)MCU價格暴漲

MCU 缺貨狀態(tài)持續(xù)，海內(nèi)外廠家貨期延長價格上升

20Q3 以來全球 MCU 進(jìn)入供不應(yīng)求狀態(tài)，漲價缺貨狀態(tài)持續(xù)至今，除了原廠和渠道商價格上漲外，交貨周期也呈現(xiàn)出延長局面。

各MCU 原廠多次上調(diào) MCU 價格。國際巨頭 ST 在 2020 年底和 2021 年 5 月兩發(fā)漲價函，宣布調(diào)漲邏輯 IC 價格；瑞薩也于 2021 年 1 月調(diào)漲部分邏輯 IC 價格；國內(nèi) MCU 龍頭廠商兆易創(chuàng)新在 2021 年 1 月/4 月兩次上調(diào) MCU 價格；另外，中國臺灣 MCU 大廠盛群于 2021 年 4 月宣布暫停 2022 年訂單并預(yù)計(jì)近期將漲價 15%-30%，新唐等在此前也紛紛調(diào)漲 MCU 價格。受本輪 MCU 漲價影響，自 2020 年下半年起，中國臺灣 MCU 廠商營收同比大幅增長。

從經(jīng)銷渠道價格來看，多款 MCU 型號價格上漲 6-10 倍。根據(jù)正能量電子網(wǎng)的數(shù)據(jù)， 在本輪漲價潮之前，STM32 及 GD32 通用 MCU F1系列渠道價格維持在 5-10 元區(qū)間，在 20Q3 起，STM32F1系列渠道價格上漲至 55-70 元，兆易創(chuàng)新 GD32F1系列渠道價格上漲至 25-30 元，有的甚至飆漲至 60-70 元。

從貨期來看，據(jù)富昌電子數(shù)據(jù)，2020 年以來，8 位和 32 位 MCU 貨期延長至超過 16 周，普遍在 24 周，Microchip 的個別型號貨期甚至達(dá)到了 55 周。

全球 MCU 廠商對未來 MCU 景氣度展望樂觀。根據(jù)意法半導(dǎo)體展望，本輪 MCU 缺貨將至少持續(xù)至 2021 年底；受新冠疫情影響，恩智浦表示面臨產(chǎn)品嚴(yán)重緊缺和原料成本增加的雙重影響，決定全線調(diào)漲產(chǎn)品價格；中國臺灣盛群、松翰等廠商也表示，面對 MCU 缺貨行情，未來有望繼續(xù)調(diào)漲產(chǎn)品價格。

MCU 缺貨起源于汽車芯片商后市指引和真實(shí)需求的錯配

從需求側(cè)情況看，本輪缺貨起源于汽車整車廠緊急備貨導(dǎo)致上游芯片廠應(yīng)對不足。

MCU 為汽車 ECU（電子控制系統(tǒng)）的主控芯片，ECU 主要應(yīng)用在汽車 ESP（電子穩(wěn)定程序）和 ECO（智能發(fā)動機(jī)控制）系統(tǒng)中。在 2020 年上半年，蔓延至全球的疫情帶來汽車銷量驟降，全球汽車芯片廠商紛紛對未來后市持悲觀預(yù)期，降低汽車芯片庫存的同時也下修了代工廠的訂單。而自20Q3 全球汽車需求復(fù)蘇，出貨量遠(yuǎn)超預(yù)期，整車廠商臨時加單，汽車 MCU 廠商自身芯片庫存較低，疊加新增產(chǎn)能短期無法釋放，加劇了汽車 MCU 芯片的缺貨程度。汽車供應(yīng)鏈漫長而復(fù)雜，從芯片到整車廠要經(jīng)過幾級供應(yīng)商，生產(chǎn)、測試到交付整個周期需要至少 6 個月，汽車 MCU 的緊缺也逐步蔓延至消費(fèi)和工控 MCU 領(lǐng)域。

從供給側(cè)情況看，汽車 MCU 產(chǎn)能集中，全產(chǎn)業(yè)鏈缺芯情況下汽車 MCU 擴(kuò)產(chǎn)不及時。

汽車 MCU 制程主要集中在 28nm-40/45nm 和 65nm，屬于成熟制程。根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)， 國外大廠均將 MCU 部分或全部外包給臺積電等 1-2 家晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)。

由于各 MCU 廠商一般采用不同的架構(gòu)，產(chǎn)品覆蓋范圍不同，面向特定客戶，所以產(chǎn)業(yè)鏈中 MCU 廠商拿到的訂單一般較為固定，晶圓廠按計(jì)劃分配產(chǎn)能。在下游需求擴(kuò)張的情況下，如臺積電等上游擴(kuò)產(chǎn)可能并不及時，造成晶圓短缺，MCU 原材料價格上漲。

MCU 特有的經(jīng)銷模式放大了供需缺口。這一輪 MCU 缺貨本質(zhì)上是汽車和 IoT 帶來的 MCU 增量市場，同時下游 MCU 產(chǎn)能釋放非常有限，形成了供需缺口。由于 MCU 產(chǎn)品型號眾多且下游為長尾市場，MCU 廠商均采用分銷商+貿(mào)易商的銷售模式，缺貨行情下，經(jīng)銷商會出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性的囤貨或者炒貨情況，也加劇了下游客戶對缺貨的恐慌程度，于是紛紛加大對 MCU 備貨，放大了供需缺口，渠道端出現(xiàn)價格暴漲的情況。

疫情、火災(zāi)、大雪等不可抗因素也加劇了 MCU 產(chǎn)能受限，因此 ST、NXP 等 MCU 廠 商多次發(fā)布產(chǎn)品漲價函。從全球 MCU 廠商季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)來看，產(chǎn)能普遍受限情況下庫 存占滾動 12 個月營收比例持續(xù)下滑。

1）意法半導(dǎo)體：罷工和疫情影響自有 IDM 產(chǎn)能，庫存持續(xù)下滑，產(chǎn)品多次漲價

意法半導(dǎo)體MCU前端產(chǎn)能采用雙線策略，即自有+外包，自有 MCU 產(chǎn)能位于法國 Crolles 和 Rousset，在 2020 年 11 月也因工人罷工而受到影響；同時部分產(chǎn)能外包給臺積電生產(chǎn)而不受自己支配。意法半導(dǎo)體位于馬來西亞的后端封測廠部分產(chǎn)能用于 MCU 生產(chǎn)，2021 年 5 月 12 日至 6 月 7 日期間，受疫情惡化影響，馬來西亞實(shí)施全國封鎖，進(jìn)一步影響意法 MCU 生產(chǎn)。

產(chǎn)能受限疊加下游訂單旺盛，ST 庫存占滾動 12 個月營收比例自 20Q2 以來持續(xù)下滑， 同時 2020 年至 2021 年 5 月 ST 三發(fā)漲價函，其 MDG（微控制器和數(shù)字 IC）部門營收自 20Q1 以來持續(xù)上升，主要系缺貨帶來的產(chǎn)品漲價所致。

2）恩智浦：德州大雪影響 MCU 8 英寸產(chǎn)線產(chǎn)能，產(chǎn)能緊缺帶來產(chǎn)品全線漲價

恩智浦的 MCU 產(chǎn)能也采用自有加外包策略。恩智浦MCU、MPU自有產(chǎn)能依賴位于美國德州 2 座8 寸晶圓廠，因受德州大雪影響，于 2021 年 2 月 16 日開始停產(chǎn)，目前雖復(fù)工復(fù)產(chǎn)，但產(chǎn)能此前也受到影響；外包產(chǎn)能交由聯(lián)電和臺積電生產(chǎn)，由于晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)及產(chǎn)能分配不及時，恩智浦 MCU 產(chǎn)能受到影響。

產(chǎn)能不足的情況下，恩智浦庫存在 20Q3 出現(xiàn)大幅下滑局面，存貨占滾動 12 個月營收比例也逐季下降至歷史低位，因此 NXP 在 2020 年底宣布產(chǎn)品全線漲價。在高景氣度下，恩智浦汽車業(yè)務(wù) 2020 年全年?duì)I收 38.3 億美元，在進(jìn)入 20Q2 以來，汽車業(yè)務(wù)營收持續(xù)上升。

3）瑞薩電子：火災(zāi)影響自有產(chǎn)能，存貨水平逐步下滑同時營收穩(wěn)步恢復(fù)

瑞薩自 2012 年起就開始將部分MCU產(chǎn)能轉(zhuǎn)移給外包給臺積電生產(chǎn)，今年則加大轉(zhuǎn)移力度。自有產(chǎn)能方面，2021 年 3 月，瑞薩位于日本茨城縣常陸那珂市的一座 12 寸 N3 廠發(fā)生火災(zāi)，該廠主要生產(chǎn)用于汽車、空調(diào)系統(tǒng)等的 MCU?；馂?zāi)不僅燒毀N3 樓一樓的部分潔凈室，還燒毀或影響生成設(shè)備共計(jì) 23 臺。到2021 年 4月至6 月，N3 大樓產(chǎn)能逐步恢復(fù)，但瑞薩出貨量的恢復(fù)預(yù)計(jì)要到 7 月第三周才能完全恢復(fù)。

在 20 年上半年由于疫情，瑞薩存貨出現(xiàn)積壓，而汽車銷量下滑更加劇了其庫存上升趨勢。在 20Q3 以來，產(chǎn)能受限同時車企訂單逐漸增多情況下，瑞薩庫存水平明顯下滑。

受本輪 MCU 缺貨潮影響，瑞薩于 2021 年 1 月起調(diào)漲部分邏輯 IC 和電源產(chǎn)品價格。缺 貨漲價帶來瑞薩營收穩(wěn)步上升，瑞薩 2020 年實(shí)現(xiàn)營收 7157 億日元（按 20 年匯率折合 為 67.5 億美元），其中汽車業(yè)務(wù)占比 47.6%，實(shí)現(xiàn)營收 3410 億日元（按 20 年匯率折 合為 32.2 億美元），同比增長 10.4%。

MCU 產(chǎn)能釋放相對有限，長期供需態(tài)勢表現(xiàn)健康???????????????

我們在第一篇《MCU 需求端多樣化，汽車和物聯(lián)網(wǎng)引領(lǐng)未來成長》文章中對 MCU 下游需求進(jìn)行了詳細(xì)拆分，發(fā)現(xiàn) MCU 長期需求持續(xù)旺盛，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

1）汽車智能化和電動化帶動車規(guī) MCU 需求量提升，同時新能源汽車智能化和電動化程度均要高于燃油車，且新能源車在電池管理等方面更為先進(jìn)，相較傳統(tǒng)燃油車車規(guī) MCU 顆數(shù)更多；

2）在工控領(lǐng)域，光伏電站等新能源逐漸普及拉動逆變器、整流器等需求，帶動 MCU 需求上升；

3）在家電領(lǐng)域，智能化變頻化等智能家居需求同樣拉動 MCU 增長；

4）在疫情得到控制之后，消費(fèi)電子等產(chǎn)品出貨量逐步恢復(fù)。

綜合來看， MCU 未來幾年將呈現(xiàn)較為明確的成長趨勢。

從制程節(jié)點(diǎn)看，全球 MCU 制造目前主要是 40nm 及以上的成熟制程工藝節(jié)點(diǎn)，先進(jìn)車用 MCU 已采用 28nm 制程。目前 MCU 主要集中于成熟制程，一方面系 MCU 本身對算力要求有限，暫不需要 14nm 及以下制程，另一方面，MCU 內(nèi)置的嵌入式存儲自身制程也限制 MCU 制程的提升。

嵌入式閃存（eFlash）是 MCU 中必不可少的組成部分，它不僅需要用來存儲代碼，而且需要用來存儲使用過程中產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，當(dāng)前制造 MCU 能達(dá)到的制程節(jié)點(diǎn)很大一部分原因是受限于 eFlash 制程工藝。制造 MCU 時，其存儲模塊的解決方案有兩種：嵌入式存儲器（eNVM）和系統(tǒng)級封裝 （片外存儲器-SiP）。

eNVM 工藝：是在邏輯工藝平臺基礎(chǔ)上開發(fā)的特殊工藝，通過這種工藝生產(chǎn)出帶有非揮發(fā)存儲器模塊的芯片。對于不同的 eNVM 工藝，需要增加不同層數(shù)的光罩，因此它的工藝成本相比于邏輯工藝有一定增加。

SiP 解決方案：通過 SiP 方式把一顆 NOR 閃存芯片和邏輯芯片封裝在一起，代碼和數(shù)據(jù)存儲在獨(dú)立、外掛的 NOR 閃存芯片上。兆易創(chuàng)新多個產(chǎn)品系列均使用 SiP 封裝模式。

目前，世界多數(shù) MCU 廠商主要使用 eNVM 方案，但 SiP 方案對于新進(jìn)入的公司極具吸 引力。SiP解決方案設(shè)計(jì)簡單、設(shè)計(jì)周期短，從而使廠商降低設(shè)計(jì)成本、加快上市速度；然而，SiP 解決方案無法滿足特定應(yīng)用場景的所有要求，綜合考慮到成本、功耗、速度、 安全性、穩(wěn)定性和可靠性要求，很多應(yīng)用場景下，使用 eNVM 是更好的解決方案。

全球MCU 頭部廠商均為IDM，多采用成熟制程工藝

全球 MCU 頭部廠商均為 IDM，90nm 及以上更成熟的制程主要使用自身的 8 英寸產(chǎn)線 進(jìn)行制造，但部分先進(jìn)制程會外包給技術(shù)領(lǐng)先的晶圓代工廠。當(dāng) MCU 步入 90nm/55nm/40nm/28nm 工藝時，自身 8 英寸在技術(shù)上很難滿足生產(chǎn)制造，因此傳統(tǒng) MCU IDM 廠商逐步將 MCU 外包給 TSMC、UMC、格芯等代工廠進(jìn)行代工制造。

以ST為例，ST 全球共有 13 個生產(chǎn)基地，其中3 個工廠用于生產(chǎn) MCU，主要位于新加坡和法國，包括 8 英寸和 12 英寸產(chǎn)線，據(jù)2020 年年報(bào)，ST 所有芯片產(chǎn)品中約 24%是由代工廠生產(chǎn) 的，ST 的總產(chǎn)能達(dá)到了約當(dāng) 8 英寸 12 萬片/周；恩智浦收購飛思卡爾后，位于美國的工廠成為了生產(chǎn) MCU 的主力；微芯有 3 個 Fab 用于生產(chǎn) MCU，均位于美國， 2020 年有 61%的半導(dǎo)體產(chǎn)品由外包工廠生產(chǎn)。

從意法半導(dǎo)體的各產(chǎn)品系列來看，大部分產(chǎn)品還是集中在 180/130nm、90nm 和 40nm 等成熟制程范圍。180/130nm 主要是主流型系列，包括 STM32F0/F1/F3 以及 8 位產(chǎn)品 STM8 系列；110nm 產(chǎn)品包括超低功耗的 STM32L0/L1；90nm 制程覆蓋的產(chǎn)品系列較廣，涵蓋了高性能、主流、超低功耗和無線四大類；最先進(jìn)的 40nm 制程則用于近年推出的產(chǎn)品，包括 2019 年推出的 STM32MP1（MPU）和高性能 H7， 以及 2021 年推出的超低功耗 STM32U5。但基于產(chǎn)品出貨量，ST 目前 MCU 主要以 90nm 及以上制程為主。

恩智浦和瑞薩是全球主要的汽車 MCU 供應(yīng)商，它們最先進(jìn)的車用 MCU 已經(jīng)采用了 28nm 制程。

國內(nèi)MCU 廠商均為Fabless，全球 MCU 代工廠主要集中在臺積電、聯(lián)電、格芯、中芯國際和華虹

中穎電子、復(fù)旦微等國產(chǎn) MCU 公司制程主要集中在 90nm 及以上微米級別，兆易創(chuàng)新、樂鑫科技、東軟載波等最先進(jìn)制程 MCU 已經(jīng)達(dá)到 40nm，兆易創(chuàng)新的 GD32E507/GD32E505 高性能微控制器，采用臺積電低功耗 40nm 嵌入式閃存制程。

全球 MCU 代工廠主要集中在臺積電、聯(lián)電、格芯、中芯國際和華虹等，ST、NXP、瑞薩主要給 TSMC/UMC 代工，國內(nèi)兆易創(chuàng)新等廠商主要在華虹代工，SMIC 給兆易創(chuàng)新和芯?？萍嫉却ぃ瑖鴥?nèi)廠商也在 TSMC/UMC 等代工。

對于全球主要的 MCU 代工廠，臺積電的 eFlash 制程范圍最廣，為 22nm-0.5um，聯(lián)電最先進(jìn)的 eFlash 技術(shù)可達(dá)到 40nm，格芯最先進(jìn)的 eFlash 技術(shù)可達(dá)到 40nm，同時 格芯已掌握 22nm eMRAM 技術(shù)。

1）全球代工廠?eFlash 技術(shù)解讀

臺積電：全球技術(shù)最先進(jìn)的芯片代工廠，2018 年 eFlash 晶圓出貨量位列全球第一，同時 2018 年推出了用于汽車的 40nm eFlash 技術(shù)量產(chǎn)，當(dāng)前已經(jīng)代工汽車領(lǐng)域的 28nm MCU，截至 2019 年年報(bào)，臺積電已具備了 22nm-0.5um 的 eFlash 技術(shù)。

聯(lián)電：2017 年推出 40nm eFlash 技術(shù)，也是公司目前能達(dá)到的最先進(jìn) MCU 制程，聯(lián)電用于制造 MCU 的制程都是 40nm 及以上成熟制程，目前 28nm 和 22nm eFlash 技術(shù)正在開發(fā)中。

格芯（Global Foundries）：最先進(jìn)的 eFlash 制程為 40nm，據(jù)官網(wǎng)信息，由于 eFlash 發(fā)展到 28nm 以后，在制造工藝上會遇到一定的限制，且 eMRAM（另一種非易失性存儲器，磁性隨機(jī)讀取存儲器）有望達(dá)到比 eFlash 更好的性能，格芯已于 2020 年投產(chǎn) 22nm eMRAM。格芯在全球擁有 5 家 8 英寸晶圓廠和 5 家 12 英寸晶圓廠，近期格芯宣布將在新加坡新建 12 英寸晶圓廠，預(yù)計(jì) 2023 年完工，當(dāng)下新加坡晶圓廠的制程為 40nm-180nm，屆時年產(chǎn)能將增加 45 萬片，整體新加坡廠區(qū)年產(chǎn)能上升至 150 萬片， 以此支援終端市場高速增長的需求。

2）全球代工廠制程應(yīng)用

臺積電營業(yè)收入以 14nm 及以下先進(jìn)制程為主，多用于智能手機(jī)及 HPC 等高性能應(yīng)用。據(jù)臺積電公告，公司 21Q1 營收中，28nm 及以下制程合計(jì)占比高達(dá) 74%，是公司營收的主要來源，90nm 及以上制程合計(jì)占比僅 14%。按平臺劃分營收，智能手機(jī)和 HPC 合計(jì)占比達(dá) 80%，IoT 和自動駕駛占比分別為 9%和 4%。2018 年后，40nm-90nm 制程范圍保持相對平穩(wěn)趨勢。

聯(lián)電的營收主要由成熟制程提供，通信、消費(fèi)和計(jì)算機(jī)等為主要營收領(lǐng)域。據(jù)公司公告，聯(lián)電 21Q1 營收中沒有 14nm 及以下制程的產(chǎn)品，22/28nm、40nm、65nm 占比都將近 20%，90nm-0.35um 之間的各制程占比接近。按應(yīng)用領(lǐng)域分類，通信占比達(dá) 46%，是 第一大領(lǐng)域，計(jì)算機(jī)以及消費(fèi)占比分別為 16%和 27%。從制程拆分?jǐn)?shù)據(jù)來看，聯(lián)電 40/65/90nm 三種制程合計(jì)營收穩(wěn)定，自 19Q4 以來聯(lián)電并未在 40/65/90nm 制程范圍有任何擴(kuò)產(chǎn)。

3）國內(nèi)代工廠制程工藝及產(chǎn)能

目前，國內(nèi) MCU 代工廠產(chǎn)能較小，具有 eFlash 技術(shù)的 MCU 代工廠有華虹宏力、中芯國際、上海華力等。從制程上看，華虹宏力擁有的 eFlash 制程范圍最廣，為 90nm-0.25um。中芯國際目前已擁有 0.162/0.18um eFlash 技術(shù)，與華虹宏力的 55nm 均在驗(yàn)證中。上海華力擁有 55nm eFlash 技術(shù)，40nm eFlash 技術(shù)正在開發(fā)中。

華虹集團(tuán)的 MCU 技術(shù)位居大陸代工企業(yè)前列，華虹宏力最先進(jìn) eFlash 技術(shù)達(dá) 90nm。華虹集團(tuán)下屬多個子公司，包括華虹宏力、上海華力、華虹無錫等，目前華虹宏力和華虹無錫最先進(jìn)的 eFlash 技術(shù)節(jié)點(diǎn)已達(dá) 90nm。

華虹宏力的 eNVM 銷售收入占比較高，MCU 代工是公司主要營收來源之一。華虹宏力是華虹集團(tuán)的子公司，是中國大陸地區(qū)的重要芯片代工企業(yè)，據(jù)公司公告，2021Q1 華虹宏力的 eNVM 銷售收入占比高達(dá) 31%，僅次于分立器件的銷售收入占比。

華虹 MCU 產(chǎn)能主要集中在 8 英寸產(chǎn)線，8 英寸產(chǎn)線產(chǎn)能利用率持續(xù)保持高位。據(jù)公司公告，華虹一廠、二廠和三廠是 8 英寸晶圓廠，MCU 主要使用 8 英寸晶圓生產(chǎn)，三條產(chǎn)線合計(jì)產(chǎn)能達(dá)到 17.8 萬片/月，之后產(chǎn)能未再增加；從 20Q2 開始， 8 英寸產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率一直高于 100%，且未來 8 英寸產(chǎn)線沒有大幅擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃，因此 8 英寸 MCU 產(chǎn)能增長相對有限。

華虹無錫 12 英寸線的產(chǎn)能釋放預(yù)計(jì)會帶來 MCU 增量產(chǎn)能。

1）8 英寸產(chǎn)線上的智能卡產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至 12 英寸產(chǎn)線，留出 8 英寸 MCU 增量空間。公司 2020 年已將具有 90nm eFlash 技術(shù)相關(guān)的智能卡產(chǎn)品順利轉(zhuǎn)移至 12 英寸產(chǎn)線。

2）12 英寸產(chǎn)線 MCU 技術(shù)平臺逐步完善，預(yù)計(jì) 21Q3-Q4 逐步輸出 MCU 產(chǎn)能。

上海華力最先進(jìn)的 eFlash 制程已達(dá) 55nm。據(jù)官網(wǎng)信息上海華力最先進(jìn)的 eFlash 技術(shù) 節(jié)點(diǎn)已達(dá) 55nm，公司的 55nm 2.5V 和 5V 兩個版本均可用于生產(chǎn) MCU，40nm eFlash 技術(shù)正在開發(fā)中。上海華力下有華虹五廠和華虹六廠兩個 12 英寸晶圓廠，其中華虹五 廠工藝水平覆蓋 65/55nm、40nm 和 28nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)，設(shè)計(jì)產(chǎn)能為 3.5 萬片/月，華虹六 廠主要覆蓋 28/22nm 和 14nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)。

中芯國際是目前大陸最先進(jìn)的芯片代工廠，最先進(jìn)的 eFlash 制程為 0.18/0.162um。據(jù)公司公告，中芯國際最先進(jìn)的工藝制程已達(dá) 14/28nm，擁有大陸芯片代工廠最先進(jìn)技術(shù)，但是中芯國際 eFlash 技術(shù)目前能達(dá)到的最高制程僅為 0.18/0.162um，并且 0.11um eFlash 技術(shù)還在研發(fā)當(dāng)中，后續(xù)隨著中芯國際在成熟制程領(lǐng)域的發(fā)力，我們認(rèn) 為 0.11um、90nm、40nm 等 eFlash 工藝平臺將逐漸成熟，預(yù)計(jì) 2022 年后將逐步輸出產(chǎn)能。

小結(jié)：

全球主要代工廠均在 2021 年大幅開啟資本支出進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)張，但對 40nm 及以上主流 MCU 制程產(chǎn)能擴(kuò)張相對有限。

1. TSMC：上修 2021 年資本支出為 300 億美元，其中 80%用于先進(jìn)制程 （3nm/5nm/7nm），10%用于特殊工藝，10%用于封裝及大規(guī)模生產(chǎn)。

1. UMC：全年資本支出從 15 億美元上修至 23 億美元，主要用于擴(kuò)產(chǎn) 22/28nm 產(chǎn)品 線。年初確定的 15 億美元資本支出大部分將用于擴(kuò)產(chǎn)南科 12A P5 廠，以 28nm 及 以下制程為主，2021 年南科 12A P5 廠產(chǎn)能預(yù)計(jì)增加 1 萬片/月。南科 12A P6 廠計(jì)劃未來三年擴(kuò)建，總資本支出約 1000 億新臺幣。另外，廈門 12X 廠（28/40/65nm） 產(chǎn)能目前已擴(kuò)產(chǎn)至約 2.5 萬片/月。

1. 格芯：擴(kuò)產(chǎn)主要集中在 12-90nm 制程，位于新加坡的晶圓廠預(yù)計(jì) 2023 年投產(chǎn)，每月增加 3.75 萬片產(chǎn)能，總產(chǎn)能增至 12.5 萬片/月。

1. 中芯國際：2021 年資本支出為 43 億美元，其中大部分用于擴(kuò)產(chǎn)成熟工藝，小部分用于先進(jìn)工藝、北京合資項(xiàng)目土建及其他。8 寸在 2021H2 有望增加 4.5 萬片/月， 目前已建設(shè) 1/3 產(chǎn)能。12 寸方面，2021 年 3 月中芯國際在深圳項(xiàng)目上簽署合作協(xié)議，計(jì)劃建設(shè)一條 4 萬片/月的成熟制程產(chǎn)線。另外在 2021 年底，12 寸線有望增加 1 萬片/月產(chǎn)能。

1. 華虹：2021 年資本支出為 13 億美元，華虹無錫 12 英寸產(chǎn)線當(dāng)前月產(chǎn)能 4 萬片（功 6.9% 16.3% 32.8% 4.1% 6.0% 30.3% 3.6% 14/28nm 40/45nm 55/65nm 90nm 0.11/0.13um 0.15/0.18um 0.25/0.35um 行業(yè)研究 敬請閱讀末頁的重要說明 Page 53 率分立 1.8 萬片+CIS 1 萬片+嵌入式和 BCD 工藝 1 萬片等），制程以 90nm 為主， 預(yù)計(jì)年底達(dá)到 6.5 萬片，后續(xù)增加產(chǎn)能以 55nm 為主，新增產(chǎn)能主要分配給 CIS、 MCU 等 eFlash 產(chǎn)品。

請關(guān)注下周文章《MCU缺貨漲價后的國產(chǎn)化浪潮（三）：全球 MCU 市場高度集中，多因素共振加速國產(chǎn)替代》