西數(shù)公司今天正式宣布了新一代閃存技術(shù) BiCS5，這是西數(shù)與鎧俠（原來的東芝存儲）聯(lián)合開發(fā)的。在原有 96 層堆棧 BiCS4 基礎(chǔ)上做到了 112 層堆棧，有 TLC 及 QLC 閃存兩種類型，最高核心密度 1.33Tb，是目前存儲密度最高的產(chǎn)品。

西數(shù)存儲芯片技術(shù)和制造高級副總裁Steve Paak博士表示，在進(jìn)入下一個十年的時候，一種新型的3D閃存對持續(xù)滿足不斷增長的數(shù)據(jù)容量及速率的需求至關(guān)重要，而BiCS5的成功研發(fā)體現(xiàn)了西數(shù)在閃存技術(shù)上的領(lǐng)導(dǎo)地位及路線圖的強(qiáng)大執(zhí)行力。

BiCS5閃存是西數(shù)目前最先進(jìn)、密度最高的3D NAND閃存，通過采用第二代多層存儲孔、改進(jìn)工藝及其他3D NANDg功能等手段顯著提升了存儲芯片的橫向存儲密度，再加上112層縱向堆棧，使得BiCS5與之前96層堆棧的BiCS4閃存技術(shù)有了明顯提升，存儲容量提升40%，IO性能提升了50%，同時優(yōu)化了成本。

西數(shù)BiCS5閃存主要有TLC及QLC閃存兩種類型，初期會以512Gb核心的TLC開始量產(chǎn)，后續(xù)會提供更多容量選擇，包括最高密度的1.33Tb QLC閃存，預(yù)計2020年下半年開始商業(yè)化量產(chǎn)，主要生產(chǎn)工廠是日本三重縣四日市及巖手縣北上市的晶圓廠。