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【電子】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 上交大 鄭益慧主講(模電講課水平堪比華成英,視頻質(zhì)量完

2023-07-19 08:49 作者:七海光熙  | 我要投稿



















IF:二極管正常工作時所能通過的最大平均電流

UR:最高工作反向電壓 50%UBR

IR:未擊穿時反向電流

fM:最高工作頻率 保證二極管單向?qū)щ娦?/p>



二,伏安特性折線化






二極管不等效畫法:中間加條線



小交流情況下二極管電流的估算




rd=UT/Id 動態(tài)電阻與溫度,靜態(tài)工作點(diǎn)有關(guān)

二極管的微變等效:

1.直流——ID

2.rd=UT/ID 交流等效電路



去掉直流電源作用:坐標(biāo)原點(diǎn)移到靜態(tài)點(diǎn),使交流電壓與交流電流比值近似為線性電阻。


w穩(wěn)壓二極管:需要 散熱性能好,通過大電流能力強(qiáng)

二極管的正向穩(wěn)壓性單一,而反向擊穿的穩(wěn)壓特性可通過摻雜不同濃度..做出不同穩(wěn)壓二極管


雙向穩(wěn)壓二極管:都截止 或一個導(dǎo)通 一個反向擊穿

I一定要大于Iz


要考慮到RL相對于R的大小,若RL過小,分壓過小,導(dǎo)致穩(wěn)壓二極管處于截止?fàn)顟B(tài),失去功效

2 穩(wěn)壓二極管必須時刻接上一限流電阻,限流電阻可抵消電源帶來的電壓快速上升,控制DZ兩端壓降在微小上升









箭頭方向:PN結(jié)導(dǎo)通方向(P指向N)



Rb:限流電阻 發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏




PN結(jié)正偏:擴(kuò)散運(yùn)動主導(dǎo) PN結(jié)反偏:漂移運(yùn)動主導(dǎo)

IEN:發(fā)射區(qū)的多子擴(kuò)散出去(自由電子)——很多

IEP:基區(qū)的多子(空穴)擴(kuò)散出去——很少

過程:1.發(fā)射結(jié)導(dǎo)通,自由電子向基區(qū)做擴(kuò)散運(yùn)動,

(在基區(qū)的非平衡少子由基區(qū)的寬度和摻雜濃度決定了復(fù)合的百分比)符合缺少的空穴由IB流出的電子平衡

可等效為進(jìn)入基區(qū)的電子大部分流向集電區(qū),少量從基級流出——(由于復(fù)合的比例近似固定,在一定擴(kuò)散速度下)由此近似理解為IC與IB成比例

2.集電結(jié)反偏,使集電結(jié)迅速吸收擴(kuò)散過來的電子,(保證了復(fù)合比例的固定)


ICBO為集電結(jié)兩側(cè)區(qū)域的少子的漂移運(yùn)動,電流很小,可忽略不計

IB=IBN+IEP-ICBO(忽略)

ICEO:穿透電流,基極開路時的電流

ICBO:反向電流



β與β杠近似相同






g關(guān)于輸出特性曲線的飽和區(qū)理解:IBE不變時,UCE不斷減小到某一特定壓降時,集電結(jié)由反偏變?yōu)檎?,功能由迅速吸收電子變?yōu)閷?dǎo)通電路(雙極正偏),IB與IC無關(guān),由此進(jìn)入飽和區(qū)







可以通過判斷:1.集電結(jié)是否正偏

或2.βIB>?ICmax

來判斷三極管是否進(jìn)入飽和區(qū)





極限值了解





β受溫度變化


MOS管的工作原理

優(yōu)點(diǎn):輸入功率幾乎沒有,溫度穩(wěn)定性好


柵極:控制極 源極:載流子發(fā)源處 漏極:載流子漏出處







原理:1.gB間的電壓 移走了兩N極間的空穴

并吸引P極的少子形成反型層,導(dǎo)通溝道(N溝道)

2.N溝道的導(dǎo)電能力隨Ugs變化而變化,可看作由Ugs控制的可變電阻器(Ugs控制Rgs)

3.Ugs(不變)>Ugsth(開啟電壓),UDS≠0


4.初始階段,iD與UDS成正比,Rds不變

5.預(yù)夾斷:隨UDS的不斷增大,當(dāng)UGD=UGS-UDS=UGS(th)時發(fā)生

不是真夾斷,留有微小縫隙

6.繼續(xù)增大UDS,RDS會隨UDS等比例增加,則iD恒定不變 恒流id只與UGS相關(guān),UGS越大,圖像斜率越高,恒流越大(只在恒流區(qū)UGS與iD成比例)





N溝道耗盡型MOS管:天生在絕緣層加正離子,使其存在初始N溝道

當(dāng)UGS>UGS(off)(負(fù))正常使用

結(jié)型場效應(yīng)管和特性









原理:與耗盡型MOS管原理十分相似

1.天生ds導(dǎo)通,GS加反向電壓使兩側(cè)耗盡層變厚,增加到一定程度真實(shí)夾斷

2.令UGS(off)<UGS<0不變,之后過程同耗盡型MOS管相似,UDS增大到一定程度發(fā)生預(yù)夾斷,iD與UGS成比例 (GS處于反偏狀態(tài)時 PN結(jié)的電阻很高)

注:UGS>0,PN結(jié)正偏導(dǎo)通,功能失效!




轉(zhuǎn)移特性曲線:(圖左)需在恒流區(qū)成立




圖中公式:iD與UGS關(guān)系在UGS(th)<ugs<2UGS(th)滿足(增強(qiáng)型)

耗盡型:把IDO換成IDSS(飽和)在UGS(off)到0成立



UGS(th):增強(qiáng)型

UGS(off):耗盡型 結(jié)型

IDSS:耗盡型 結(jié)型

RGS(DC)直流:MOS>1000兆Ω


基本放大電路的構(gòu)成















分析直接耦合 共射放大電路:

1.直接耦合:輸入信號沒有經(jīng)過濾波,直接與電路作用并輸出

2.Vcc作用:為在Bb1與 Rb2交界處的輸入信號提供了一個直流承載電壓,使得輸入三極管的信號為交直流信號

3.Rb1作用:使...交界處電壓不為ui,保證直交流混合輸入



放大電路的性能指標(biāo)







熟練敘述放大步驟!






(戴維南等效電路)

前一級的負(fù)載RL為第二級的輸入電阻Ri2

類比火車





輸入信號:1.低頻:耦合電容容抗大,信號過不去

2.高頻:旁路電容相當(dāng)于短路,放大效果也不好





Ri越大越好

R0越大越好:得到穩(wěn)定的U0或I0




放大電路的分析方法






交流通路:




uce變化量/ube變化量為Avv

Aii...類似,本質(zhì)為輸出與輸入信號峰峰值的放大倍數(shù)比較





交流小信號等效電路的分析:左圖圖解法獲得靜態(tài)工作點(diǎn)Q,輸入小信號,ube變化量與iB變化量之比近似等于Q點(diǎn)斜率的倒數(shù)=rbe(輸入端的等效)

對于輸出端:放大工作狀態(tài)時,iC=βiB,近似用受控電流源替代

對于等效的條件——直流置零的解釋:

rbe是ube,iB變化量比值的近似,需要將原點(diǎn)移到Q點(diǎn),即直流置零

但并不是指不存在直流!


H參數(shù)等效模型(略)



靜態(tài)影響動態(tài)電路:Q點(diǎn)影響rbe









rbe求解方法:rbe為動態(tài)等效

rbb’基區(qū)體電阻 re‘:發(fā)射區(qū)體電阻 很小 可以忽略

rb’e‘:PN結(jié)體電阻=UT/IEQ

由戴維南等效定理得:rbe=rbb’+(1+β)rb‘e’

基本共射放大電路分析














由于R0=RC

則Rc越大,越穩(wěn)定輸出電流

Rc越小,越穩(wěn)定輸出電壓


溫度影響靜態(tài)工作點(diǎn)導(dǎo)致輸出失真:




Q點(diǎn)穩(wěn)定的放大電路和基本共集放大電路




溫度升高 IC升高,Q點(diǎn)不穩(wěn)定 所以下圖為改進(jìn)Q點(diǎn)穩(wěn)定的放大電路


上圖為靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的放大電路:

分析:1.先不加RB2,只接入RE,原電路若T升高,IC升高,則IE升高,由于RE的存在,e點(diǎn)壓降升高,若假設(shè)b點(diǎn)壓降穩(wěn)定,則UBE下降,導(dǎo)致IC有下降的趨勢,則IC上升與下降趨勢平衡,重新穩(wěn)定

2。所以問題的關(guān)鍵是在接入RE基礎(chǔ)上穩(wěn)定b點(diǎn)電壓:并聯(lián)適當(dāng)阻值的RB2,使IB2>>IB,則b點(diǎn)壓降近似為RB1,RB2電阻分壓,由此b點(diǎn)電位穩(wěn)定


上圖為直接耦合的小信號等效電路::可以看到若增大RE, Au會降低,所以要去掉RE,可以在RE旁并聯(lián)一電容(但電容過多的電路不能做成集成電路)









筆誤:RE改為RE并聯(lián)RL

共集放大電路也稱射集跟隨器




共集放大電路:電壓跟隨 功率放大





Ri比共射電路的~大 可以搶信號源的信號


R0很小——輸出電壓穩(wěn)定性很好


共基放大電路(略)



基本放大電路的派生電路與場效應(yīng)管放大電路的分析原則





NPN:IC與IB流入,IE流出

PNP:IC與IB流出,IE流入

IE=IC+IB



要有合理的電流路徑才能等效復(fù)合管

第二級管為功率管且都是NPN管,性能相同

主管的結(jié)構(gòu)與等效結(jié)構(gòu)一樣{NPN或PNP)
















分析:對于N型MOS管組成的放大電路,需使電路工作在恒流區(qū):1.使UGS>UGS(th)——Vcc與RB的作用

2.使UDS足夠大——加入足夠大的直流源VCC

注意:由于絕緣層斷路,柵極電路沒有電流,則UGS=VCC+ui


N型MOS管的交流小信號電路的等效:


注意:iD的轉(zhuǎn)移特性曲線前提:工作在恒流區(qū)




rds原因:iD與UDS在恒流區(qū)的曲線并非平直,有微弱上翹,用大rds表示


多級放大電路的構(gòu)成與動態(tài)分析(不考)




需求:信號源內(nèi)阻不能忽略,輸出電壓無論RL如何變化都保持恒定















多級放大電路的動態(tài)分析是多個放大電路的疊加,不能單獨(dú)拉出一個電路直接分析


差分放大電路的構(gòu)成





從抑制溫漂的角度,Re越大越好,但對于直接耦合來說,不能在Re外并聯(lián)一大電容,從而不能做成集成電路:矛盾




Re作用:防止兩側(cè)電路零漂過大進(jìn)入飽和區(qū)

-VEE:等效兩側(cè)電路的直流信號

共模信號的物理意義:相當(dāng)于任意一個信號的干擾信號,將溫度干擾等效為可變電壓源,分別加壓在左右兩側(cè),因?yàn)樽笥覂呻娐窚囟茸兓葡嗟?,等效為一對共模信號輸入電路,此時Re翻倍,由于re與Au成反比(對于一半電路來說)所以共模信號被大大抑制,即使沒有差分電路的兩端電壓相減來消去干擾,共模信號已經(jīng)被徹底抑制

差模信號的物理意義:任意信號的有用部分,當(dāng)差模輸入差分電路時,re等效為0,信號被有效放大


差分電路的小信號交流電路:



改進(jìn):


交流等效電路:







(雙端輸出)








右下圖:共模信號的等效電路(直流,交流都為2Re)


(單端輸出)





Re>>Rc,則Aoc<<1 共模信號被抑制

另一半鏡像電路的最主要作用是在共模時2Re

,差模時Re為0,雙端還是單端輸出并不重要。(雙端輸出只是為了抑制干擾的另一道保險)




c差模信號(單端輸出)

則其輸出為基本共射放大電路的1/2




雙端輸入時,信號同時加到兩輸入端:分為Ui/2與-Ui/2為一對的差模信號,各種干擾為隱藏的共模信號

單端輸入時,信號加到一個輸入端與地之間,另一個輸入端接地



單入雙出相當(dāng)于雙入雙出帶共模

單入單出相當(dāng)于雙入單出帶共模



改進(jìn):


IC3受IE3控制 對于上電路來說下方三極管電路相當(dāng)于一電流源 不需要大VEE也可以提供一恒定電流,re=rce很大



直接耦合互補(bǔ)輸出級





OCL(無輸出電容器電路):


交越失真:克服開啟電壓




g改進(jìn):由于二極管離散型太強(qiáng),不易控制

將b1b2間電路用(b)代替

Ube近似為定值,則可以通過調(diào)節(jié)R1,R2阻值來控制Ub1b2間壓降,從而用直流電壓提供導(dǎo)通T1,T2的開啟電壓,克服了交越失真(工作在甲乙類,抬高電壓為2死區(qū)電壓)



甲類:不失真,放熱太大

集成運(yùn)放的電流源電路






電流源作用:1.提供靜態(tài)電流

2.R很大,當(dāng)負(fù)載用





通過控制R來控制IC

進(jìn)階:比例電流源




β很大時,


進(jìn)階:微電流源






右下角IC1與IR關(guān)系成立條件:β很大

改進(jìn):減小IB2,但不至于降低IE2所以加一放大電路

RE2:補(bǔ)償IE2,適當(dāng)提高IE2






優(yōu)點(diǎn):可以忽略β的影響 提高IC的抗溫度影響






i0=2iC1(只在差模輸入時)

共模輸入時i0=0


反饋電路











輸入端分為兩個輸入端子


瞬時極性分析法:+ -代表純交流信號或

直交流信號的瞬時正增量或負(fù)增量


分析:+ -與箭頭方向代表的是對應(yīng)電流或電壓信號增量的正負(fù),方向




上圖:判斷正負(fù)反饋的方法


圖1:u1的正增量使uN為正增量,但uN為反向輸入端,使得uD為負(fù)增量,負(fù)反饋(反饋信號與輸入信號不在同一端子)

集成電路的Ri(輸入電阻)——10*9等效于斷路——虛斷

負(fù)反饋的目的就是為了讓電路虛短

UP=UN

虛短條件:工作在線性工作區(qū)

放大倍數(shù)越大,虛短誤差越小





對于三極管:輸入端為正極性,IC為向下的增量電流,上-下+

輸入端為負(fù)極性,IC為向上的增量電流,

上+下-

第一個RE電阻針對本級為本級負(fù)反饋

針對整個電路為級間負(fù)反饋






放大器反相的輸入端是指輸入端和輸出端的極性相反。同相輸入端是指指輸入端和輸出端的極性相同。


在判定為負(fù)反饋的基礎(chǔ)上

判定是何種負(fù)反饋


若U0置零后沒有負(fù)反饋——電壓反饋

若U0置零后仍有負(fù)反饋——電流反饋


上圖為電壓負(fù)反饋


上圖為電流負(fù)反饋




所以RE為電流負(fù)反饋


反饋信號與輸入信號一定是相同量綱的信號(同電壓或同電流)

所以串并聯(lián)表示的是輸入與反饋信號間的疊加方式與信號性質(zhì)

串聯(lián)——電壓疊加 并聯(lián)——電流疊加

反饋信號與輸入信號:在同一端子 電流疊加

在不同端子 電壓疊加




電壓負(fù)反饋就穩(wěn)定輸出電壓——電壓型信號源

電流負(fù)反饋就穩(wěn)定輸出電流——電流型信號源

串聯(lián)負(fù)反饋——電壓放大

并聯(lián)負(fù)反饋——電流放大




上圖將電流源信號轉(zhuǎn)換成電壓源信號輸出


串并聯(lián)組態(tài)決定了輸入量與反饋量是什么信號

并聯(lián)組態(tài)輸入信號一定為電流源 否則沒有反饋

串聯(lián)是同理


反饋放大電路的方塊圖













深度負(fù)反饋本質(zhì):A極大,Af用1/F代替A,由于A不穩(wěn)定(溫度影響之類)而反饋電路常用純電阻電路 F穩(wěn)定


虛短本質(zhì):在引入深度負(fù)反饋條件下,由于A很大,Af忽略Xi‘(靜輸入)的影響,用1/F代替。即Xi’=Up-UN=0 虛短(靜輸入量為電流也一樣)





第一個電路:壓串




第二個電路:流串



第三個電路:壓并


第四個電路:流并(略)

深度負(fù)反饋放大電路的分析






反相輸入端看作斷路





用虛短求的更快

a b圖用虛斷 c d圖用虛短將反饋網(wǎng)絡(luò)可看成獨(dú)立系統(tǒng)



輸入信號源:若Rs大一些,就看成電流源并上Rs

若Rs小一些,就看成電壓源串聯(lián)Rs


左:c圖 右:d圖



求AUUF步驟:




對于NPN:基級:+ 集電極:- 發(fā)射極+

PNP:基級:+ 發(fā)射極:+ 集電極:-




y右邊為第二個圖的答案





流并


基本運(yùn)算電路











此反相比例運(yùn)算電路的輸入電阻為0


改進(jìn):





s輸入電阻無窮大 適合取電壓信號 要求有比較好的共模抑制性能

R‘為平衡電阻=R并聯(lián)Rf


U0=Ui












ui1,ui2置零ui3 ui4輸入為+

ui3,ui4置零ui1,ui2輸入為-

即ui3+ui4-ui1-ui2









(b)方波變換為三角波

電壓比較器









過零比較器:



二極管作用:保護(hù)Ui不要過大

雙向穩(wěn)壓管:RL要大一些 使穩(wěn)壓管能被反向擊穿


改進(jìn)電路:











一般單限比較器:







通過調(diào)節(jié)一般單限比較器的UT 就可以調(diào)節(jié)輸出方波的占空比


遲滯比較器:正反饋 使得U0突變很快 斜率近乎無窮




改進(jìn):UT1與UT2不對稱 只需使接地點(diǎn)變?yōu)橹绷麟妷?/p>

UT1 UT2關(guān)于UREF中心對稱




1:可用于濾掉干擾 做整形信號






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