編輯-Z

ST/意法STW78N65M5汽車級MOSFET參數(shù)：

型號：STW78N65M5

連續(xù)漏極電流（ID）：69A

功耗（Ptot）：450W

貯存溫度和工作結(jié)溫（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃

漏源擊穿電壓V(BR)DSS：650V

柵極閾值電壓V(GS)th：4V

零柵極電壓漏極電流（IDSS）：1uA

柵源漏電流（IGSS）：±100nA

漏源導通電阻RDS(on)：0.024Ω

輸入電容（Ciss）：9000pF

輸出電容（Coss）：210pF

二極管正向電壓（VSD）：1.5V

反向恢復時間（trr）：504ns

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STW78N65M5是N通道MDmesh? V功率MOSFET基于創(chuàng)新的專有垂直工藝技術(shù)，與STMicroelectronics著名的PowerMESH相結(jié)合的水平布局結(jié)構(gòu)。STW78N65M5具有極低的導通電阻，這在硅基功率MOSFET中是無與倫比的，使其特別適用于需要高功率密度和卓越效率的應(yīng)用。

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STW78N65M5特征：

專為汽車應(yīng)用而設(shè)計，符合AEC-Q101標準

更高的VDSS等級

更高的dv/dt能力

出色的切換性能

易于駕駛

100%雪崩測試

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STW78N65M5應(yīng)用：

切換應(yīng)用

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強元芯電子原廠渠道代理各種車規(guī)級MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。