編輯-Z

ASE4N65SE在TO-220F封裝里的靜態(tài)漏極源導通電阻（RDS(ON)）為2.5Ω，是一款N溝道高壓MOS管。ASE4N65SE的最大脈沖正向電流ISM為16A，零柵極電壓漏極電流(IDSS)為10uA，其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。ASE4N65SE功耗（PD）為50W。ASE4N65SE的電性參數(shù)是：正向電流(Io)為4A，漏極-源極擊穿電壓為650V，二極管正向電壓(VSD)為1.4V，其中有3條引線。

?

ASE4N65SE參數(shù)描述

型號：ASE4N65SE

封裝：TO-220F

特性：N溝道高壓MOS管

電性參數(shù)：4A 650V

正向電流(Io)：4A

靜態(tài)漏極源導通電阻（RDS(ON)）：2.5Ω

功耗（PD）：50W

二極管正向電壓(VSD)：1.4V

最大脈沖正向電流ISM：16A

零柵極電壓漏極電流(IDSS)：10uA

工作溫度：-55~+150℃

引線數(shù)量：3

?

ASE4N65SE是TO-220封裝系列。它的本體長度為15.87mm，加引腳長度為28.8mm，寬度為10.16mm，高度為4.7mm，腳間距為2.54mm。

?

以上就是關(guān)于ASE4N65SE-ASEMI高壓MOS管ASE4N65SE的詳細介紹。ASEMI產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：開關(guān)電源、LED照明、集成電路、移動通訊、計算機、工業(yè)自動化控制設(shè)備、汽車電子以及液晶電視、IoT、智能家居、醫(yī)療儀器、 電磁爐等大小家電。