我們已經(jīng)對半導(dǎo)體的硅片制造和晶圓加工設(shè)備有了基本了解，現(xiàn)在我們繼續(xù)介紹半導(dǎo)體設(shè)備的最后一個領(lǐng)域，即后道封測設(shè)備，接下來讓我們一起出發(fā)吧。

封測設(shè)備包括封裝設(shè)備與測試設(shè)備。封裝設(shè)備方面，主要包括與引線鍵合工藝中背面減薄、晶圓切割、貼片、引線鍵合、模塑密封、切筋成型六大工序相對應(yīng)，傳統(tǒng)封裝設(shè)備按工藝流程主要分為減薄機(jī)、劃片機(jī)、貼片機(jī)、引線鍵合機(jī)、塑封機(jī)及切筋成型機(jī)。在以凸點焊Bumping代替引線鍵合的先進(jìn)封裝工藝中，還需用到倒裝機(jī)、植球機(jī)、回流爐等設(shè)備。此外，如硅通孔TSV等先進(jìn)封裝工藝中也會用到光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、電鍍機(jī)、PVD、CVD等。測試設(shè)備方面，則是指用于后道封測環(huán)節(jié)的檢測設(shè)備，根據(jù)功能的不同包括分選機(jī)、測試機(jī)、探針臺。

1、封裝設(shè)備：封裝行業(yè)精度、技術(shù)門檻高，設(shè)備精度要求在微米級別。由于芯片良品率會導(dǎo)致生產(chǎn)成本的差異，半導(dǎo)體設(shè)備所能提供的良率將直接影響上層產(chǎn)品的盈利能力。根據(jù)思摩爾公司的測算，當(dāng)良品率從85%提高至90%，毛利率將增加9.06%，當(dāng)良品率進(jìn)一步從85%增加至95%，對應(yīng)的毛利率將增加17.3%。我們將主要的封裝設(shè)備總結(jié)為下表：

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（1）傳統(tǒng)封裝設(shè)備

貼片機(jī)（Die bonder），也稱固晶機(jī)，是封測的芯片貼裝（Die attach）環(huán)節(jié)中最關(guān)鍵、最核心的設(shè)備。其功能主要是將芯片從已經(jīng)切割好的晶圓（Wafer）上抓取下來，并安置在基板對應(yīng)的Die flag上，利用銀膠（Epoxy）把芯片和基板粘接起來。貼片機(jī)可高速、高精度地貼放元器件，并實現(xiàn)定位、對準(zhǔn)、倒裝、連續(xù)貼裝等關(guān)鍵步驟。無論封裝方式如何演變，封裝過程都離不開貼裝過程。隨著芯片小型化的需求，要求貼片機(jī)的精度范圍在3~5微米之間。為了達(dá)到精細(xì)化的貼裝，封裝廠的先進(jìn)封裝產(chǎn)線對貼片機(jī)的精度、速度、良品率、穩(wěn)定性的要求都非常高，在先進(jìn)封裝過程中貼片機(jī)是最關(guān)鍵、最核心的設(shè)備。

貼片機(jī)可按照應(yīng)用的不同分為先進(jìn)封裝設(shè)備（包括FC封裝貼片機(jī)、FO封裝貼片機(jī)和2.5D/3D貼片機(jī)）和傳統(tǒng)封裝設(shè)備（包括傳統(tǒng)封裝貼片機(jī)和疊層封裝貼片機(jī)）。傳統(tǒng)封裝貼片機(jī)的生產(chǎn)速度可達(dá)到15千個每小時，疊層封裝可達(dá)到2千個每小時，先進(jìn)封裝中FC封裝貼片機(jī)可達(dá)8千個每小時，F(xiàn)O封裝貼片機(jī)可達(dá)6千個每小時，而2.5D/3D貼片機(jī)則為2千個每小時。由于FC倒裝設(shè)備是否屬于先進(jìn)封裝在業(yè)內(nèi)存在爭議，因此晶圓級封裝的貼片機(jī)是先進(jìn)封裝設(shè)備的最典型代表。

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劃片機(jī)，按晶圓上的劃片街區(qū)（晶圓上的芯片之間留有80um至150um的間隙，此間隙被稱之為劃片街區(qū)）將每一個具有獨立電氣性能的芯片通過切割分離出來。晶圓劃片主要有刀輪切割和激光切割兩種，目前刀輪切割占據(jù)主流路線。鐳射切割主要應(yīng)用于邏輯芯片，控制芯片等高技術(shù)要求的芯片，占比約為15到20%，刀片切割則應(yīng)用于其余的低技術(shù)要求芯片中。劃片機(jī)的生產(chǎn)速度根據(jù)統(tǒng)計平均約為6千個每小時。

鍵合機(jī)，又稱引線機(jī)，使用金屬絲（金線、銅線、鋁線等），利用熱壓或者超聲能源，完成芯片與電路或引線框架之間的連接。按照工藝技術(shù)，鍵合分為球形焊接（ball bonding）和楔形焊接（wedge bonding）；按照焊接原理分為熱壓焊、超聲波焊、熱超聲波焊。大部分引線機(jī)焊接速度在每秒24根引線。主要應(yīng)用于大功率器件、MOSFET、IGBT、發(fā)光二極管（LED）、激光管（激光）、中小型功率三極管、集成電路和一些特殊半導(dǎo)體器件的內(nèi)引線焊接。由于倒裝技術(shù)的發(fā)展不再需要引線，因此引線機(jī)的市場份額會隨著先進(jìn)封裝時代的發(fā)展而下降。

晶圓減薄機(jī)，主要用于晶圓的背面減薄工藝中。晶圓減薄的主要工序為首先在正面（Active Area）貼膠帶保護(hù)電路區(qū)域，同時研磨背面。研磨之后，去除膠帶，測量厚度。其中，磨削包括粗磨、精磨和拋光三個階段。

塑封設(shè)備可以將芯片可靠地封裝到一定的塑料外殼內(nèi)。塑封體對原本裸露于外界的芯片、器件以及連接線路進(jìn)行支撐、保護(hù)，保證了芯片使用的可靠性。塑封設(shè)備的工作效率可達(dá)每小時35千個芯片。激光打標(biāo)、引腳電鍍、切筋成型設(shè)備主要對塑封后的芯片進(jìn)行激光打標(biāo)、引腳電鍍、切筋成型等處理。其中切筋成型是將已完成封裝的產(chǎn)品成型為滿足設(shè)計要求的形狀與尺寸，并從框架或基板上切筋、成型、分離成單個的具有設(shè)定功能的成品的過程。在芯片塑封后，其穩(wěn)定性大幅增強(qiáng)，因此塑封之后對封裝設(shè)備的技術(shù)要求相對較低。

（2）先進(jìn)封裝設(shè)備

對于先進(jìn)封裝可以參考我們在芯片產(chǎn)業(yè)鏈系列之封裝測試中的介紹，先進(jìn)封裝的發(fā)展可以增大封裝設(shè)備需求，具體表現(xiàn)在：先進(jìn)封裝中，芯片層數(shù)增加，芯片厚度需要更加輕薄以減小體積，因此減薄設(shè)備需求增加；Chiplet中，芯片變小且數(shù)量變多，劃片時需要將晶圓切割為更多小芯片，因此劃片機(jī)需求的數(shù)量和精度都會提升；芯片變小且數(shù)量提高之后，對貼片機(jī)的需求量和精度要求都會提升。接下來我們從先進(jìn)封裝工藝的角度對其所用到的設(shè)備進(jìn)行簡單介紹。

Bumping（凸塊）工藝設(shè)備，主要應(yīng)用與凸塊工藝中。凸塊是定向指生長于芯片表面，與芯片焊盤直接或間接相連的具有金屬導(dǎo)電特性的突起物。根據(jù)材料，凸塊可分為金凸塊、銅鎳金凸塊、銅柱凸塊、焊球凸塊。凸塊是芯片倒裝必備工藝，是先進(jìn)封裝的核心技術(shù)之一。

以金/銅凸塊為例，Bumping的工藝主要為：（1）采用濺射或其他PVD的方式在晶圓表面沉積一層Ti/Cu等金屬作為電鍍的種子層；（2）在晶圓表面涂一定厚度的光刻膠并光刻出所需圖形；（3）對晶圓進(jìn)行電鍍，通過控制電鍍電流大小、電鍍時間等，從光刻膠開窗圖形底部生長并得到一定厚度的金屬層；（4）去除多余光刻膠。錫凸塊工藝與銅凸塊流程相似，其結(jié)構(gòu)主要由銅焊盤和錫帽構(gòu)成（一般配合再鈍化和 RDL 層），差別主要在于焊盤的高度較低，同時錫帽合金是成品錫球通過鋼板印刷，在助焊劑以及氮氣環(huán)境下高溫熔融回流與銅焊盤形成的整體產(chǎn)物。銅鎳金凸塊工藝采用晶圓凸塊的基本制造流程，電鍍厚度超過10μm。新凸塊替代了芯片的部分線路結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了I/O設(shè)計，大幅降低了導(dǎo)通電阻。

知道了凸塊的工藝流程，就可以發(fā)現(xiàn)在其工序中用到光刻機(jī)等多種前道設(shè)備，可以參考我們對前道設(shè)備的介紹，在此不再贅述。除了這些前道設(shè)備外，凸塊主要用到的先進(jìn)封裝設(shè)備為倒裝機(jī)、植球機(jī)、回流爐等。倒裝機(jī)即是用于倒裝芯片的貼片機(jī)。植球機(jī)是在芯片上種植焊球的設(shè)備，可以大批量的芯片植球。回流焊機(jī)也叫再流焊機(jī)或“回流爐”，它是通過提供一種加熱環(huán)境，使焊錫膏受熱融化從而讓表面貼裝元器件和PCB焊盤通過焊錫膏合金可靠地結(jié)合在一起的設(shè)備。

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TSV工藝設(shè)備，主要應(yīng)用于硅通孔工藝中。TSV的制作工藝流程包括：（1）通孔刻蝕：深反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）、激光刻蝕、濕法刻蝕；（2）絕緣層、阻擋層和種子層沉積：PECVD、MOCVD、PVD；（3）通孔內(nèi)導(dǎo)電物質(zhì)填充：MOCVD填充鎢、LPCVD填充多晶硅、電鍍填充銅；（4）晶圓減薄：CMP；（5）疊層鍵合：氧化物鍵合、金屬鍵合、粘合劑鍵合。通過工藝流程可以知道TSV工藝設(shè)備主要用到的是刻蝕、沉積、電鍍、CMP等前道設(shè)備，以及鍵合設(shè)備。

RDL工藝設(shè)備，主要應(yīng)用于RDL工藝中。RDL的主要工藝包括：（1）形成鈍化絕緣層并開口；（2）沉積粘附層和種子層；（3）光刻顯影形成線路圖案并電鍍填充；（4）去除光刻膠并刻蝕粘附層和種子層；（5）重復(fù)上述步驟進(jìn)行下一層的 RDL 布線。RDL需要的設(shè)備包括曝光設(shè)備、PVD設(shè)備等，也主要是前道設(shè)備。

從市場規(guī)模來看，根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體封裝設(shè)備市場規(guī)模為71.7億美元，占同期全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模

的比例約為7%。其中貼片機(jī)占30%，劃片機(jī)占28%，鍵合機(jī)約占23%，切筋與塑封設(shè)備占比18%，電鍍設(shè)備在封裝設(shè)備行業(yè)中占比最小，大約在1%左右。

從競爭格局來看，全球封裝設(shè)備呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，ASM Pacific、K&S、Besi、Disco、Towa、Yamada等公司占據(jù)了絕大部分的封裝設(shè)備市場，行業(yè)高度集中。ASM Pacific產(chǎn)品覆蓋面最廣，全球市場占有率達(dá)22.5%，為封裝裝備龍頭。Disco在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域主要涉及減薄機(jī)、劃片機(jī)及切筋成型設(shè)備，是后道工藝中減薄機(jī)及劃片機(jī)領(lǐng)域的細(xì)分龍頭，據(jù) SEMI，2020年Disco 在劃片機(jī)及減薄機(jī)中的市占率分別達(dá)81%、73%。Besi主要產(chǎn)品為貼片機(jī)、塑封機(jī)等設(shè)備，產(chǎn)品譜系較廣；K&S的優(yōu)勢設(shè)備主要為鍵合機(jī)。

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2、測試設(shè)備：我們已經(jīng)知道半導(dǎo)體檢測根據(jù)使用的環(huán)節(jié)以及檢測項目的不同，可分為前道檢測和后道檢測。半導(dǎo)體測試環(huán)節(jié)是避免“十倍成本”的關(guān)鍵。所謂“十倍成本”是指芯片故障若未在測試環(huán)節(jié)中發(fā)現(xiàn)，那么在后續(xù)電路板級別中發(fā)現(xiàn)故障導(dǎo)致的成本將在十倍以上。本文所說的測試設(shè)備即為后道測試設(shè)備，按照封裝前后分為晶圓檢測（ CP）和成品檢測（ FT），主要系功能和電參數(shù)性能的檢測，屬于半導(dǎo)體制造后道檢測，主要測試設(shè)備為測試機(jī)、探針臺、分選機(jī)。CP測試主要用到測試機(jī)、探針機(jī)；FT測試主要用到測試機(jī)、分選機(jī)。

注：我們之前已經(jīng)講過芯片的三種測試：WAT、CP和FT。在此再補(bǔ)充一下流程信息：晶圓代工廠制造完成的晶圓在出廠前會經(jīng)過一道電性測試，稱為WAT。WAT通過的晶圓被送去封測廠，封測廠首先進(jìn)行CP測試，完成后進(jìn)入封裝環(huán)節(jié)。封裝完成后的產(chǎn)品再進(jìn)行FT測試，通過的產(chǎn)品才能對外出貨。因此一般情況下，WAT是在晶圓廠完成的，CP和FT則都是在封裝廠完成的。此外，過程控制測試為晶圓制造全過程的檢測，主要用到光學(xué)顯微鏡、缺陷觀測設(shè)備等；設(shè)計驗證測試由于為對芯片樣片的全流程檢測，我們在之前的篇章中已經(jīng)進(jìn)行過介紹。

CP測試通過探針臺和測試機(jī)配合使用，測試過程主要為：探針臺將晶圓逐片傳送至測試位置，芯片端點通過探針、專用連接線與測試機(jī)的功能模塊進(jìn)行連接，測試機(jī)對芯片施加輸入信號并采集輸出信號，以判斷芯片功能和性能是否達(dá)到設(shè)計規(guī)范要求。對裸片的測試結(jié)果通過通信接口傳送至探針臺，探針臺會根據(jù)相應(yīng)的信息對芯片進(jìn)行打點標(biāo)記，形成晶圓的Mapping，即晶圓的電性能測試結(jié)果。CP測試設(shè)備主要由支架、測試機(jī)、探針臺、探針卡等部件組成。CP測試會統(tǒng)計出晶圓上的芯片合格率、不合格芯片的確切位置和各類形式的良率等，可用于指導(dǎo)芯片設(shè)計和晶圓制造的工藝改進(jìn)。

FT測試通過分選機(jī)和測試機(jī)配合使用，測試過程主要為：分選機(jī)將被測芯片逐個傳送至測試工位，被測芯片的引腳通過測試工位上的基座、專用連接線與測試機(jī)的功能模塊進(jìn)行連接，測試機(jī)對芯片施加輸入信號并采集輸出信號，判斷芯片功能和性能是否達(dá)到設(shè)計規(guī)范要求。測試結(jié)果通過通信接口傳送至分選機(jī)，分選機(jī)據(jù)此對被測芯片進(jìn)行標(biāo)記、分選、收料或編帶。FT測試系統(tǒng)通常由支架、測試機(jī)、分選機(jī)、測試板和測試座組成。FT測試環(huán)節(jié)的數(shù)據(jù)可以用于指導(dǎo)封裝環(huán)節(jié)的工藝改進(jìn)。

CP測試和FT測試在確保芯片良率、控制生產(chǎn)成本、指導(dǎo)IC設(shè)計和生產(chǎn)工藝改進(jìn)等方面都起到了至關(guān)重要的作用。對于兩者的區(qū)別我們簡述如下，CP的主要目的在于挑出壞的裸片，減少后續(xù)的封裝和FT測試成本；FT的主要目的確保芯片符合交付要求，避免將不合格的芯片交付給下游用戶。相比于FT，CP的技術(shù)要求更高，難度更大。芯片封裝后處于良好的保護(hù)狀態(tài)，體積也較晶圓狀態(tài)的裸片增加幾倍至數(shù)十倍，因此FT對潔凈等級和作業(yè)精細(xì)程度的要求較CP低一個級別，但測試作業(yè)的工作量和人員用工量更大。接下來我們對測試設(shè)備進(jìn)行一一介紹。

（1）測試機(jī)：是檢測芯片功能和性能的專用設(shè)備，其使用貫穿于設(shè)計驗證、CP和FT。測試機(jī)對芯片施加輸入信號，采集被檢測芯片的輸出信號與預(yù)期值進(jìn)行比較，判斷芯片在不同工作條件下功能和性能的有效性。

按照測試機(jī)所測試的芯片種類不同，測試機(jī)可以分為模擬/數(shù)?；旌项悳y試機(jī)、SoC測試機(jī)及存儲器測試機(jī)等。模擬類測試機(jī)主要針對以模擬信號電路為主、數(shù)字信號為輔的半導(dǎo)體而設(shè)計的自動測試系統(tǒng)；SoC測試機(jī)主要針對SoC芯片即系統(tǒng)級芯片設(shè)計的測試系統(tǒng)；存儲測試機(jī)主要針對存儲器進(jìn)行測試，一般通過寫入一些數(shù)據(jù)之后在進(jìn)行讀回、校驗進(jìn)行測試。存儲、SoC測試機(jī)技術(shù)難度相對較大。

（2）探針臺：負(fù)責(zé)晶圓輸送與定位，使晶粒依次與探針接觸完成測試。探針臺主要提供wafer的自動上下片、找中心、對準(zhǔn)、定位以及按照設(shè)置的步距移動wafer的功能，以使探針卡上的探針總是能對準(zhǔn)硅片相應(yīng)位置進(jìn)行測試。由于探針臺只涉及探針與焊盤的可靠接觸，電性測試由專用的測試機(jī)來執(zhí)行，使得探針臺可以通過通訊接口搭載不同的測試機(jī)，實現(xiàn)對各種晶圓進(jìn)行針測的可能。因此，探針臺成為一臺在晶圓針測中可以普遍適用的通用性工藝裝備。

（3）探針卡：是半導(dǎo)體晶圓測試中被測芯片和測試機(jī)之間的接口，被認(rèn)為是測試設(shè)備的“指尖”，是晶圓測試的核心耗材。晶圓測試時，被測對象安置于探針臺之上，然后用探針卡上的探針與芯片上的pad（焊墊）或Bump（凸塊）直接接觸，使得測試機(jī)和芯片直接進(jìn)行信號通訊，并將被測器件中的反饋信號傳輸回測試機(jī)，從而完成測試機(jī)對芯片的參數(shù)測試。

探針卡屬于定制器件，不具備通用性，但使用壽命相對較長，因此具備設(shè)備和耗材的雙重屬性。每一種芯片的引腳排列、尺寸、間距變化、頻率變化、測試電流、測試機(jī)臺有所不同， 都需要供應(yīng)商根據(jù)芯片設(shè)計公司提供的輸入信息進(jìn)行探針卡的定制化設(shè)計，以滿足特定產(chǎn)品的測試需求。所以隨著芯片產(chǎn)品型號增加、產(chǎn)量增長，晶圓測試需求增加，對探針卡的消耗量也將大幅增長。

隨著技術(shù)的迭代發(fā)展，探針卡已從懸臂式探針卡、垂直式探針卡發(fā)展進(jìn)入MEMS探針卡時代。傳統(tǒng)探針是通過對特定合金進(jìn)行拉絲工藝得到的，難以獲得一致性良好的微米直徑級別的材料。MEMS制造技術(shù)則可制作出微米級結(jié)構(gòu)的MEMS探針用于探針卡。此外，MEMS探針卡可以實現(xiàn)整個晶圓的同測，避免了反復(fù)測試對晶圓的傷害。MEMS探針卡憑借高密度細(xì)間距的陣列排布、滿足整個晶圓同測、可測試超高頻、吞吐量大、測試可靠性高等優(yōu)勢，逐漸成為探針卡的主流應(yīng)用。

探針卡主要由PCB、探針、MLC/MLO陶瓷基板等構(gòu)成，PCB板主要用于承載探針，為確保針距不發(fā)生較大位移，依據(jù)應(yīng)用環(huán)境選用不同的材料（包括金屬片、陶瓷片、環(huán)氧樹脂及垂直頭等），將探針固定于PCB板。探針是探針卡中價值量最大的部件，占探針卡總成本近五成。

（4）分選機(jī)：具有承載待測品進(jìn)行測試的自動化機(jī)械結(jié)構(gòu)，其內(nèi)有機(jī)械機(jī)構(gòu)將待測品一顆顆從標(biāo)準(zhǔn)容器內(nèi)自動的送到測試機(jī)臺的測試頭（Test Head）上接受測試，測試的結(jié)果傳回分選機(jī)，而后分選機(jī)依其每顆待測品的電性測試結(jié)果來作分類（此即產(chǎn)品分Bin）的過程。

根據(jù)傳輸方式不同，半導(dǎo)體分選機(jī)分為平移式、轉(zhuǎn)塔式、重力式、測編一體機(jī)四類型。分選機(jī)廣義的終測分選流程為：上料、方向檢測、電參數(shù)檢測、激光打印及印字打印、2D 引腳/3D5S檢測、分選和編帶。普通分選機(jī)在上料后僅配合測試機(jī)進(jìn)行電參數(shù)檢測，完成后便開始分選和編帶。測編一體機(jī)可完成上述所有流程，實際上測編一體機(jī)也可以分為重力式、平移式、轉(zhuǎn)塔式等類型，由于集成功能較多，因此結(jié)構(gòu)復(fù)雜，技術(shù)壁壘較高。具體來看，重力式分選機(jī)結(jié)構(gòu)簡單，投資?。黄揭剖竭m用范圍廣、測試時間較長或先進(jìn)封裝情況下優(yōu)勢明顯；轉(zhuǎn)塔式適合體積小、重量小、測試時間短的芯片。

從市場規(guī)模來看，據(jù)SEMI 和Frost & Sullivan 2022年預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，2023年半導(dǎo)體測試設(shè)備市場規(guī)模有望達(dá)70.7億美元，同-7.3%；其中中國半導(dǎo)體測試設(shè)備市場規(guī)模預(yù)計為25.3億美元，同比-3.1%，占比提升至36%。2024年市場有望迎來拐點，預(yù)計全球半導(dǎo)體測試設(shè)備市場規(guī)模有望達(dá)81.9 億美元，同比+15.8%；其中中國半導(dǎo)體測試設(shè)備市場規(guī)模約為27.9億美元，同比+10.3%，占全球34%。

從市場結(jié)構(gòu)來看，測試設(shè)備中，測試機(jī)在CP、FT兩個環(huán)節(jié)皆有應(yīng)用，而分選機(jī)和探針臺分別僅在設(shè)計驗證和成品測試環(huán)節(jié)及晶圓檢測環(huán)節(jié)與測試機(jī)配合使用，且測試機(jī)研發(fā)難度大、單機(jī)價值量更高，因此測試機(jī)價值量占比最大，達(dá)到63%占比，而分選機(jī)、探針臺占比分別為17%、15%。在測試機(jī)市場空間占比中SoC、存儲器、模擬/數(shù)?；旌项?、其他測試機(jī)分別為60%、21%、15%和4%。

從競爭格局來看，全球半導(dǎo)體后道測試設(shè)備行業(yè)高度集中，測試機(jī)市場呈泰瑞達(dá)（Teradyne）和愛德萬（Advantest）雙寡頭壟斷局面，探針臺市場也呈雙寡頭壟斷，分選機(jī)競爭格局相對分散。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年泰瑞達(dá)、愛德萬分別占據(jù)全球測試機(jī)市場規(guī)模的約51%/40%，細(xì)分來看，泰瑞達(dá)、愛德萬分別占SoC&邏輯測試機(jī)市場的約59%/37%及存儲測試機(jī)市場規(guī)模的約 32%/51%。據(jù)CSA

Research，2018年東京精密（Tokyo Seimitsu）和東京電子（Tokyo Electron）占探針臺市場份額分別為約 46%/27%。分選機(jī)方面，據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，2018年，科休、愛德萬、鴻勁精密、長川科技市占率分別約為37%/12%/8%/2%。

至此我們已經(jīng)通過三篇文章完成了對半導(dǎo)體設(shè)備的梳理，接下來我們將繼續(xù)我們的旅程，開始對半導(dǎo)體材料的介紹，讓我們下次再見吧。