本文成文于2023年8月，主要用來(lái)記錄一次我對(duì)于新電腦——天選4酷睿i9版的一次不太成功的散熱改造。

購(gòu)買版本的原來(lái)的內(nèi)存是16G的4800MHz的DDR5雙通道內(nèi)存，得益于這代內(nèi)存比較高的帶寬，絕大多數(shù)任務(wù)和游戲的瓶頸其實(shí)不在這里。但是在DDR5內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)明顯下降的當(dāng)下，我還是選擇多加點(diǎn)錢進(jìn)行升級(jí)，即使之前就已知天選酷睿版的CPU，i9-13900H其實(shí)只支持到5200MHz的內(nèi)存頻率，我還是買的是標(biāo)準(zhǔn)頻率5600M的海力士32G*2的組合，算是加錢把這個(gè)U完全伺候到位。

拆機(jī)更換的過(guò)程對(duì)于已經(jīng)加過(guò)固態(tài)盤的老油條來(lái)說(shuō)屬于相當(dāng)簡(jiǎn)單的操作，換完后看著日常學(xué)習(xí)工作，內(nèi)存都最少至少還有一半左右空余的感覺(jué)，其實(shí)蠻爽的。

但是某天打開(kāi)HWINFO這個(gè)監(jiān)控軟件的時(shí)候，我突然發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)在的內(nèi)存是能夠直接看到溫度的了，這個(gè)是我另外2臺(tái)DDR4的老電腦做不到的。但是驚喜的同時(shí)也帶來(lái)了疑惑，不對(duì)吧，我就開(kāi)個(gè)音樂(lè)聽(tīng)歌，開(kāi)個(gè)word寫文檔+開(kāi)個(gè)瀏覽器查資料，內(nèi)存溫度怎么分分鐘到了50°以上，比我想象的高的有點(diǎn)多。

一通資料查詢，發(fā)現(xiàn)這個(gè)現(xiàn)象還一點(diǎn)都不稀奇，也非常符合理論情況。焦慮也好像沒(méi)有太大必要。細(xì)細(xì)想來(lái)，此問(wèn)題真得分為幾個(gè)方面解釋。首先，準(zhǔn)確的說(shuō)軟件檢測(cè)到的這個(gè)溫度其實(shí)是內(nèi)存上DDR5的SPD HUB芯片，作用好比是此內(nèi)存的“身份證”，CPU在使用內(nèi)存前先會(huì)詢問(wèn)這塊芯片，了解內(nèi)存的頻率和時(shí)序，并且按照這種推薦配置使用內(nèi)存。DDR5的這個(gè)身份證芯片內(nèi)一般同時(shí)還集成了溫度傳感器，軟件檢測(cè)的就是這個(gè)。

拿金士頓的圖介紹可能更好理解一些，SPD HUB更靠近DDR5內(nèi)存的電源轉(zhuǎn)換芯片PMIC，而遠(yuǎn)離了我最關(guān)心溫度的顆粒芯片。而這個(gè)對(duì)于SPD來(lái)說(shuō)最近的鄰居PMIC可是個(gè)發(fā)熱大戶啊，DDR5這代內(nèi)存新增發(fā)熱量里很大一部分就是因?yàn)榕矂?dòng)PMIC時(shí)將熱量從主板移到了內(nèi)存中。正面迎擊的SPD HUB熱起來(lái)是很自然的。

另一方面，內(nèi)存本身的耐熱性是不錯(cuò)的，比如我查到的鎂光的內(nèi)存的資料，內(nèi)存是可以在0-95°的環(huán)境中運(yùn)行。不過(guò)環(huán)境溫度達(dá)到85°-95°時(shí)，性能還是會(huì)有所下降。這2方面其實(shí)都指明了，雖然軟件檢測(cè)的溫度不低，但是對(duì)于性能的影響應(yīng)該不大的。

當(dāng)然，但是光有理論肯定不能讓我滿足的，抱著試試看的求知想法，我就繼續(xù)試了下折騰筆記本內(nèi)存，先說(shuō)結(jié)論，有點(diǎn)失敗，結(jié)論反而是，筆記本內(nèi)存完全不需要折騰，無(wú)法提升不說(shuō)還容易有危險(xiǎn)。

首先，抱著對(duì)于華縮在散熱用料上的敷衍程度特有的信心，我準(zhǔn)備拿AIDA64直接烤個(gè)內(nèi)存試試看。首先是拷機(jī)前的帶寬測(cè)試，以此當(dāng)做基準(zhǔn)

烤了半小時(shí)，還真是不燒不知道，最高溫度都已經(jīng)到100°了，完全是煎蛋的水平啊。

而此時(shí)再做次帶寬測(cè)試，有下降，但是并不多。

查看此時(shí)的內(nèi)存狀態(tài)，內(nèi)存頻率也是在0.2G-5.2G間跳動(dòng)，不過(guò)0.2G時(shí)刻的內(nèi)存時(shí)序會(huì)比5.2G時(shí)好不少：

這個(gè)時(shí)候我就得鞭尸下AMD，我的臺(tái)式機(jī)是7700X也是配的5200的內(nèi)存，條子的時(shí)序比本子上還好點(diǎn)，但是實(shí)測(cè)的時(shí)候就會(huì)發(fā)現(xiàn)，intel CPU帶溫度上到90°的筆記本內(nèi)存，讀寫效能還是明顯強(qiáng)于AMD帶的臺(tái)式機(jī)內(nèi)存，從內(nèi)存控制器性能來(lái)說(shuō)，intel還是強(qiáng)不少的

大家應(yīng)該能夠看出來(lái)，高溫讓內(nèi)存性能有所下降，但并不多。不過(guò)這個(gè)溫度還是讓當(dāng)時(shí)的我有點(diǎn)方的，自然就是開(kāi)始計(jì)劃對(duì)于內(nèi)存散熱的改造。

筆記本內(nèi)存由于對(duì)于厚度和大小要求較高，世面上其實(shí)沒(méi)什么產(chǎn)品可以買，兜兜轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)就只能選擇銅箔散熱片或者銅箔+石墨烯散熱片。我選的就是銅箔，必須要注意的是，銅箔本身明顯是導(dǎo)電的，如果散熱銅箔沒(méi)貼好，磕碰到了其他帶電的部分，本子甚至可能被一套帶走，所以這是個(gè)絕對(duì)的細(xì)活，只有裝上后確認(rèn)無(wú)短路或者搭接的問(wèn)題，才能上電測(cè)試。

DDR5的裸條狀態(tài)，幾個(gè)關(guān)鍵芯片都能直接分辨出來(lái)

加了銅箔后的條子明顯變厚了。

加上的效果圖，多說(shuō)一句，我看新的拆機(jī)圖里，貌似內(nèi)存位上已經(jīng)沒(méi)有鋁箔覆蓋在上面了，大家如果要新加裝內(nèi)存的時(shí)候可以留個(gè)心眼，看看華縮是不是已經(jīng)把這個(gè)干擾屏蔽貼及上面的膠給去除掉了。

換了銅箔散熱片后的實(shí)驗(yàn)效果反而不太需要展示嗎，原因是沒(méi)啥進(jìn)步，和原裝的貼紙效果在極限情況下完全一樣。只有在短時(shí)爆發(fā)的讀寫的負(fù)載后，能稍微涼的更快一點(diǎn)，好處有，但是只有一點(diǎn)點(diǎn)，在AIDA64烤system memory的這種高負(fù)載在，SPD的溫度還是接近·100°。再考慮到這個(gè)個(gè)改造方法，會(huì)把本來(lái)絕緣的內(nèi)存背部變得不絕緣了，想想這個(gè)改造確實(shí)有點(diǎn)勞而無(wú)功的意思。下次換硅脂清灰的時(shí)候我還準(zhǔn)備把上面的鋁屏蔽層和膠給撕掉，反正無(wú)論是傳導(dǎo)熱量還是屏蔽干擾，銅箔總比之前的鋁箔強(qiáng)一些的，這樣也許還能讓散熱能力提升一點(diǎn)點(diǎn)，不過(guò)總體來(lái)說(shuō)，至少對(duì)于天選4，內(nèi)存改造散熱效果真的很一般，可以降低2-3°就很不得了了，得不償失。

最后再破除另一個(gè)對(duì)于DDR5常見(jiàn)的謬誤，“DDR5內(nèi)存自帶雙通道，所以不需要再拿2條內(nèi)存組雙通道了”。這個(gè)謬誤是明顯的只對(duì)了一半的，前面的內(nèi)存自帶雙通道是沒(méi)錯(cuò)的。拿intel講解DDR5變化的ppt可以看出，2條總線分別可以訪問(wèn)內(nèi)存條左右兩邊的顆粒，但是2條總線組成的總帶寬是和DDR4時(shí)代的單總線是一致的。所以自帶雙通道可不代表帶寬會(huì)因此有所提升。

那這樣雙總線的實(shí)際是沒(méi)有意義的嗎？也不是。這個(gè)改進(jìn)點(diǎn)的初衷在另一個(gè)文檔里寫的比較清楚，提升訪問(wèn)效率并減少延遲。舉個(gè)極端的例子，你需要存取的數(shù)據(jù)量不大，且正好在內(nèi)存的左右2邊，DDR4內(nèi)存就只能用64位尋址通道先讀寫左邊的數(shù)據(jù)，完成后再讀寫一次右邊的數(shù)據(jù)，右邊內(nèi)存數(shù)據(jù)的訪問(wèn)延遲較高。而DDR5就能比較好的解決這個(gè)問(wèn)題，雙總線保證能同時(shí)訪問(wèn)左右2邊的數(shù)據(jù)，這種場(chǎng)景下，數(shù)據(jù)延遲能下降大概一半。

了解了原理就不難看出，這種片內(nèi)雙通道主要提升的是數(shù)據(jù)訪問(wèn)的靈活性，對(duì)于總帶寬提升沒(méi)啥用，總帶寬提升還是要靠傳統(tǒng)的組雙通道方法來(lái)進(jìn)行。而大多數(shù)人會(huì)有此謬誤的一個(gè)重要原因其實(shí)是市面上的第一代DDR5內(nèi)存就已經(jīng)至少是4800M的高頻內(nèi)存了，滿足大部分游戲和簡(jiǎn)單工作需求，組雙通道的效果并不如之前明顯了。