在ETNews的報道之后，三星電子的代工部門首席技術(shù)官Jung Ki-tae Jung透露了該公司在BSPDN技術(shù)開發(fā)方面的計劃。

BSPDN技術(shù)是一項創(chuàng)新技術(shù)，旨在更好地利用半導(dǎo)體晶圓背面空間的潛力。雖然該技術(shù)尚未在全球范圍內(nèi)實施，但三星電子成為首家公開披露其BSPDN開發(fā)進(jìn)程的公司。隨著半導(dǎo)體工藝的不斷微縮發(fā)展，集成電路內(nèi)電路與電路之間的距離越來越短，容易產(chǎn)生互相干擾的問題。

BSPDN技術(shù)的應(yīng)用可以解決這一限制，因為它可以利用晶圓背面來構(gòu)建供電線路，從而分隔電路和電源空間。除了三星電子外，臺積電和英特爾等公司也在積極尋求類似的技術(shù)突破。

臺積電計劃在2nm以下的工藝中應(yīng)用類似的技術(shù)，并預(yù)計在2026年之前實現(xiàn)。而英特爾的背面供電技術(shù)名為PowerVia，在2024年上半年將首次在其節(jié)點Intel 20A中應(yīng)用，并計劃在未來量產(chǎn)中應(yīng)用于Arrow Lake平臺，以降低功耗、提高效率和性能。雖然這些公司都設(shè)定了時間目標(biāo)，但根據(jù)市場需求的變化，這些時間目標(biāo)可能會有所延后。

三星電子首席技術(shù)官表示，采用背面供電技術(shù)的半導(dǎo)體的量產(chǎn)時間可能會根據(jù)客戶的日程安排而有所變化。三星電子的目標(biāo)是在2025年量產(chǎn)2nm工藝，早于1.4nm工藝。目前，他們正在對背面供電技術(shù)的應(yīng)用進(jìn)行客戶需求調(diào)查，以更好地滿足市場需求。

總體而言，BSPDN技術(shù)的應(yīng)用將推動半導(dǎo)體工藝的進(jìn)一步發(fā)展，為行業(yè)帶來更高的效率和性能。三星電子、臺積電和英特爾等公司都在不斷努力尋求技術(shù)突破，以保持在競爭激烈的半導(dǎo)體市場中的領(lǐng)先地位。隨著時間的推移，我們可以期待看到更多關(guān)于BSPDN技術(shù)的進(jìn)展和應(yīng)用。