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突破原子級(jí)薄晶體管,24歲華裔科學(xué)家或打破極限,改寫(xiě)芯片歷史?

2023-05-07 10:09 作者:光電科技君  | 我要投稿

芯片制程到1nm的時(shí)候,就被認(rèn)為達(dá)到了“摩爾定律”的極限,但是24歲的華裔科學(xué)家朱佳迪的研究成果或?qū)⒋蚱七@個(gè)局限,讓美國(guó)在芯片領(lǐng)域繼續(xù)領(lǐng)跑世界。


近些年,美國(guó)以半導(dǎo)體芯片上的優(yōu)勢(shì),持續(xù)打壓和制裁中企發(fā)展,但是在硅基芯片上有其自身的局限,也就是芯片工藝越高端,其良率就越低。

比如3納米芯片要比5納米低,到了1納米時(shí)候,甚至芯片都難以運(yùn)行了,這主要是因?yàn)?strong>當(dāng)硅基芯片工藝達(dá)到1納米工藝左右的時(shí)候,就有可能出現(xiàn)遂穿效應(yīng),會(huì)造成漏電等各種問(wèn)題。


因此,人們認(rèn)為硅基芯片的極限就是1納米,此后就必須找到新的方案。所以,當(dāng)美國(guó)對(duì)中方制裁和打壓之后,很多人就提出“彎道超越”路徑,一是搞定高端光刻機(jī),二是替換芯片襯底,三是改變晶體管材料或堆疊方式。


國(guó)內(nèi)很多科學(xué)家提出的方案也就是上述中的一種,比如“碳基芯片”等。而最近美國(guó)華裔科學(xué)家朱佳迪的研究將為“摩爾定律”續(xù)命,突破硅基芯片的極限。


2023年4月27日,《自然-納米技術(shù)》發(fā)表了一篇論文,文中描述了一種新的芯片制造技術(shù),這種技術(shù)可以將低溫生長(zhǎng)區(qū)與高溫硫化物前體分解區(qū)分開(kāi),使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法在低于300℃的溫度下直接在8英寸的二硫化鉬薄膜CMOS晶圓上合成二維材料,而無(wú)需進(jìn)行任何轉(zhuǎn)移過(guò)程。


簡(jiǎn)單地說(shuō):就是讓芯片自己長(zhǎng)出來(lái)!

此前也有科學(xué)家在上面研究,通過(guò)二維材料來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管的密集堆疊。但是,在無(wú)法解決溫度問(wèn)題,想要將二維材料直接生長(zhǎng)到硅CMOS晶圓上,需要大約600℃的溫度,但是硅晶體管和電路在加熱到400℃就已經(jīng)被損壞了。


而朱佳迪的研究就是解決了這一難題,讓二維材料在低于300℃生長(zhǎng)在二硫化鉬薄膜CMOS晶圓上。也就是說(shuō),本質(zhì)上,朱佳迪是在新材料的基礎(chǔ)上,使用低溫化學(xué)氣相沉積法突破了大規(guī)模制備MoS2單層薄膜的工藝。

朱佳迪(Jiadi Zhu)是麻省理工電氣工程和計(jì)算機(jī)科學(xué)研究生,但是他卻不是中國(guó)人,很多自媒體為了抓眼球,硬說(shuō)他是華人,或者干脆說(shuō)是“清北留學(xué)生”,然后就讓我們反思國(guó)內(nèi)的科研環(huán)境、人才為何不回來(lái)之類的話,博取流量。


實(shí)際上,有心的朋友可以去查一查清北大學(xué)生的畢業(yè)走向,也可以查一查中國(guó)前往美國(guó)留學(xué)生,最終有多少人選擇回國(guó)?

前幾天美國(guó)駐華大使在清華大學(xué)演講中說(shuō),中方在美留學(xué)生有29.5萬(wàn)人,每年還在增加。但是,你仔細(xì)查查到底有多少人拿到了工作簽證。


筆者雖然也覺(jué)得“科學(xué)無(wú)國(guó)界”這句話在美國(guó)這邊是個(gè)玩笑話,但是你冷靜地想想,不出去學(xué)習(xí),如何進(jìn)步?并不是先進(jìn)的技術(shù)都是在大學(xué)里教授的,還需要在科研院所里磨練。所謂的“學(xué)成歸來(lái)”的指標(biāo)到底是什么?從學(xué)校畢業(yè)了就算“學(xué)成”了嗎?

我們很多人總是在強(qiáng)調(diào)“引鳳歸巢”,倒是任正非先生提出“要在有鳳凰的地方筑巢”。所以,從本質(zhì)上我們還是不斷地改善科研環(huán)境、提高科研待遇,解決科研服務(wù)難題。幸運(yùn)的是,我們的政策和機(jī)制都在向這個(gè)方面發(fā)展。


關(guān)于朱佳迪這個(gè)成果,實(shí)際上行業(yè)人士可以看出有很多進(jìn)步的地方,但是還算不上“顛覆的創(chuàng)新”,國(guó)內(nèi)新材料、新工藝方面類似的成果也有很多。

比如:2022年3月9日,清華大學(xué)集成電路學(xué)院的任天令教授團(tuán)隊(duì)成功制備了具有垂直結(jié)構(gòu)的超小型MoS2晶體管,首次實(shí)現(xiàn)了0.34納米的有效柵極長(zhǎng)度,相關(guān)結(jié)果發(fā)表《自然》(Nature)雜志上。

厚積薄發(fā),然后超越。營(yíng)造環(huán)境,需要你我共建。

朱佳迪祖籍在中國(guó),但是出生在美國(guó),是華裔,而不是華人。請(qǐng)大家多關(guān)注一下國(guó)內(nèi)的科研成果,關(guān)注國(guó)內(nèi)的年輕科學(xué)家,不要“友邦驚詫論”。


突破原子級(jí)薄晶體管,24歲華裔科學(xué)家或打破極限,改寫(xiě)芯片歷史?的評(píng)論 (共 條)

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