從環(huán)境條件可分為包括各種應(yīng)力條件下的模擬試驗(yàn)和現(xiàn)場試驗(yàn);

　　從試驗(yàn)項(xiàng)目可分為壽命試驗(yàn)、加速試驗(yàn)和各種特殊試驗(yàn);從試驗(yàn)?zāi)康膩韯澐?，可分為可靠性工程試?yàn)(包括環(huán)境應(yīng)力篩選試驗(yàn)和可靠性增長試驗(yàn))、可靠統(tǒng)計(jì)試驗(yàn)(包括可靠性驗(yàn)證試驗(yàn)和可靠性測定試驗(yàn));從試驗(yàn)性質(zhì)來劃分，可分為破壞性試驗(yàn)和非破壞性試驗(yàn)。通常慣用的分類法，是把可靠性試驗(yàn)歸納為五大類，在前面的文章中講了環(huán)境試驗(yàn)、壽命試驗(yàn)、篩選試驗(yàn)、現(xiàn)場使用試驗(yàn)，這篇文章中將講最后一類可靠性試驗(yàn)，就是鑒定試驗(yàn)。廣東貝爾試驗(yàn)設(shè)備有限公司（https://www.yqbell.com）

　　一、鑒定試驗(yàn)

　　鑒定試驗(yàn)是對(duì)產(chǎn)品的可靠性水平進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)而做的試驗(yàn)。它是根據(jù)抽樣理論制定出來的抽樣方案。在保證生產(chǎn)者不致使質(zhì)量符合標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品被拒收的條件下進(jìn)行鑒定試驗(yàn)?？煽啃澡b定試驗(yàn)分兩類：一類為產(chǎn)品可靠性鑒定試驗(yàn)，一類為工藝(含材料)的可靠性鑒定試驗(yàn)。

　　產(chǎn)品可靠性鑒定試驗(yàn)一般是在新產(chǎn)品設(shè)計(jì)定型和生產(chǎn)定型時(shí)進(jìn)行。目的是考核產(chǎn)品的指標(biāo)是否全面達(dá)到了設(shè)計(jì)要求，考核產(chǎn)品是否達(dá)到了預(yù)定的可靠性要求。試驗(yàn)的內(nèi)容一般與質(zhì)量一致性檢驗(yàn)一致，既A、B、c、D四組試驗(yàn)都做，有抗輻射強(qiáng)度規(guī)定產(chǎn)品也做要E組試驗(yàn)。當(dāng)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、材料或工藝有重大改變時(shí)也要做可靠性鑒定試驗(yàn)。

　　工藝(含材料)的可靠性鑒定試驗(yàn)用于考核生產(chǎn)線對(duì)材料和工藝的選擇及控制能力是否能保證所制造的產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，是否能滿足某種質(zhì)景保證等級(jí)的要求。其他常用的電子產(chǎn)品可靠性試驗(yàn)介紹

　　1.恒定加速度試驗(yàn)

　　該試驗(yàn)?zāi)康氖强己税岭娐烦惺芎愣铀俣鹊哪芰?。它可以暴露由微電路結(jié)構(gòu)強(qiáng)度低和機(jī)械缺陷引起的失效。如芯片脫落、內(nèi)引線開路、管殼變形、漏氣等。

　　2.機(jī)械沖擊試驗(yàn)

　　該試驗(yàn)?zāi)康氖强己宋㈦娐烦惺軝C(jī)械沖擊的能力。即考核微電路承受突然受力的能力。

　　3.機(jī)械振動(dòng)試驗(yàn)

　　振動(dòng)試驗(yàn)主要有四種，即掃頻振動(dòng)試驗(yàn)、振動(dòng)疲勞試驗(yàn)。振動(dòng)噪聲試驗(yàn)和隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)。目的是考核微電路在不同振動(dòng)條件下的結(jié)構(gòu)牢固性和電特性的穩(wěn)定性。

　　4.鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)

　　該試驗(yàn)?zāi)康氖菣z驗(yàn)微電路封裝內(nèi)部的內(nèi)引線與芯片和內(nèi)引線與封裝體內(nèi)外引線端鍵合強(qiáng)度.分為破壞性鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)和非破壞性鍵合強(qiáng)度試驗(yàn).鍵合強(qiáng)度差的微電路會(huì)出現(xiàn)內(nèi)引線開路失效。

　　5.芯片附著強(qiáng)度試驗(yàn)

　　該試驗(yàn)?zāi)康氖强己诵酒c管殼或基片結(jié)合的機(jī)械強(qiáng)度。芯片附著強(qiáng)度試驗(yàn)有兩個(gè)，即芯片與基片/底座附著強(qiáng)度試驗(yàn)和剪切力試驗(yàn).前者是考核芯片承受垂直芯片脫寓基片/底座方向受力的能力。后者是考核芯片承受平行芯片與基片/底座結(jié)合面方向受力的能力。

　　5.粒子碰撞噪聲檢測試驗(yàn)

　　粒子碰撞噪聲檢測試驗(yàn)(PIND：Particle Impact Noise Detection)的目的是檢驗(yàn)微電路空腔封裝腔體內(nèi)是否存在可動(dòng)多余物?？蓜?dòng)導(dǎo)電多余物町能導(dǎo)致微電路內(nèi)部短路失效。

　　6.靜電放電敏感度試驗(yàn)靜電放電敏感度試驗(yàn)可以給出微電路承受靜電放電的能力。它是破壞性試驗(yàn)。