普通二極管是由N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體接觸制成，交界面形成PN結(jié)。

肖特基二極管是由N型半導(dǎo)體和金屬接觸制成，交界面形成肖特基結(jié)。

肖特基結(jié)的形成主要是因?yàn)镹型半導(dǎo)體中的電子更容易逸出進(jìn)入到金屬，從而在接觸面N型半導(dǎo)體失去電子形成正離子區(qū)（電荷區(qū)），金屬得到電子形成負(fù)離子區(qū)。

內(nèi)部電場方向由N區(qū)指向金屬。

當(dāng)施加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)變窄，N型半導(dǎo)體的電子會(huì)穿過電荷區(qū)進(jìn)入到金屬，從而形成正向電流。

當(dāng)施加反向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)變寬，電子無法通過空間電荷區(qū)，此時(shí)肖特基二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。

因?yàn)樾ぬ鼗O管的空間電荷區(qū)（勢壘高度）比普通二極管的窄，所以肖特基二極管正向?qū)▔航当容^小，比如SS14在1A電流導(dǎo)通壓降為0.5V左右，而硅二極管1N4007在1A電流下導(dǎo)通壓降在0.9V左右。

所以在一些低電壓電源串接電路中我們更傾向于用肖特基二極管，以獲得更小的導(dǎo)通壓降和流過更大的電流。

肖特基二極管反向耐壓一般在100V以下，相較于普通硅二極管耐壓要低不少。

肖特基二極管的漏電流要比普通二極管的大很多，常溫下普通二極管漏電流一般只有幾微安，而肖特基二極管的反向漏電流在幾百微安。高溫環(huán)境中甚至能到幾毫安。

肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間很小，一般在10ns以下，而普通二極管一般大于1uS。

所以肖特基二極管常用在一些高速開關(guān)的電路，比如開關(guān)電源的續(xù)流二極管就是用的肖特基二極管，如果用普通二極管，電路會(huì)工作異常。