近日，羅姆半導體的第4代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

此款SiC MOSFET將從2025年起將向全球電動汽車供貨，助力延長續(xù)航里程和系統(tǒng)的小型化

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC?MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日立安斯泰莫”）用于其純電動汽車（以下簡稱“EV”）的逆變器。超10萬種現(xiàn)貨元器件，一件也發(fā)貨，來唯樣商城購正品~

在全球實現(xiàn)無碳社會的努力中，汽車的電動化進程加速，在這種背景下，開發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統(tǒng)已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領域，為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題，業(yè)內對碳化硅功率元器件寄予厚望。

羅姆自2010年在全球率先開始量產(chǎn)SiC MOSFET以來，在SiC功率元器件技術開發(fā)方面，始終保持著業(yè)界先進地位。其中，新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受時間，并實現(xiàn)了業(yè)界超低的導通電阻。在車載逆變器中采用該產(chǎn)品時，與使用IGBT時相比，電耗可以減少6%（按國際標準“WLTC燃料消耗量測試”計算），非常有助于延長電動汽車的續(xù)航里程。

未來，羅姆將作為SiC功率元器件的領軍企業(yè)，不斷壯大產(chǎn)品陣容，并結合能夠更大限度地激發(fā)元器件性能的控制IC等外圍元器件技術優(yōu)勢，持續(xù)提供有助于汽車技術創(chuàng)新的電源解決方案。

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