g-C3N4在光催化領域-光催化還原 CO2的應用：

光催化還原CO2生成烴類燃料是解決能源短缺問題的手段之一。由于g-C3N4的導帶位置偏負，可以滿足CO2還原的要求。因為CO2還原反應需要較高的過電位來驅(qū)動，所以很少有人使用純g-C3N4光催化還原CO2。因此，研究者將g-C3N4與其他半導體復合，可以有效提高g-C3N4光催化還原CO2的活性。Liang[3]等制備的 g-C3N4/CeO2可將CO2光催化還原成 CH4，從而將 CO2變成可直接利用的燃料。但目前光催化還原CO2的研究較少，且光催化劑較不穩(wěn)定，仍然需要研究者進行長期的探索。

瑞禧石墨烯、鈣鈦礦、量子點、納米顆粒、空穴傳輸材料、納米晶、半導體聚合物、超分子材料、過渡金屬配合物、化學試劑等

Au/g-C3N4金屬/氮化碳復合材料

聚合物半導體石墨相氮化碳(g-C3N4),

碘摻雜改性石墨相氮化碳

熒光氮化碳量子點(g-C3 N4 QDs)

磷摻雜的介孔石墨類氮化碳(P-mpg-C3N4)

石墨相氮化碳納米管(CN-NTs)光催化劑

鈰摻雜石墨相氮化碳

鎳摻雜石墨相氮化碳

單層石墨相氮化碳納米片（NMGCNs）

手性石墨相氮化碳聚合物半導體光催化劑

Ag2O納米線修飾的TiO2納米管

異質(zhì)型CuO@TiO2納米線膜

介孔TiO2/石墨烯修飾的TiO2納米線

石墨烯量子點/TiO2納米線復合材料

金納米線修飾的二氧化鈦納米柱陣列SERS基底材料

Au,CdS納米粒子修飾TiO2納米線

Au納米粒子修飾TiO2納米線

CdS納米粒子修飾TiO2納米線

銀和石墨烯共修飾TiO2納米線

硫化釩修飾二氧化鈦納米線陣列

錫摻雜TiO2納米線陣列

FTO基底上TiO2納米線陣列

TiO2修飾Si/Fe2O3納米線陣列

納米顆粒修飾枝節(jié)狀二氧化鈦納米線

Al2O3修飾陣列TiO2納米線

單斜白鎢礦結構BiVO4

單斜四面體結構BiVO4

單斜相的BiVO4納米結構

樹葉狀BiVO4二維納米片

活性HKUST-1-MOF–BiVO4

橄欖狀/片狀BiVO4

CuO負載空心球狀BiVO4

β-環(huán)糊精(β-CD)修飾后BiVO4

Fe2O3/BiVO4復合光催化劑

BiVO4多孔薄膜；BiVO4納米孔薄膜

還原氧化石墨烯RGO修飾釩酸鉍BiVO4納米纖維

碳納米管CNTs修飾釩酸鉍BiVO4納米纖維

小編瑞禧YQ2021.5,更多了解主頁相關。